Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3224)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP62,115
Tranzystor PNP; 2000; 1,5W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP62,115; BSP62H6327XTSA1; BSP62.115; BSP62H6327TR; BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62H6327XTSA1; BSP62;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSP62,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
904 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BSP62H6327HTSA1
Trans Darlington PNP 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62E6327HTSA1; BSP62H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | INFINEON | -65°C ~ 125°C | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
4700 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Darlington PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | INFINEON | -65°C ~ 125°C | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP62H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
13000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Darlington PNP | 2000 | 1,5W | 80V | 1A | 200MHz | SOT223 | INFINEON | -65°C ~ 125°C | |||||||||||||
|
BSR16
Tranzystor PNP; 300; 350mW; 60V; 800mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR16-FAI;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 800mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSR16 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 800mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSR16 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 300 | 350mW | 60V | 800mA | 200MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BSR16 CDIL
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 250mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23 | CDIL | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BSR16,215
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 60V; 600mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR16,215; BSR16215; BSR16.215;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 250mW | 60V | 600mA | 200MHz | SOT23-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BSS63LT1G
Tranzystor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS63LT1G; BSS63;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 30 | 350mW | 100V | 200mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
831000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 30 | 350mW | 100V | 200mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
222000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 30 | 350mW | 100V | 200mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 30 | 350mW | 100V | 200mA | 50MHz | SOT23 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BSS63,215
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 250mW | 100V | 100mA | 85MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS63LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
450000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 250mW | 100V | 100mA | 85MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS63,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 30 | 250mW | 100V | 100mA | 85MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BSS64LT1G
Tranzystor NPN; 20; 350mW; 80V; 200mA; 60MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS64LT1G; BSS64 ONS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS64LT1G AM.. RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 20 | 350mW | 80V | 200mA | 60MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS64LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20 | 350mW | 80V | 200mA | 60MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS64LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
12400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 20 | 350mW | 80V | 200mA | 60MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BSS64 NXP
Tranzystor NPN; 80; 250mW; 80V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS64,215;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1620 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 80 | 250mW | 80V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BST39 ZEHUA
Tranzystor NPN; 40; 500mW; 350V; 100mA; 70MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST39TA; BST39,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 500mW | 350V | 100mA | 70MHz | SOT89 | ZEHUA | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BST52 ZEHUA
Tranzystor Darlington NPN; 2000; 1W; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST52TA; BST52,115; BST52,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
Darlington NPN | 2000 | 1W | 60V | 500mA | 200MHz | SOT89 | ZEHUA | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BU208D
Tranzystor NPN; 150W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 175°C; Dioda; Odpowiednik: BD208-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
U-import Symbol Producenta: BU208D RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 150W | 700V | 8A | 7MHz | TO 3 | -65°C ~ 175°C | |||||||||||||||
|
BU2508AF iso
Tranzystor NPN; 13; 45W; 700V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BU2508AF RoHS Obudowa dokładna: TO 3Piso (SOT199) |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 13 | 45W | 700V | 8A | TO 3Piso (SOT199) | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
|
BU2520DX SOT399
Tranzystor NPN; 13; 45W; 800V; 10A; -55°C ~ 150°C; Dioda; Odpowiednik: BU2520DF
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: BU2520DX RoHS Obudowa dokładna: SOT399 |
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 13 | 45W | 800V | 10A | SOT399 | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
|
BU326
Tranzystor NPN; 75W; 375V; 6A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BU326-CDI; TBU326;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: BU326 PBf Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 75W | 375V | 6A | 4MHz | TO 3 | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||
|
BU406 JSMICRO
Tranzystor NPN; 100; 60W; 200V; 7A; 10MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BU406G; BU406TU; BU406-S;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: BU406 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100 | 60W | 200V | 7A | TO220 | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BU407
Tranzystor NPN; 60W; 150V; 7A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
CYD Symbol Producenta: BU407 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
745 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 60W | 150V | 7A | 10MHz | TO220 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
|
BU408
Tranzystor NPN; 60W; 200V; 7A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 60W | 200V | 7A | 10MHz | TO220 | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BU508AF iso
Tranzystor NPN; 30; 34W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BU508AF RoHS Obudowa dokładna: TO 3Piso (SOT199) |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 30 | 34W | 700V | 8A | 7MHz | TO 3Piso (SOT199) | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BUK6D43-40PX NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 6-Pin DFN-MD EP
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BUK6D43-40P,115 RoHS Obudowa dokładna: DFN06 |
Stan magazynowy:
2750 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BUL128
Tranzystor NPN; 40; 70W; 400V; 4A; -65°C ~ 150°C; OBSOLETE
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 70W | 400V | 4A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BUL128D-B STMicroelectronics
Tranzystor NPN; 32; 70W; 400V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUL128D-B;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 32 | 70W | 400V | 4A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BUL1603ED
Tranzystor NPN; 40; 80W; 650V; 3A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 80W | 650V | 3A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BUL381
Tranzystor NPN; 10; 70W; 400V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
66 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10 | 70W | 400V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BUL38D
Tranzystor NPN; 60; 80W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
20300 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4250 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 80W | 450V | 5A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BUL53B
Tranzystor NPN; 50; 90W; 250V; 12A; 20MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: BUL53B RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 50 | 90W | 250V | 12A | 20MHz | TO220 | Semelab | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BUT11A ON SEMICONDUCTOR
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100W | 450V | 5A | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100W | 450V | 5A | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
|
BUT11A
Tranzystor NPN; 35; 83W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTE2333; NTE2337;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
import Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
68 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 35 | 83W | 450V | 5A | TO220 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||
|
BUT12AF iso
Tranzystor NPN; 35; 23W; 450V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ISC Symbol Producenta: BUT12AF RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 35 | 23W | 450V | 8A | TO220iso | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BUT56A
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 8A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FSC Symbol Producenta: BUT56A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 100W | 450V | 8A | 10MHz | TO220 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||