Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3355)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCX54-16 SOT89 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 45V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX5416E6327HTSA1; BCX5416H6327XTSA1; BCX5416TA;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 500mW | 45V | 1A | 130MHz | SOT89 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX51 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 45V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX51 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC847C SOT23(T/R) RealChip
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857BS SOT363 RealChip
Tranzystor 2xPNP; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC857BS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 RealChip
Transistor NPN; Bipolar; 250; 5V; 1W; 45V; 1A; 100MHz; -65°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX54-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC858B SOT23-3(T/R) RealChip
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC858B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCP69 SOT223 RealChip
Tranzystor PNP; 375; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCP69 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCP55-16 SOT223 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 60V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP55-16,115; BCP55-16F; BCP55-16.115; BCP55-16;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCP55-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56-16,135; BCP56-16,115; BCP56-16 STM; BCP56-16TX; BCP56-16TR;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX51-10 SOT89 RealChip
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX51-10 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX52 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 60V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX52 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MPSA42 TO-92 REALCHIP
Tranzystor NPN; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MPSA42 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MPSA44 TO92 RealChip
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MPSA44 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MPSA44 TO92 HT SEMI
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 200 | 350mW | 400V | 200mA | 50MHz | TO92 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX53-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCV49 SOT89 NEXPERIA
BCV49,115; BCV49,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC337-40 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Stan magazynowy:
605 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BC337.40 Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
26000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||||||||||||
|
BC860BW SOT23 NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R Odpowiednik: BC860BW,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BC860BW,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC860BW,115 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||||||||||||
|
BC856C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 600 | 300mW | 45V | 100mA | SOT23 | HT | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) HT SEMI
Tranzystor NPN; 800; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 625mW | 30V | 100mA | 150MHz | TO92 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
960 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-13
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 250; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BD139-16 TO126 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD139 RoHS 100-250 Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 HT SEMI
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 250MHz | SOT23 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES
Tranzystor PNP; 400; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25W,115; BC807-25W,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC807-25W-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857B SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
RCK3018W SOT323 REALCHIP
N-Channel MOSFET 0.1A 30V 8mΩ Podobny do: BSS138PW,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCK3018W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000