Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3207)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Producent
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Moc strat
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC857CWH6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | 420 | 250MHz | INFINEON | 100mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 250mW | PNP | |||||||||||||
|
BC860BW SOT23 NEXPERIA
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860BW,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 475 | 100MHz | NXP | 100mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
860 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | 250 | 100MHz | YFW | 1A | 80V | -65°C ~ 150°C | 1,5W | NPN | |||||||||||||
|
BC857BS SOT363 RealChip
Tranzystor PNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | 630 | 200MHz | RealChip | 200mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 300mW | PNP | |||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | 630 | 210MHz | LGE | 800mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 625mW | NPN | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
445 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | 630 | 210MHz | LGE | 800mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 625mW | NPN | |||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BC337.40 Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
20500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92ammoformed | 630 | 210MHz | LGE | 800mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 625mW | NPN | |||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 450 | 100MHz | MIC | 100mA | 65V | -55°C ~ 150°C | 250mW | NPN | |||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
32970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 450 | 100MHz | MIC | 100mA | 65V | -55°C ~ 150°C | 250mW | NPN | |||||||||||||
|
BC847C SOT23(T/R) RealChip
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 800 | 100MHz | RealChip | 100mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 200mW | NPN | |||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 RealChip
Transistor NPN; Bipolar; 250; 5V; 1,3W; 45V; 1A; 130MHz; -65°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | 250 | 130MHz | RealChip | 1A | 45V | -65°C ~ 150°C | 1,3W | NPN | |||||||||||||
|
BD139-16 TO126 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD139 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
870 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | 250 | HT SEMI | 1,5A | 80V | -65°C ~ 150°C | 1,25W | NPN | ||||||||||||||
|
BC860B SOT23 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC860B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 475 | 100MHz | LGE | 100mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 250mW | PNP | |||||||||||||
|
TIP42C TO220 MOT
Tranzystor PNP; 75; 65W, 100V; 6A; 3MHz, -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | 75 | 3MHz | MOT | 6A | 100V | -65°C ~ 150°C | 65W | PNP | |||||||||||||
|
TIP35C TO-247S MOT
Tranzystor NPN; 200; 120W; 100V; 25A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | 200 | 3MHz | MOT | 25A | 100V | -55°C ~ 150°C | 120W | NPN | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | 200 | 3MHz | MOT | 25A | 100V | -55°C ~ 150°C | 120W | NPN | |||||||||||||
|
BC847B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT-23-6L | 450 | 100MHz | RealChip | 100mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 200mW | NPN | |||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) MOT
Tranzystor PNP; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846B.215; BC846B.235; BC846B SMD NXP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 450 | 100MHz | MOT | 100mA | 65V | -55°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BC857CW-TP
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | 800 | 100MHz | MCC | 100mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-10-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 250 | 100MHz | MOT | 500mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 300mW | NPN | |||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16-7-F (DIODEZETEX); BC817-16LT1G (ONS); BC817-16 RF (TAIWANSEMI);
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 250 | 100MHz | RealChip | 500mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 300mW | NPN | |||||||||||||
|
DTC143ECA SOT23 LGE
Tranzystor PNP; 20; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DTC143ECA-YAN; DTC143ECA-LGE; DTC143ECAHZGT116;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 20 | 250MHz | LGE | 100mA | 50V | -55°C ~ 150°C | 200mW | NPN | |||||||||||||
|
MPSA42 TO-92 REALCHIP
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 305V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | 250 | 50MHz | RealChip | 200mA | 305V | -55°C ~ 150°C | 625mW | NPN | |||||||||||||
|
BC846C SOT23(T/R) MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do: EVBC846C-S1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 800 | 100MHz | MOT | 100mA | 65V | -55°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BCX56 SOT89 YFW
Tranzystor NPN; 250; 500mW; 80V; 1A; 130MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | 250 | 130MHz | YFW | 1A | 80V | -55°C ~ 150°C | 500mW | NPN | |||||||||||||
|
MPSA44 TO92 RealChip
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | 200 | RealChip | 300mA | 400V | -55°C ~ 150°C | 625mW | NPN | ||||||||||||||
|
BC860B SOT23 YFW
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860B,215; BC860B,235; BC860BE6327; BC860BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 475 | 100MHz | YFW | 100mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 250mW | PNP | |||||||||||||
|
BC856C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 600 | 100MHz | MOT | 100mA | 65V | -55°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BC856B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 475 | 100MHz | HT | 100mA | 65V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: BC856A-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 250 | 100MHz | HT | 100mA | 65V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BC856C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 600 | HT | 100mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 300mW | PNP | ||||||||||||||
|
BC858C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 800 | 100MHz | HT | 100mA | 30V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
MPSA44 TO92 HT SEMI
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | 200 | 50MHz | HT | 200mA | 400V | -55°C ~ 150°C | 350mW | NPN | |||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) HT SEMI
Tranzystor NPN; 800; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | 800 | 150MHz | HT | 100mA | 30V | -55°C ~ 150°C | 625mW | NPN | |||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000