Tranzystory polowe (wyszukane: 6775)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SISS73DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V PP 1212-8 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS73DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SISS94DN-T1-GE3 PowerPAK1212-85
N-Channel 200 V 5.4 A 75 mOhm Surface Mount Mosfet - PowerPAK 1212-8S
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS94DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS94DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIUD406ED-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIZF5300DT-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIZF5302DT-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN2213T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2213T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnętrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN2214T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2214T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5111T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5111T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5111DW1T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5111DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5114DW1T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5114DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5211T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5211T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
99000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5214T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5214T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5233T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-70
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5233T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5235DW1T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5235DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5235DW1T3G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5235DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5311DW1T1G
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 SMUN5311DW1T3G SMUN5311DW1T2G
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5311DW1T2G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5311DW1T2G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5311DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
702000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5313DW1T1G
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 SMUN5313DW1T3G
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5313DW1T3G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SMUN5335DW1T1G
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 SMUN5335DW1T2G
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5335DW1T2G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5335DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5335DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SN7002N
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 SN7002NL6327HTSA1; SN7002N H6433; SN7002NH6327XTSA1; SN7002NH6327XTSA2;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SN7002NH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SN7002NH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SN7002NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SN7002W
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-323 SN7002WH6433XTMA1 SN7002WH6327XTSA SN7002WH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SN7002WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
252000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SPA02N80C3
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA02N80C3XKSA1
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA02N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
24 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SPB20N60S5
N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5/SN
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB20N60S5ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 190mOhm | 20A | 208W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Siemens | |||||
|
SPA06N80C3
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA06N80C3XKSA1
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA06N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
10332 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SPA08N80C3XKSA1
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA08N80C3XKSA1; SPA08N80C3;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
524 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 650mOhm | 8A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
3636 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 650mOhm | 8A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
10500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 650mOhm | 8A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
|
SPA15N60C3
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA15N60C3XKSA1
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA15N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SPA17N80C3 INF
N-MOSFET 17A 800V SPA17N80C3XKSA1
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA17N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
325 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 290mOhm | 17A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA17N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
6051 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 290mOhm | 17A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA17N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
3822 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 290mOhm | 17A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
|
SPA20N60C3
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA20N60C3XKSA1
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPA20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
3772 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SPB18P06PGATMA1
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB18P06PGATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SPB20N60C3
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB20N60C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB20N60C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
193000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
|
SPD02N80C3
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 6,5Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD02N80C3ATMA1; SPD02N80C3BTMA1;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD02N80C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 6,5Ohm | 2A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||
|
SPD04N80C3
N-MOSFET 4A 800V 63W 1.3Ω SPD04N80C3ATMA1
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD04N80C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,3Ohm | 4A | 63W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | INFINEON | |||||