Tranzystory polowe (wyszukane: 6775)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 54W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQP30N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 32A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP30N06L RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 45mOhm | 32A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQP33N10
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP33N10 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 25V | 52mOhm | 33A | 127W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
|
FQP50N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 52,4A; 121W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 25mOhm | 52,4A | 121W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQP5N60C FAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,5Ohm; 4,5A; 100W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
120 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,5Ohm | 4,5A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
|
FQP6N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,5Ohm; 5,5A; 158W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,5Ohm | 5,5A | 158W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnętrzny:
855 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,5Ohm | 5,5A | 158W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnętrzny:
850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,5Ohm | 5,5A | 158W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnętrzny:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,5Ohm | 5,5A | 158W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQP6N90C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 2,3Ohm | 6A | 167W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
|
FQP7P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 410mOhm | 7A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
|
FQPF20N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 70mOhm | 15,7A | 30W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
|
FQPF6N90C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF6N90C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
187 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 2,3Ohm | 6A | 56W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQPF8N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 1,55Ohm | 8A | 59W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQPF9N50CF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 850mOhm; 9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 12 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 9A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 38 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 9A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQS4903TF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 6,2Ohm; 370mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQS4903TF RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 25V | 6,2Ohm | 370mA | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQT4N20LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,4Ohm; 850mA; 2,2W; -55°C ~ 150°C; FQT4N20LTF-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT4N20LTF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,4Ohm | 850mA | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQT5P10TF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 1,05Ohm; 1A; 2W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: FQT5P10TF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 30V | 1,05Ohm | 1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT5P10TF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 30V | 1,05Ohm | 1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-12-31
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||
|
FQT5P10TF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 230mOhm | 3A | 6,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VBSEMI ELEC | |||||||||||||
|
FQT7N10LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 380mOhm; 1,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
26 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 380mOhm | 1,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQT7N10LTF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
1496000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 380mOhm | 1,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQU11P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQU11P06TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 30V | 185mOhm | 9,4A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQU17P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 135mOhm; 12A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 135mOhm | 12A | 44W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 135mOhm | 12A | 44W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQU2N100TU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N100TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 9Ohm | 1,6A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FQU2N60CTU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N60CTU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70/3570 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 1,9A | 44W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
GAN063-650WSAQ
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
|
HUF75321P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 34mOhm; 35A; 93W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75321S3S; HUF75321D3S;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF75321P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 34mOhm | 35A | 93W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75321P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 34mOhm | 35A | 93W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
HUF75332P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 19mOhm; 60A; 145W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75332S3ST;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF75332P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 19mOhm | 60A | 145W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Fairchild | ||||||||||||
|
HUF75344G3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75344G3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
48 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 8mOhm | 75A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75344G3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1166 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 8mOhm | 75A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75344G3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
330 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 8mOhm | 75A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
HUF75345P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 7mOhm | 75A | 325W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75345P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 7mOhm | 75A | 325W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75345P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 7mOhm | 75A | 325W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
HUF75645P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75645P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
42200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75645P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1419 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
HUF76423P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 38mOhm; 33A; 85W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF76423P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 38mOhm | 33A | 85W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF76423P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2345 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 38mOhm | 33A | 85W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF76423P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 38mOhm | 33A | 85W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
HUF76439S3S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 15mOhm; 75A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF76439S3ST (T&R); HUF76439P3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 15mOhm | 75A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
HY3906P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 190A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFB3306PBF; IRFB3306GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 4mOhm | 190A | 220W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | |||||||||||||