Tranzystory polowe (wyszukane: 6245)

1    33  34  35  36  37  38  39  40  41    209
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IPB072N15N3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
Symbol Micros: TIPB072n15n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPB072N15N3G RoHS || IPB072N15N3G E8187 || IPB072N15N3GATMA1 || IPB072N15N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,9200 9,0000 8,2700 7,8900 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,9200 9,0000 8,2700 7,8900 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,9200 9,0000 8,2700 7,8900 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3G E8187 Obudowa dokładna:
TO263/3  
Magazyn zewnetrzny:
3831 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,1489
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3GATMA1 Obudowa dokładna:
TO263/3  
Magazyn zewnetrzny:
12015 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3GATMA1 Obudowa dokładna:
TO263/3  
Magazyn zewnetrzny:
31000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPB090N06N3G INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 50A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB090N06N3GATMA1;
Symbol Micros: TIPB090n06n3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPB090N06N3G RoHS || IPB090N06N3GATMA1 || IPB090N06N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB090N06N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
126 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7300 2,3600 1,8600 1,7000 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB090N06N3GATMA1 Obudowa dokładna:
TO263/3  
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB090N06N3GATMA1 Obudowa dokładna:
TO263/3  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPB107N20N3G INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
Symbol Micros: TIPB107n20n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPB107N20N3G RoHS || IPB107N20N3GATMA1 || IPB107N20N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB107N20N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 21,9400 18,8700 17,6700 17,0300 16,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB107N20N3GATMA1 Obudowa dokładna:
TO263/3  
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPD090N03LG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD090N03LGATMA1; zamiennik dla IRLR8729TRPBF; IPD090N03LG; IPD090N03LG-VB; HSU3004; HSU80N03;
Symbol Micros: TIPD090n03lg info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IPD090N03LG RoHS || IPD090N03LGATMA1 || IPD090N03LG Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPD090N03LG RoHS Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7800 1,1600 0,8330 0,7290 0,6830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 13,5mOhm 40A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPD090N03LGATMA1 Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)  
Magazyn zewnetrzny:
60064 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7234
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 20V 13,5mOhm 40A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD100N06S403ATMA2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
Symbol Micros: TIPD100n06s403 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IPD100N06S403ATMA2 RoHS || IPD100N06S403ATMA2 DPAK
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPD100N06S403ATMA2 RoHS Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 17,8800 15,0500 13,3500 12,5100 12,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 60V 20V 10V 3,5mOhm 100A 150W SMD -55°C ~ 175°C TO-252-3 INFINEON
IPD50P04P4L11ATMA2 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
Symbol Micros: TIPD50p04p4l11 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IPD50P04P4L-11 RoHS || IPD50P04P4L11ATMA2 DPAK
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPD50P04P4L-11 RoHS Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,5100 3,8600 3,2800 3,0000 2,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 10V 10,6mOhm 50A 58W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
DMP3068L-7 Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R DMP3068L-13
Symbol Micros: TDMP3068L-7 Diodes info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
DMP3068L-7 RoHS || DMP3068L-7 || DMP3068L-13 || DMP3068L-7 SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
DMP3068L-7 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2880 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,4680 0,2630 0,2000 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
DMP3068L-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1872
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
DMP3068L-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
DMP3068L-13 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1859
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
IDP78CN10NG TO252-3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD78CN10NGATMA1;
Symbol Micros: TIPD78cn10n info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IPD78CN10NGATMA1 RoHS || IPD78CN10NGATMA1 || IDP78CN10NG TO252-3 TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPD78CN10NGATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7200 1,4300 1,2700 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 80mOhm 13A 31W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPD78CN10NGATMA1 Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 80mOhm 13A 31W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD90P04P4L-04 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD90P04P4L04ATMA1;
Symbol Micros: TIPD90p04p4l04 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPD90P04P4L-04 RoHS || IPD90P04P4L-04 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPD90P04P4L-04 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,8300 6,2200 5,6200 5,3200 5,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 16V 6,6mOhm 90A 125W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
IPI80N06S407AKSA2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,4mOhm; 80A; 79W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPI80N06S4-07 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPI80N06S407AKSA2 RoHS || IPI80N06S407AKSA2 TO262
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPI80N06S407AKSA2 RoHS Obudowa dokładna:
TO262
karta katalogowa
Stan magazynowy:
44 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,7600 4,0300 3,2300 3,1300 3,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,4mOhm 80A 79W THT -55°C ~ 175°C TO262 Infineon Technologies
IPN60R360PFD7S Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 705mOhm; 10A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R360PFD7SATMA1;
Symbol Micros: TIPN60r360pfd7s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS || IPN60R360PFD7SATMA1 || IPN60R360PFD7S SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 47+ 188+
cena netto (PLN) 4,2000 3,0800 2,4700 2,1300 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
47
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 705mOhm 10A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPN60R360PFD7SATMA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 705mOhm 10A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
IPN60R600P7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,145Ohm; 6A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R600P7SATMA1;
Symbol Micros: TIPN60r600p7s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPN60R600P7SATMA1 RoHS || IPN60R600PFD7SATMA1 || IPN60R600P7S SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPN60R600P7SATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 1,145mOhm 6A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPN60R600PFD7SATMA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 1,145mOhm 6A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
IPP032N06N3G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP032N06N3GXKSA1;
Symbol Micros: TIPP032n06n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPP032N06N3GXKSA1 RoHS || IPP032N06N3GXKSA1 || IPP032N06N3G TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP032N06N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 6,2700 4,3700 3,7100 3,4900 3,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP032N06N3GXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP045N10N3G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP045N10N3GXKSA1; IPP045N10N3GHKSA1;
Symbol Micros: TIPP045n10n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPP045N10N3GXKSA1 RoHS || IPP045N10N3GXKSA1 || IPP045N10N3G TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP045N10N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,2900 5,4100 4,5000 4,3500 4,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 100A 214W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP045N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
5660 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 100A 214W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP060N06N Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 45A; 83W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP060N06NAKSA1;
Symbol Micros: TIPP060n06n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPP060N06NAKSA1 RoHS || IPP060N06N TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP060N06NAKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,6600 3,9600 3,2600 3,0300 2,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 9mOhm 45A 83W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP110N20N3G Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP110N20N3GXKSA1;
Symbol Micros: TIPP110n20n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPP110N20N3G RoHS || IPP110N20N3GXKSA1 || IPP110N20N3G TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP110N20N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 16+ 64+ 192+
cena netto (PLN) 15,0800 13,1600 12,2300 11,7800 11,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
16
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP110N20N3GXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
14098 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP110N20N3GXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
20050 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Symbol Micros: TIPP50r190ce info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPP50R190CEXKSA1 RoHS || IPP50R190CEXKSA1 || IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP50R190CEXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8400 5,2200 4,3200 3,7900 3,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 20V 190mOhm 18,5A 127W THT -55°C ~ 150°C TO220 INFINEON
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP50R190CEXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
11936 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 500V 20V 190mOhm 18,5A 127W THT -55°C ~ 150°C TO220 INFINEON
IPP60R090CFD7 INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 4V; 90mOhm; 25A; 125W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP60R090CFD7XKSA1;
Symbol Micros: TIPP60r090cfd7 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPP60R090CFD7XKSA1 RoHS || IPP60R090CFD7 INFINEON TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP60R090CFD7XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 23,2400 19,6800 17,5300 16,1400 15,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 600V 4V 3,5V 90mOhm 25A 125W THT -55°C ~ 150°C TO220 INFINEON
IPP60R190C6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP06R190C6XKSA1;
Symbol Micros: TIPP60r190c6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPP60R190C6 RoHS || IPP60R190C6XKSA1 || IPP60R190C6 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP60R190C6 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 9,0600 7,1900 6,2600 6,1500 6,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
121 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,3597
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPP60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1898 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
IPS60R1K0PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 26W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R1K0PFD7SAKMA1;
Symbol Micros: TIPS60r1k0pfd7s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R1K0PFD7S TO251 (IPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,9900 2,6500 2,2000 1,9800 1,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 1,978Ohm 4,7A 26W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R210PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 386mOhm; 16A; 64W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R210PFD7SAKMA1;
Symbol Micros: TIPS60r210pfd7s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPS60R210PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R210PFD7S TO251 (IPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPS60R210PFD7SAKMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,4500 6,8800 5,9700 5,5300 5,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 386mOhm 16A 64W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R280PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R280PFD7SAKMA1;
Symbol Micros: TIPS60r280pfd7s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPS60R280PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R280PFD7S TO251 (IPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPS60R280PFD7SAKMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,9500 5,5100 4,6900 4,3100 4,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 549mOhm 12A 51W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R360PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 714mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R360PFD7SAKMA1;
Symbol Micros: TIPS60r360pfd7s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPS60R360PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R360PFD7S TO251 (IPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPS60R360PFD7SAKMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,7800 4,0500 3,4400 3,1400 3,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 714mOhm 10A 43W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R600PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R600PFD7SAKMA1;
Symbol Micros: TIPS60r600pfd7s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPS60R600PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R600PFD7S TO251 (IPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPS60R600PFD7SAKMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,9400 3,2800 2,7200 2,4500 2,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 1,219Ohm 6A 31W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPW60R041C6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R041C6FKSA1;
Symbol Micros: TIPW60r041c6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPW60R041C6 RoHS || IPW60R041C6FKSA1 || IPW60R041C6 TO 3P
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R041C6 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 81,1100 78,4300 76,4800 74,6800 73,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 96mOhm 77,5A 481W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R041C6FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
227 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 73,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 96mOhm 77,5A 481W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R041C6FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
304 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 73,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 96mOhm 77,5A 481W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R099C6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R099C6FKSA1;
Symbol Micros: TIPW60r099c6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPW60R099C6FKSA1 RoHS || IPW60R099C6FKSA1 || IPW60R099C6 TO 3P
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R099C6FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 21,5900 19,8800 18,8300 18,3000 17,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 230mOhm 37,9A 278W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R099C6FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 230mOhm 37,9A 278W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R099C6FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 230mOhm 37,9A 278W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R125P6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 293mOhm; 30A; 219W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R125P6XKSA1;
Symbol Micros: TIPW60r125p6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPW60R125P6XKSA1 RoHS || IPW60R125P6XKSA1 || IPW60R125P6 TO 3P
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R125P6XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 28,2100 23,9200 21,2900 19,9500 19,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 293mOhm 30A 219W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R125P6XKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
180 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 293mOhm 30A 219W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R160C6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R160C6FKSA1;
Symbol Micros: TIPW60r160c6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPW60R160C6FKSA1 RoHS || IPW60R160C6FKSA1 || IPW60R160C6 TO 3P
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R160C6FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 20,4000 17,1700 15,2300 14,2700 13,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 370mOhm 23,8A 176W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R160C6FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
22 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 370mOhm 23,8A 176W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R160C6FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 370mOhm 23,8A 176W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R190E6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TIPW60r190e6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPW60R190E6FKSA1 RoHS || IPW60R190E6FKSA1 || IPW60R190E6 TO 3P
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R190E6FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,4000 11,9000 10,4300 9,7100 9,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW60R190E6FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
115 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,5180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW90R120C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW90R120C3FKSA1; IPW90R120C3XKSA1;
Symbol Micros: TIPW90r120c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPW90R120C3 RoHS || IPW90R120C3XKSA1 || IPW90R120C3 TO 3P
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW90R120C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 55,5100 52,2800 51,4800 50,8900 50,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 270mOhm 36A 417W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPW90R120C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
2730 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 50,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 900V 30V 270mOhm 36A 417W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
1    33  34  35  36  37  38  39  40  41    209