Tranzystory polowe (wyszukane: 6775)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPS60R280PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R280PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 549mOhm | 12A | 51W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPS60R360PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 714mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R360PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 714mOhm | 10A | 43W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPS60R600PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R600PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,219Ohm | 6A | 31W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPW60R041C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R041C6FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 96mOhm | 77,5A | 481W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R041C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
227 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 96mOhm | 77,5A | 481W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R041C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
114 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 96mOhm | 77,5A | 481W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPW60R099C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R099C6FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 230mOhm | 37,9A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 230mOhm | 37,9A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
410 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 230mOhm | 37,9A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
580 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 230mOhm | 37,9A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPW60R125P6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 293mOhm; 30A; 219W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R125P6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 293mOhm | 30A | 219W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R125P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
660 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 293mOhm | 30A | 219W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPW60R160C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R160C6FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 370mOhm | 23,8A | 176W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R160C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
22 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 370mOhm | 23,8A | 176W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPW60R190E6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 440mOhm | 20,2A | 151W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R190E6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
106 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 440mOhm | 20,2A | 151W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IPW90R120C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW90R120C3FKSA1; IPW90R120C3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 270mOhm | 36A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW90R120C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
2640 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 270mOhm | 36A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IRF100B201 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF100B201; SP001561498;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,2mOhm | 192A | 441W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
|
IRF1010E JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF; SP001569818;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 8,5mOhm | 85A | 200W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
|
IRF1010N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 85A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
118 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 85A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IRF1010NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF1010NS RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 85A | 180W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
320 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 85A | 180W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
47200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 85A | 180W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
7200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 85A | 180W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF1010Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010ZPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 94A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF1018EPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; SP001574502;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 80A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
|
IRF1018EPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; IRF1018E;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
870 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
9100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF1018ES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1018ESPBF; IRF1018ESPBF-GURT; IRF1018ESTRLPBF; Discontinued IRF1018ESTRLPBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPB057N06NATMA1; coming soon
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IRF1104
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 9mOhm | 100A | 170W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF1310NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF; SP001553864;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 40mOhm | 30A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
|
IRF1310
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 42A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 42A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
13259 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 42A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF1312
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 95A; 210W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 10mOhm | 95A | 210W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IRF1324
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF; Discontinued IRF1324PBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 24V | 20V | 1,5mOhm | 353A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1324PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1231 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 24V | 20V | 1,5mOhm | 353A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF1324S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,65mOhm; 340A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 24V | 20V | 1,65mOhm | 340A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF1404S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404SPBF; IRF1404STRLPBF; IRF1404STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 162A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 162A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
970 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 162A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF1404ZPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 190A; 220W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404ZPBF; IRF1404ZGPBF; IRF1404ZLPBF; IRF1404Z;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
170 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 190A | 220W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 190A | 220W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 190A | 220W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF1405PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1405PBF; SP001574466;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
|
IRF1405
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1405PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 5,3mOhm | 169A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1405PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
23195 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 5,3mOhm | 169A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1405PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
237050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 5,3mOhm | 169A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1405PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2640 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 5,3mOhm | 169A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-12-31
Ilość szt.: 100
|
|||||||||||||||||||||||
|
IRF1407PBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1407PBF; SP001564238;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 120V | 20V | 7,5mOhm | 120A | 119W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1407PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1407PBF; SP001564238;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
|
IRF1407
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1407PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7,8mOhm | 130A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1407PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7,8mOhm | 130A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1407PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7,8mOhm | 130A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||