Tranzystory polowe (wyszukane: 6245)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF5210STRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5210STRLPBF; IRF5210SPBF; IRF5210STRRPBF; IRF5210SPBF-GURT; IRF5210S SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
129600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
80800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF530NS JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF530NSPBF; IRF530NSTRLPBF; IRF530NSTRRPBF; SP001551118; SP001563332; SP001554040;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF530NS RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRF530NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF530S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 14A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530SPBF; IRF530STRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF530S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF5305PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 35A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF5305PBF UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRF5305PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF5305 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1186 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4630 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
87684 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
48801 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF5305STRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305SPBF; IRF5305STRLPBF; IRF5305STRRPBF; IRF5305SPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305STRL RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2280 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
HIRF530NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 17A | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | ||||||||||||||
IRF530N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF530NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 15A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF530N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NPBF; IRF 530 N PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
861 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
58550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
59811 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF530PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 14A; 88W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF530 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
345 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4969 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF540
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP30NF10 IRF540PBF
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF540 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 28A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF540PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 28A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF540PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 28A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFI540NPBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540NPBF; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
92 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 52mOhm | 20A | 54W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI540NPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 52mOhm | 20A | 54W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI540NPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
10678 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 52mOhm | 20A | 54W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF540NL
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF540NS JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRF540NS SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | SLKOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
13 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | SLKOR | |||||||||||||
IRF540NSTRL UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 30A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | UMW | |||||||||||||
IRF540NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
119200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF540S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540STRLPBF; IRF540STRRPBF; IRF540SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF540S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 28A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF540Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26,5mOhm; 36A; 92W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/900 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 26,5mOhm | 36A | 92W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
470 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 26,5mOhm | 36A | 92W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 26,5mOhm | 36A | 92W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF5801
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 2,2Ohm; 600mA; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5801TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5801TR RoHS Obudowa dokładna: TSOT23-6 t/r |
Stan magazynowy:
98 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 2,2Ohm | 600mA | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5801TRPBF Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 2,2Ohm | 600mA | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5801TRPBF Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 2,2Ohm | 600mA | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRF5803
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5803TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 190mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5803TRPBF Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 190mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5803TRPBF Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
465000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 190mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5803TRPBF Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 190mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRF610
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,3A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF610PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF610PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/450 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF610S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,3A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF610STRLPBF; IRF610STRRPBF; IRF610SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF610S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF610STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF610SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
6200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF620PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF620PBF; IRF620;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF620 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2445 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF620S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF620STRRPBF IRF620STRLPBF
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF620S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF6217 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 150V; 20V; 2,4Ohm; 700mA; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF6217PBF; IRF6217TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 150V | 20V | 2,4Ohm | 700mA | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF630 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 400mOhm | 9A | 72W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO |