Tranzystory polowe (wyszukane: 7020)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN304P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN304P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | UMW | 2,4A | 20V | 8V | 1,1W | SMD | 100mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN306P SOT23 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | TECH PUBLIC | -2,6A | -12V | 8V | 0,45mW | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | |||||||||||||
|
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VBSEMI ELEC | 18A | -20V | 12V | 2,5W | SMD | 8,8Ohm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | |||||||||||||
|
FDN336P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN336P RoHS Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 1,3A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN336P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 1,3A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN337N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 2,2A | 30V | 8V | 500mW | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN337N Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 2,2A | 30V | 8V | 500mW | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN337N Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
513000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 2,2A | 30V | 8V | 500mW | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN338P JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 260 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | JSMICRO | 1,6A | 20V | 8V | 350mW | SMD | 210mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
740 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 740 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | JSMICRO | 1,6A | 20V | 8V | 350mW | SMD | 210mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN338P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | UMW | 2,8A | 20V | 8V | 400mW | SMD | 142mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN338P SOT23-3 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: AT2301MSA;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
809 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 809 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Huashuo Semiconductor | 3A | 20V | 12V | 1W | SMD | 140mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2191 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2191 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Huashuo Semiconductor | 3A | 20V | 12V | 1W | SMD | 140mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN358P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SuperSOT3 | Fairchild | 1,5A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 210mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN358P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
66000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SuperSOT3 | Fairchild | 1,5A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 210mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN359AN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 75mOhm; 2,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN359AN RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | Fairchild | 2,7A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN359AN Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23-3 | Fairchild | 2,7A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN360P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN360P RoHS Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SSOT3 | Fairchild | 2A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 136mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SSOT3 | Fairchild | 2A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 136mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
215300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SSOT3 | Fairchild | 2A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 136mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN5618P
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2368 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SSOT3 | ONSEMI | 10A | 4V | 60V | 20V | 500mW | SMD | 315mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SSOT3 | ONSEMI | 10A | 4V | 60V | 20V | 500mW | SMD | 315mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
|
FDP18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
67 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 18A | 500V | 30V | 235W | THT | 265mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
560 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 18A | 500V | 30V | 235W | THT | 265mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
3111 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 18A | 500V | 30V | 235W | THT | 265mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDP2532
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP2532 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 79A | 150V | 20V | 310W | THT | 48mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 79A | 150V | 20V | 310W | THT | 48mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDP42AN15A0
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 30A | 150V | 20V | 150W | THT | 107mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDP51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP51N25 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 51A | 250V | 30V | 320W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
740 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 51A | 250V | 30V | 320W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4891 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 51A | 250V | 30V | 320W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDP52N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 52A | 200V | 30V | 357W | THT | 49mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDP61N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
59 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 61A | 200V | 30V | 417W | THT | 41mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4317 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 61A | 200V | 30V | 417W | THT | 41mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDPF16N50 TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 380mOhm; 16A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
48 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Fairchild | 16A | 500V | 30V | 38,5W | THT | 380mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDPF18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDPF18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Fairchild | 18A | 500V | 30V | 38,5W | THT | 265mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDPF20N50FT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF20N50FT RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Fairchild | 20A | 500V | 30V | 38,5W | THT | 260mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDPF20N50FT Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
12950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | Fairchild | 20A | 500V | 30V | 38,5W | THT | 260mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDPF3860T
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38,2mOhm; 20A; 33,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF3860T RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Fairchild | 20A | 100V | 20V | 33,8W | THT | 38,2mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDPF3860T Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
1834 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | Fairchild | 20A | 100V | 20V | 33,8W | THT | 38,2mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS2572
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2572 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | Fairchild | 4,9A | 150V | 20V | 2,5W | SMD | 53mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDS2572 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | Fairchild | 4,9A | 150V | 20V | 2,5W | SMD | 53mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS2582 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 146mOhm; 4,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2582 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOIC08 | Fairchild | 4,1A | 150V | 20V | 2,5W | SMD | 146mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS2734
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | Fairchild | 3A | 250V | 20V | 2,5W | SMD | 225mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS3672
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3672 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
34 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | Fairchild | 7,5A | 100V | 20V | 2,5W | SMD | 43mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDS3672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
52500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | Fairchild | 7,5A | 100V | 20V | 2,5W | SMD | 43mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS3692
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3692 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | Fairchild | 4,5A | 100V | 20V | 2,5W | SMD | 122mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDS3692 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | Fairchild | 4,5A | 100V | 20V | 2,5W | SMD | 122mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS4435BZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 35mOhm; 8,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS4435BZ-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDS4435BZ RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 8,8A | 30V | 25V | 2,5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDS4435BZ Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 8,8A | 30V | 25V | 2,5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS4465
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 14mOhm; 13,5A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDS4465-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 13,5A | 20V | 8V | 2,5W | SMD | 14mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS4675
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDS4675-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 11A | 40V | 20V | 2,4W | SMD | 21mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||