Tranzystory polowe (wyszukane: 6775)

1    34  35  36  37  38  39  40  41  42    226
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
HYG013N03LS1C2 HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG013n03ls1c2 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG013N03LS1C2 RoHS || HYG013N03LS1C2 HUAYI PDFN08(6x5)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG013N03LS1C2 RoHS Obudowa dokładna:
DFN08(6x5)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7100 1,7000 1,4100 1,2600 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,8mOhm 150A 65W SMD -55°C ~ 175°C PDFN08(6x5) HUAYI
HYG023N04LS1B HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 170A; 3,5mOhm; 150W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG023n04ls1b info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG023N04LS1B RoHS || HYG023N04LS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG023N04LS1B RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1800 2,7800 2,3000 2,0700 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,5mOhm 170A 150W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) HUAYI
HYG038N03LR1C2 HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 84A; 6,6mOhm; 53W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG038n03lr1c2 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG038N03LR1C2 RoHS || HYG038N03LR1C2 HUAYI PDFN08(6x5)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG038N03LR1C2 RoHS Obudowa dokładna:
DFN08(6x5)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,7090 0,4970 0,4320 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,6mOhm 84A 53W SMD -55°C ~ 175°C PDFN08(6x5) HUAYI
HYG038N03LR1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78A; 6,3mOhm; 47W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Symbol Micros: THYG038n03lr1d info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG038N03LR1D RoHS || HYG038N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG038N03LR1D RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8610 0,6050 0,5150 0,4890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,3mOhm 78A 47W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG053N10NS1B HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG053n10ns1b info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG053N10NS1B RoHS || HYG053N10NS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG053N10NS1B RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1700 1,8000 1,6000 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 5,5mOhm 120A 187,5W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) HUAYI
HYG055N08NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG055n08ns1p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG055N08NS1P RoHS || HYG055N08NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG055N08NS1P RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,1200 3,4100 2,8200 2,5400 2,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 6,8mOhm 120A 187,5W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG060N08NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG060n08ns1p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG060N08NS1P RoHS || HYG060N08NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG060N08NS1P RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7300 3,1400 2,4300 2,3500 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 6mOhm 105A 125W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG065N03LR1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Symbol Micros: THYG065n03lr1d info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG065N03LR1D RoHS || HYG065N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG065N03LR1D RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,1600 0,7440 0,5240 0,4450 0,4230
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 10,9mOhm 55A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG065N07NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF3205PBF;
Symbol Micros: THYG065n07ns1p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG065N07NS1P RoHS || HYG065N07NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG065N07NS1P RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0200 1,5800 1,4900 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 70V 20V 6,5mOhm 100A 125W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG101N10LA1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
Symbol Micros: THYG101n10la1d info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG101N10LA1D RoHS || HYG101N10LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG101N10LA1D RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8100 1,1900 0,8520 0,7450 0,6980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 125mOhm 15A 51,7W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG170C03LR1S HUAYI Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9.5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
Symbol Micros: THYG170c03lr1s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG170C03LR1S RoHS || HYG170C03LR1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG170C03LR1S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7700 1,1600 0,8300 0,7260 0,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 19,3mOhm 9,5A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG180N10LS1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG180n10ls1d info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG180N10LS1D RoHS || HYG180N10LS1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG180N10LS1D RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,0600 0,8370 0,7890 0,7640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 30mOhm 45A 71,4W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG180N10LS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF540PBF; IRF540NPBF;
Symbol Micros: THYG180n10ls1p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG180N10LS1P RoHS || HYG180N10LS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG180N10LS1P RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7200 1,3500 1,2700 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 34mOhm 50A 93,7W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG180N10LS1S HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: THYG180n10ls1s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG180N10LS1S RoHS || HYG180N10LS1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG180N10LS1S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9400 1,1800 0,9040 0,8160 0,7760
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 26mOhm 9A 4,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 HUAYI
HYG210N06LA1S HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
Symbol Micros: THYG210n06la1s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG210N06LA1S RoHS || HYG210N06LA1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG210N06LA1S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8700 1,2300 0,8800 0,7690 0,7210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 23mOhm 9A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG210P06LQ1D HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: THYG210p06lq1d info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG210P06LQ1D RoHS || HYG210P06LQ1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG210P06LQ1D RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1300 1,2900 0,9910 0,8940 0,8510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 32mOhm 40A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG210P06LQ1P HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF4905PBF;
Symbol Micros: THYG210p06lq1p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG210P06LQ1P RoHS || HYG210P06LQ1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG210P06LQ1P RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2200 2,8100 2,3200 2,1000 2,0100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 34mOhm 45A 107W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG260P03LR1S HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
Symbol Micros: THYG260p03lr1s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG260P03LR1S RoHS || HYG260P03LR1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG260P03LR1S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,4100 0,9260 0,6650 0,5700 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 8A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG450P06LA1D HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
Symbol Micros: THYG450p06la1d info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
HYG450P06LA1D RoHS || HYG450P06LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI Symbol Producenta:
HYG450P06LA1D RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
248 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9890 0,8770 0,8470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 62mOhm 20A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
IPA045N10N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 64A; 39W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPA045n10n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA045N10N3GXKSA1 RoHS || IPA045N10N3GXKSA1 || IPA045N10N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA045N10N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,9400 5,5300 4,7400 4,2500 4,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 64A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA045N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 64A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA057N06N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,7mOhm; 60A; 38W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPA057n06n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS || IPA057N06N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4800 4,9400 4,0900 3,5900 3,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5,7mOhm 60A 38W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA075N15N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,9mOhm; 43A; 39W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPA075n15n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS || IPA075N15N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 18,7600 15,7900 14,0100 13,1200 12,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,9mOhm 43A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
IPA083N10N5XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPA083n10n5 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA083N10N5XKSA1 RoHS || IPA083N10N5XKSA1 || IPA083N10N5XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA083N10N5XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,1400 4,6800 3,8800 3,4000 3,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 11mOhm 44A 36W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA083N10N5XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
488 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 11mOhm 44A 36W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA086N10N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15,4mOhm; 45A; 37,5W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPA086n10n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA086N10N3GXKSA1 RoHS || IPA086N10N3GXKSA1 || IPA086N10N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA086N10N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0900 3,8900 3,2200 2,8200 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA086N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
2300 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA086N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
7320 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11,1mOhm; 37A; 40,5W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPA105n15n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS || IPA105N15N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 15,4700 12,7900 11,2100 10,4300 9,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 11,1mOhm 37A 40,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA180N10N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TIPA180n10n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS || IPA180N10N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,2300 4,7600 3,9400 3,4500 3,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 33mOhm 28A 30W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA50R140CP Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
Symbol Micros: TIPA50r140cp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA50R140CP RoHS || IPA50R140CPXKSA1 || IPA50R140CP TO220iso
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA50R140CP RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,6600 13,0400 12,0600 11,5700 11,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 550V 30V 320mOhm 23A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA50R140CPXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
1800 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 550V 30V 320mOhm 23A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA50R199CP Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 450mOhm; 17A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R199CPXKSA1;
Symbol Micros: TIPA50r199cp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA50R199CP RoHS || IPA50R199CP TO220iso
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA50R199CP RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 10,7000 9,2400 8,3900 7,8500 7,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 550V 30V 450mOhm 17A 139W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TIPA60r060c7 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA60R060C7XKSA1 RoHS || IPA60R060C7XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA60R060C7XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
cena netto (PLN) 26,9200 22,1100 19,4700 18,8600 18,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 115mOhm 16A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R190C6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R190C6XKSA1;
Symbol Micros: TIPA60r190c6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPA60R190C6 RoHS || IPA60R190C6XKSA1 || IPA60R190C6 TO220iso
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA60R190C6 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,7000 10,9700 9,9600 9,3100 9,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
2800 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
1316 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPA60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
142 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
1    34  35  36  37  38  39  40  41  42    226