Tranzystory polowe (wyszukane: 17)

Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
MMBF5484 Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBF5484 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBF5484 RoHS || MMBF5484 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1300 0,5980 0,4640 0,4280 0,4100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 25V 25V 5mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
2SK117 Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 300mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK117-BL;
Symbol Micros: T2SK117 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SK117 RoHS || 2SK117 TO92
Producent:
ZEHUA Symbol Producenta:
2SK117 RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
440 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,4800 1,4900 1,1400 1,0300 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 50V 14mA 300mW THT -55°C ~ 125°C TO92 ZEHUA
2SK170-BL(F) Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 20mA; 400mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
Symbol Micros: T2SK170 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SK170-BL(F) RoHS || 2SK170-BL(F) TO92
Producent:
Toshiba Symbol Producenta:
2SK170-BL(F) RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
288 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 13,6200 12,1600 11,2700 10,7000 10,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 40V 20mA 400mW THT -55°C ~ 125°C TO92 TOSHIBA
2SK209-GR Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK209-GR(TE85L,F);
Symbol Micros: T2SK209 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS || 2SK209-GR SC-59
Producent:
Toshiba Symbol Producenta:
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
430 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7340 0,5790 0,5260 0,5090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 50V 14mA 150mW SMD -55°C ~ 125°C SC-59 TOSHIBA
2SK3666-3-TB-E SOT23-3 Tranzystor N-Channel JFET; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: T2SK3666-3-tb-e info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SK3666-2-TB-E RoHS || 2SK3666-3-TB-E SOT23-3 SOT23-3
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
2SK3666-2-TB-E RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4500 0,9490 0,6800 0,5860 0,5570
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
250
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 30V 30V 200Ohm 10mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBF4391LT1G Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 30Ohm; 150mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBF4391 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBF4391LT1G RoHS || MMBF4391LT1G || MMBF4391LT1G SOT23-3
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF4391LT1G RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2555 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6080 0,4720 0,4350 0,4170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 30V 30V 30V 30Ohm 150mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF4391LT1G Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
7600 szt.
Ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4789
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 30V 30V 30V 30Ohm 150mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF4391LT1G Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 30V 30V 30V 30Ohm 150mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBF4392LT1G Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 60Ohm; 50mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBF4392 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBF4392LT1G RoHS || MMBF4392LT1G || MMBF4392LT1G SOT23-3
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF4392LT1G RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6550 0,5080 0,4690 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 30V 30V 30V 60Ohm 50mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF4392LT1G Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
1100 szt.
Ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,6794
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 30V 30V 30V 60Ohm 50mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBF5103 Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBF5103 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBF5103 RoHS 66A... || MMBF5103 || MMBF5103 SOT23-3
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF5103 RoHS 66A... Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r  
Stan magazynowy:
155 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,7090 0,4970 0,4320 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 40V 40V 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF5103 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
165000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 40V 40V 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF5103 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
5700 szt.
Ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,5117
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 40V 40V 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ111 Tranzystor N-JFET; 35V; 35V; 30Ohm; 20mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBFJ111;
Symbol Micros: TMMBFJ111 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBFJ111 RoHS || MMBFJ111 || MMBFJ111 SOT23
Producent:
Fairchild Symbol Producenta:
MMBFJ111 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1275 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8910 0,4520 0,2740 0,2170 0,1980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 35V 35V 30Ohm 20mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBFJ111 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3639
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 35V 35V 30Ohm 20mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ201 Tranzystor N-JFET; 40V; 40V; 1mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBFJ201 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBFJ201 RoHS || MMBFJ201 || MMBFJ201 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBFJ201 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2925 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,7230 0,5690 0,5270 0,5050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 40V 40V 1mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBFJ201 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
2800 szt.
Ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,5392
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 40V 40V 1mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ310 Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 60mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBFJ310LT1G; MMBFJ310LT3G;
Symbol Micros: TMMBFJ310 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBFJ310LT1G RoHS || MMBFJ310 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBFJ310LT1G RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
6140 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3900 0,7680 0,6040 0,5590 0,5360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 25V 25V 60mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
J111 N-JFET 50mA 35V 625mW
Symbol Micros: TJ111 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
J111 || J111 TO92
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
J111 Obudowa dokładna:
TO92  
Magazyn zewnętrzny:
5900 szt.
Ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4274
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET
MMBF5457 N-JFET 10mA 25V 350mW
Symbol Micros: TMMBF5457 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBF5457 || MMBF5457 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF5457 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4261
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET
MMBFJ113 Tranzystor N-JFET; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBFJ113 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBFJ113 || MMBFJ113 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBFJ113 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,2255
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 35V 35V 100Ohm 2mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ309 Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 30mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBFJ309LT1G;
Symbol Micros: TMMBFJ309 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBFJ309LT1G || MMBFJ309 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBFJ309LT1G Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3235
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-JFET 25V 25V 30mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
2N4393 N-JFET 30mA 40V 350mW
Symbol Micros: T2N4393 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N4393 TO 18
  N-JFET
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
J113 N-JFET 50mA 35V 625mW
Symbol Micros: TJ113 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
J113 TO92
  N-JFET
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.

Wybrane produkty