Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6484)

1    34  35  36  37  38  39  40  41  42    217
Produkt Warenkorb
Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
IPD090N03LG Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13,5 mOhm; 40A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD090N03LGATMA1;
Micros Symbol: TIPD090n03lg Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
IPD090N03LG RoHS || IPD090N03LGATMA1 || IPD090N03LG Infineon TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD090N03LG RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4180 0,2724 0,1956 0,1712 0,1604
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 13,5mOhm 40A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD090N03LGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
40064 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1701
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 20V 13,5mOhm 40A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD100N06S403ATMA2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,5 mOhm; 100A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
Micros Symbol: TIPD100n06s403 Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
IPD100N06S403ATMA2 RoHS || IPD100N06S403ATMA2 DPAK
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD100N06S403ATMA2 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,1989 3,5343 3,1351 2,9378 2,8180
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
MOSFET 60V 20V 10V 3,5mOhm 100A 150W SMD -55°C ~ 175°C TO-252-3 INFINEON
IPD50P04P4L11ATMA2 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 10,6 mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Äquivalent: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
Micros Symbol: TIPD50p04p4l11 Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
IPD50P04P4L-11 RoHS || IPD50P04P4L11ATMA2 || IPD50P04P4L11ATMA2 DPAK
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD50P04P4L-11 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2939 0,9065 0,7703 0,7045 0,6810
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 10V 10,6mOhm 50A 58W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD50P04P4L11ATMA2 Präzisionsgehäuse:
DPAK  
Externes Lager:
92500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6810
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 40V 10V 10,6mOhm 50A 58W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
DMP3068L-7 Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R DMP3068L-13
Micros Symbol: TDMP3068L-7 Diodes Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
DMP3068L-7 RoHS || DMP3068L-13 || DMP3068L-7 || DMP3068L-7 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMP3068L-7 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2880 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2313 0,1099 0,0618 0,0470 0,0420
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMP3068L-13 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0445
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMP3068L-7 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0448
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMP3068L-13 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0437
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET -30V 12V 72mOhm -3,9A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES/ZETEX
IDP78CN10NG TO252-3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD78CN10NGATMA1;
Micros Symbol: TIPD78cn10n Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
IPD78CN10NGATMA1 RoHS || IPD78CN10NGATMA1 || IDP78CN10NG TO252-3 TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD78CN10NGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
Datenblatt
Auf Lager:
55 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6434 0,4039 0,3358 0,2982 0,2795
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 80mOhm 13A 31W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD78CN10NGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2795
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 80mOhm 13A 31W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD90P04P4L-04 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 6,6 mOhm; 90A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD90P04P4L04ATMA1;
Micros Symbol: TIPD90p04p4l04 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPD90P04P4L-04 RoHS || IPD90P04P4L-04 TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD90P04P4L-04 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8388 1,4607 1,3198 1,2493 1,2258
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 16V 6,6mOhm 90A 125W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
IPI80N06S407AKSA2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,4 mOhm; 80A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPI80N06S4-07 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPI80N06S407AKSA2 RoHS || IPI80N06S407AKSA2 TO262
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPI80N06S407AKSA2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO262
Datenblatt
Auf Lager:
44 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3527 0,9464 0,7585 0,7350 0,7116
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,4mOhm 80A 79W THT -55°C ~ 175°C TO262 Infineon Technologies
IPN60R360PFD7S N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 705 mOhm; 10A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R360PFD7SATMA1;
Micros Symbol: TIPN60r360pfd7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS || IPN60R360PFD7S SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 47+ 188+
Preis netto (EUR) 0,9863 0,7233 0,5800 0,5002 0,4697
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
47
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 705mOhm 10A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
IPN60R600P7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,145 Ohm; 6A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R600P7SATMA1;
Micros Symbol: TIPN60r600p7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPN60R600P7SATMA1 RoHS || IPN60R600PFD7SATMA1 || IPN60R600P7SATMA1 || IPN60R600P7S SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPN60R600P7SATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1343 0,7538 0,6247 0,5636 0,5401
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 1,145mOhm 6A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPN60R600PFD7SATMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5401
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 1,145mOhm 6A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPN60R600P7SATMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5401
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 1,145mOhm 6A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
IPP032N06N3G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,2 mOhm; 120A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP032N06N3GXKSA1;
Micros Symbol: TIPP032n06n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPP032N06N3GXKSA1 RoHS || IPP032N06N3GXKSA1 || IPP032N06N3G TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP032N06N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Preis netto (EUR) 1,4724 1,0262 0,8712 0,8196 0,7750
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/250
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP032N06N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
747 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7750
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP045N10N3G N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,7 mOhm; 100A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP045N10N3GXKSA1; IPP045N10N3GHKSA1;
Micros Symbol: TIPP045n10n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPP045N10N3GXKSA1 RoHS || IPP045N10N3GXKSA1 || IPP045N10N3G TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP045N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7120 1,2705 1,0568 1,0215 1,0074
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/150
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 100A 214W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP045N10N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
4610 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0074
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 100A 214W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP060N06N N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9mOhm; 45A; 83W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP060N06NAKSA1;
Micros Symbol: TIPP060n06n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPP060N06NAKSA1 RoHS || IPP060N06N TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP060N06NAKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3292 0,9299 0,7656 0,7116 0,6998
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 9mOhm 45A 83W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP110N20N3G N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP110N20N3GXKSA1;
Micros Symbol: TIPP110n20n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPP110N20N3G RoHS || IPP110N20N3GXKSA1 || IPP110N20N3G TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP110N20N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 16+ 64+ 192+
Preis netto (EUR) 3,5413 3,0904 2,8720 2,7664 2,7241
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
16
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP110N20N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
11648 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,7241
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Micros Symbol: TIPP50r190ce Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPP50R190CEXKSA1 RoHS || IPP50R190CEXKSA1 || IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP50R190CEXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6063 1,2258 1,0145 0,8900 0,8454
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 500V 20V 190mOhm 18,5A 127W THT -55°C ~ 150°C TO220 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP50R190CEXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
5226 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8454
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 500V 20V 190mOhm 18,5A 127W THT -55°C ~ 150°C TO220 INFINEON
IPP60R090CFD7 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 4V; 90mOhm; 25A; 125 W; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPP60R090CFD7XKSA1;
Micros Symbol: TIPP60r090cfd7 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPP60R090CFD7XKSA1 RoHS || IPP60R090CFD7 INFINEON TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP60R090CFD7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 5,4576 4,6216 4,1167 3,7902 3,6634
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
MOSFET 600V 4V 3,5V 90mOhm 25A 125W THT -55°C ~ 150°C TO220 INFINEON
IPP60R190C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPP06R190C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPP60r190c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPP60R190C6 RoHS || IPP60R190C6XKSA1 || IPP60R190C6 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP60R190C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,1276 1,6885 1,4701 1,4442 1,4184
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
121 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,4950
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
IPS60R1K0PFD7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,978 Ohm; 4,7A; 26W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPS60R1K0PFD7SAKMA1;
Micros Symbol: TIPS60r1k0pfd7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R1K0PFD7S TO251 (IPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9370 0,6223 0,5166 0,4650 0,4462
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 1,978Ohm 4,7A 26W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R210PFD7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 386 mOhm; 16A; 64W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPS60R210PFD7SAKMA1;
Micros Symbol: TIPS60r210pfd7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPS60R210PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R210PFD7S TO251 (IPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPS60R210PFD7SAKMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,9844 1,6157 1,4020 1,2986 1,2399
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 386mOhm 16A 64W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R280PFD7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 549 mOhm; 12A; 51W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPS60R280PFD7SAKMA1;
Micros Symbol: TIPS60r280pfd7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPS60R280PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R280PFD7S TO251 (IPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPS60R280PFD7SAKMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,6321 1,2939 1,1014 1,0121 0,9605
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 549mOhm 12A 51W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R360PFD7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 714 mOhm; 10A; 43W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPS60R360PFD7SAKMA1;
Micros Symbol: TIPS60r360pfd7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPS60R360PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R360PFD7S TO251 (IPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPS60R360PFD7SAKMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3573 0,9511 0,8078 0,7374 0,7139
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 714mOhm 10A 43W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPS60R600PFD7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,219 Ohm; 6A; 31W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPS60R600PFD7SAKMA1;
Micros Symbol: TIPS60r600pfd7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPS60R600PFD7SAKMA1 RoHS || IPS60R600PFD7S TO251 (IPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPS60R600PFD7SAKMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1601 0,7703 0,6388 0,5753 0,5519
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 1,219Ohm 6A 31W THT -40°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Infineon Technologies
IPW60R041C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R041C6FKSA1;
Micros Symbol: TIPW60r041c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPW60R041C6 RoHS || IPW60R041C6FKSA1 || IPW60R041C6 TO 3P
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R041C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 19,0475 18,4181 17,9602 17,5375 17,3168
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 96mOhm 77,5A 481W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R041C6FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
227 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 17,3168
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 96mOhm 77,5A 481W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R041C6FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
344 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 17,3168
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 96mOhm 77,5A 481W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R099C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 230 mOhm; 37,9A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R099C6FKSA1;
Micros Symbol: TIPW60r099c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPW60R099C6FKSA1 RoHS || IPW60R099C6FKSA1 || IPW60R099C6 TO 3P
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R099C6FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,0701 4,6685 4,4220 4,2975 4,2247
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 230mOhm 37,9A 278W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R099C6FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
170 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,2247
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 230mOhm 37,9A 278W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R099C6FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
580 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,2247
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 230mOhm 37,9A 278W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R125P6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 293 mOhm; 30A; 219W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R125P6XKSA1;
Micros Symbol: TIPW60r125p6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPW60R125P6XKSA1 RoHS || IPW60R125P6XKSA1 || IPW60R125P6 TO 3P
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R125P6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 6,6247 5,6173 4,9996 4,6850 4,5065
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 293mOhm 30A 219W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R125P6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
660 Stk.
Anzahl der Stücke 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,5065
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 293mOhm 30A 219W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R160C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 370 mOhm; 23,8A; 176W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R160C6FKSA1;
Micros Symbol: TIPW60r160c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPW60R160C6FKSA1 RoHS || IPW60R160C6FKSA1 || IPW60R160C6 TO 3P
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R160C6FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,7906 4,0321 3,5765 3,3511 3,2149
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 370mOhm 23,8A 176W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R160C6FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
22 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,2149
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 370mOhm 23,8A 176W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW60R190E6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPW60r190e6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPW60R190E6FKSA1 RoHS || IPW60R190E6FKSA1 || IPW60R190E6 TO 3P
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R190E6FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,3816 2,7945 2,4493 2,2803 2,1816
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW60R190E6FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
115 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4725
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IPW90R120C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 270 mOhm; 36A; 417W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW90R120C3FKSA1; IPW90R120C3XKSA1;
Micros Symbol: TIPW90r120c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPW90R120C3 RoHS || IPW90R120C3XKSA1 || IPW90R120C3 TO 3P
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW90R120C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 13,0357 12,2772 12,0893 11,9508 11,8498
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 30V 270mOhm 36A 417W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPW90R120C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Externes Lager:
2970 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 11,8498
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 900V 30V 270mOhm 36A 417W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
IRF100B201 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF100B201; SP001561498;
Micros Symbol: TIRF100B201 UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF100B201 RoHS || IRF100B201 UMW TO220
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
IRF100B201 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1554 0,8830 0,7303 0,6388 0,6082
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 4,2mOhm 192A 441W THT -55°C ~ 175°C TO220 UMW
IRF1010E JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF1010EPBF; SP001569818;
Micros Symbol: TIRF1010 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF1010E RoHS || IRF1010E JSMICRO TO220
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
IRF1010E RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8642 0,5472 0,4321 0,3945 0,3757
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 25V 8,5mOhm 85A 200W THT -55°C ~ 150°C TO220 JSMICRO
IRF1010N N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010NPBF;
Micros Symbol: TIRF1010n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRF1010NPBF RoHS || IRF1010NPBF || IRF1010N TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRF1010NPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 44+ 176+
Preis netto (EUR) 1,1601 0,8501 0,6810 0,5871 0,5519
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
44
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 20V 11mOhm 85A 180W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF1010NPBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
118 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2935
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 55V 20V 11mOhm 85A 180W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
1    34  35  36  37  38  39  40  41  42    217