Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6484)

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Hersteller
HYG180N10LS1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG180n10ls1d Infos
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HYG180N10LS1D RoHS || HYG180N10LS1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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85 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4485 0,2489 0,1966 0,1853 0,1794
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 30mOhm 45A 71,4W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG180N10LS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF540PBF; IRF540NPBF;
Micros Symbol: THYG180n10ls1p Infos
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HYG180N10LS1P RoHS || HYG180N10LS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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30 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6434 0,4039 0,3170 0,2982 0,2795
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 34mOhm 50A 93,7W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG180N10LS1S HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: THYG180n10ls1s Infos
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HYG180N10LS1S RoHS || HYG180N10LS1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4556 0,2771 0,2123 0,1916 0,1822
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 26mOhm 9A 4,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 HUAYI
HYG210N06LA1S HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
Micros Symbol: THYG210n06la1s Infos
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HYG210N06LA1S RoHS || HYG210N06LA1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210N06LA1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4391 0,2888 0,2067 0,1806 0,1693
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 23mOhm 9A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG210P06LQ1D HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG210p06lq1d Infos
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HYG210P06LQ1D RoHS || HYG210P06LQ1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210P06LQ1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5002 0,3029 0,2327 0,2099 0,1998
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 32mOhm 40A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG210P06LQ1P HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF4905PBF;
Micros Symbol: THYG210p06lq1p Infos
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HYG210P06LQ1P RoHS || HYG210P06LQ1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210P06LQ1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9910 0,6599 0,5448 0,4932 0,4720
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 34mOhm 45A 107W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG260P03LR1S HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
Micros Symbol: THYG260p03lr1s Infos
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HYG260P03LR1S RoHS || HYG260P03LR1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG260P03LR1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3311 0,2175 0,1562 0,1339 0,1273
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 8A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG450P06LA1D HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
Micros Symbol: THYG450p06la1d Infos
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HYG450P06LA1D RoHS || HYG450P06LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG450P06LA1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
248 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,4979 0,3006 0,2323 0,2060 0,1989
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 62mOhm 20A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
IPA045N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,7 mOhm; 64A; 39W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA045n10n3g Infos
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IPA045N10N3GXKSA1 RoHS || IPA045N10N3GXKSA1 || IPA045N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA045N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6298 1,2986 1,1131 0,9981 0,9581
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 64A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA045N10N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9581
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 64A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA057N06N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,7 mOhm; 60A; 38W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA057n06n3g Infos
Datenblatt
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IPA057N06N3GXKSA1 RoHS || IPA057N06N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5217 1,1601 0,9605 0,8431 0,8008
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 5,7mOhm 60A 38W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA075N15N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 7,9 mOhm; 43A; 39W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA075n15n3g Infos
Datenblatt
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IPA075N15N3GXKSA1 RoHS || IPA075N15N3GXKSA1 || IPA075N15N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,4055 3,7081 3,2900 3,0810 2,9566
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,9mOhm 43A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA075N15N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,9566
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 150V 20V 7,9mOhm 43A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
IPA083N10N5XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA083n10n5 Infos
Datenblatt
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IPA083N10N5XKSA1 RoHS || IPA083N10N5XKSA1 || IPA083N10N5XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA083N10N5XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4419 1,0990 0,9112 0,7984 0,7585
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 11mOhm 44A 36W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA083N10N5XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
494 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7585
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 11mOhm 44A 36W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA086N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15,4 mOhm; 45A; 37,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA086n10n3g Infos
Datenblatt
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IPA086N10N3GXKSA1 RoHS || IPA086N10N3GXKSA1 || IPA086N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA086N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1953 0,9135 0,7562 0,6622 0,6294
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA086N10N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
7320 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6294
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11,1 mOhm; 37A; 40,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA105n15n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS || IPA105N15N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,6329 3,0035 2,6325 2,4493 2,3437
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 11,1mOhm 37A 40,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA180N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA180n10n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS || IPA180N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4630 1,1178 0,9253 0,8102 0,7703
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 33mOhm 28A 30W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA50R140CP N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 320 mOhm; 23A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
Micros Symbol: TIPA50r140cp Infos
Datenblatt
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IPA50R140CP RoHS || IPA50R140CPXKSA1 || IPA50R140CP TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R140CP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,4427 3,0623 2,8321 2,7170 2,6489
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 550V 30V 320mOhm 23A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R140CPXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
3500 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,6489
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 550V 30V 320mOhm 23A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA50R199CP N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 450 mOhm; 17A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA50R199CPXKSA1;
Micros Symbol: TIPA50r199cp Infos
Datenblatt
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IPA50R199CP RoHS || IPA50R199CP TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R199CP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5127 2,1699 1,9703 1,8435 1,7941
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 550V 30V 450mOhm 17A 139W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TIPA60r060c7 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R060C7XKSA1 RoHS || IPA60R060C7XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R060C7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
Preis netto (EUR) 6,3218 5,1922 4,5722 4,4290 4,2998
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 115mOhm 16A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R190C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R190C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r190c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R190C6 RoHS || IPA60R190C6XKSA1 || IPA60R190C6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,9824 2,5761 2,3390 2,1863 2,1300
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
192 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1300
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
2016 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1300
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R280C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R280C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r280c6 Infos
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IPA60R280C6 RoHS || IPA60R280C6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R280C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,1887 1,7378 1,5687 1,4842 1,4583
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 660mOhm 13,8A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R280E6XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 32W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA60r280e6 Infos
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IPA60R280E6XKSA1 RoHS || IPA60R280E6XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R280E6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
33 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9891 1,5851 1,3573 1,2188 1,1695
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 660mOhm 13,8A 32W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R380P6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 889 mOhm; 10,6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R380P6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r380p6 Infos
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IPA60R380P6XKSA1 RoHS || IPA60R380P6XKSA1 || IPA60R380P6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R380P6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,2122 1,8012 1,5640 1,4489 1,3832
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 889mOhm 10,6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R380P6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3832
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 889mOhm 10,6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R950C6XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 2,22 Ohm; 4,4A; 26W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA60r950c6 Infos
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IPA60R950C6XKSA1 RoHS || IPA60R950C6XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R950C6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1742 0,8618 0,6904 0,5918 0,5589
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 2,22Ohm 4,4A 26W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA65R225C7XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 478 mOhm; 7A; 29W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA65r225c7 Infos
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IPA65R225C7XKSA1 RoHS || IPA65R225C7XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA65R225C7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,1112 1,6227 1,4419 1,3480 1,3198
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 700V 30V 478mOhm 7A 29W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA80R1K2P7 Infineon Technologies N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,7 Ohm; 4,5A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA80R1K2P7XKSA1; IPA80R1K2P7XKSA1;
Micros Symbol: TIPA80r1k2p7 Infos
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IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS || IPA80R1K2P7 Infineon Technologies TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
47 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3832 1,0568 0,8736 0,7656 0,7280
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 800V 30V 2,7Ohm 4,5A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPAN70R900P7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPAN70R900P7SXKSA1;
Micros Symbol: TIPAN70r900p7s Infos
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IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS || IPAN70R900P7S TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Preis netto (EUR) 0,8877 0,5871 0,4838 0,4509 0,4227
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Standard-Verpackung:
50/250
Menge (mehrere 1)
MOSFET 700V 10V 30V 900mOhm 6A 17W THT -40°C ~ 150°C TO220iso INFINEON
IPB010N06NATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Micros Symbol: TIPB010n06n Infos
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IPB010N06NATMA1 RoHS || IPB010N06NATMA1 || IPB010N06NATMA1 D2PAK
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB010N06NATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,3777 4,9527 4,6944 4,5605 4,4807
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 1mOhm 180A 300W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK INFINEON
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB010N06NATMA1 Präzisionsgehäuse:
D2PAK  
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,4807
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 20V 1mOhm 180A 300W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK INFINEON
IPB072N15N3G Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 7,7 mOhm; 100A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
Micros Symbol: TIPB072n15n3g Infos
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IPB072N15N3G RoHS || IPB072N15N3G E8187 || IPB072N15N3GATMA1 || IPB072N15N3G Infineon TO263/3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5644 2,1135 1,9421 1,8529 1,8317
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5644 2,1135 1,9421 1,8529 1,8317
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5644 2,1135 1,9421 1,8529 1,8317
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G E8187 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
267 Stk.
Anzahl der Stücke 104+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,3260
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
28000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,8317
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-10-31
Anzahl der Stücke: 3000
                     
IPB090N06N3G INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB090N06N3GATMA1;
Micros Symbol: TIPB090n06n3 Infos
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IPB090N06N3G RoHS || IPB090N06N3GATMA1 || IPB090N06N3G INFINEON TO263/3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB090N06N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
126 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8759 0,5542 0,4368 0,3992 0,3804
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB090N06N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3804
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPB107N20N3G INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB107N20N3GATMA1;
Micros Symbol: TIPB107n20n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPB107N20N3G RoHS || IPB107N20N3GATMA1 || IPB107N20N3G INFINEON TO263/3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB107N20N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 5,1523 4,4313 4,1495 3,9992 3,9640
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB107N20N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
24000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,9640
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
1    33  34  35  36  37  38  39  40  41    217