Tranzystory (wyszukane: 9632)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC850C JSMICRO
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JSMICRO | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC850C SHIKUES
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SHIKUES | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC850C SLKOR
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SLKOR | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC850C UMW
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | UMW | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC856 SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
580 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
693000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
588000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQPF20N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 15,7A | 30W | TO220 | Fairchild | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC856A,215
Tranzystor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRGR3B60KD2TRRP
Trans IGBT ; 600V; 20V; 7,8A; 15,6A; 52W; 3,5V~5,5V; 20nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | International Rectifier | 20nC | 52W | 7,8A | 15,6A | 3,5V ~ 5,5V | -55°C ~ 150°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
FQPF6N90C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 56W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF6N90C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
187 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3Ohm | 6A | 56W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC856B,215
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BLT1G; BC856B,215; BC856B RFG; BC856BLT3G; BC856B-7-F; BC856B,235; BC856B-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
41924 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856B,235 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4210000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856B,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4423639 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BC856B-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1998000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC856B
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B-DIO; BC856B-AU_R1_000A1; BC856B-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BC856B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC856B
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC856B-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC856B Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
212700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC856B Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
248700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC856B Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
7620 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQPF8N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
1,55Ohm | 8A | 59W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-08
Ilość szt.: 50
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC856B GALAXY
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | GALAXY | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC856B HXY MOSFET
Tranzystor PNP; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HXY MOSFET | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQPF9N50CF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 850mOhm; 9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 12 Ilość (wielokrotność 1) |
850mOhm | 9A | 44W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 38 Ilość (wielokrotność 1) |
850mOhm | 9A | 44W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BC856B SLKOR
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SLKOR | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQS4903TF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 6,2Ohm; 370mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQS4903TF RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
6,2Ohm | 370mA | 2W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BC856B UMW
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215, BC856B,235, BC856BLT1G, BC856BLT3G, BC856B RFG, BC856B-7-F, BC856B-13-F, BC856B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | UMW | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,4Ohm; 850mA; 2,2W; -55°C ~ 150°C; FQT4N20LTF-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT4N20LTF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4Ohm | 850mA | 2,2W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQT4N20LTF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,4Ohm | 850mA | 2,2W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FQT5P10TF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 1,05Ohm; 1A; 2W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: FQT5P10TF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
1,05Ohm | 1A | 2W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT5P10TF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
1,05Ohm | 1A | 2W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FQT5P10TF
SOT-223 MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: FQT5P10TF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT7N10LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 380mOhm; 1,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
26 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
380mOhm | 1,7A | 2W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
380mOhm | 1,7A | 2W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQT7N10LTF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
32000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
380mOhm | 1,7A | 2W | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FQU11P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQU11P06TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
185mOhm | 9,4A | 38W | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQU17P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 135mOhm; 12A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
135mOhm | 12A | 44W | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
135mOhm | 12A | 44W | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQU2N100TU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N100TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 1,6A | 50W | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQU2N60CTU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N60CTU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70/3570 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 1,9A | 44W | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC856BDWT1G
Tranzystor 2xPNP; 475; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BDW1T3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC856BDW1T3G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC856BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
3258000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC856BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
3330000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC856BS
Tranzystor 2xPNP; 450; 300mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BS.115; BC856BS _R1 _00001; BC856BS_ R2 _00001; BC856BS,135; BC856BS-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-88 | NXP | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 65V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC856BW SOT323 CDIL
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BDW1LTG; BC856BDW1L3G; BC856BW,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1270 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | CDIL | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C |