Tranzystory (wyszukane: 9627)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC849B SOT23 DIOTEC
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 30V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik; BC849B,215; BC849B,235; BC849BLT1G; BC849B-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIOTEC | 250mW | 450 | 300MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC849BLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 250mW | 450 | 300MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC849BLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 250mW | 450 | 300MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC849BLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 250mW | 450 | 300MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC849B
Tranzystor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC849B-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2880 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | KEXIN | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQP11N40C Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 530mOhm; 10,5A; 135W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
530mOhm | 10,5A | 135W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 400V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 48 Ilość (wielokrotność 1) |
530mOhm | 10,5A | 135W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 400V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP11N40C Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
530mOhm | 10,5A | 135W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 400V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP11N40C Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1921 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
530mOhm | 10,5A | 135W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 400V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP13N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 430mOhm; 12,5A; 170W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP13N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
27 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
430mOhm | 12,5A | 170W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC849CLT1G
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3880 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC849CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC849CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC849CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
828000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQP20N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQP20N06L RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 21A | 53W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP27P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
48 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 27A | 120W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP27P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
70mOhm | 27A | 120W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP27P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
70mOhm | 27A | 120W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP27P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
70mOhm | 27A | 120W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 54W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 2A | 54W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP30N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 32A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP30N06L RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
45mOhm | 32A | 79W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP33N10
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP33N10 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
52mOhm | 33A | 127W | TO220 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC850B NXP
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850B,215; BC850B,235;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC850B,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC850B,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC850B,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQP50N06 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FQP50N06 Onsemi;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 50A | 120W | TO220 | JSMICRO | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP50N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 52,4A; 121W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
25mOhm | 52,4A | 121W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC850BLT1 smd ONS
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850B; BC850; BC850BLT1; BC850BE6327HTSA1; BC850B-DIO; BC850B.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
29500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC850BLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC850BLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC850BLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQP5N60C FAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,5Ohm; 4,5A; 100W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 4,5A | 100W | TO220 | Fairchild | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC850CLT1G
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:BC850C-DIO; BC850CLT1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC850CLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC850CLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQP6N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,5Ohm; 5,5A; 158W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 5,5A | 158W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1995 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5Ohm | 5,5A | 158W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
850 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5Ohm | 5,5A | 158W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5Ohm | 5,5A | 158W | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC850C
Tranzystor NPN; Bipolarny; 800; 30V; 5V; 100MHz; 200mA; 250mW; -65°C~150°C; Podobny do: BC850C _R1 _00001;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BC850C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 250mW | 800 | 100MHz | 200mA | 30V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
FQP6N90C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3Ohm | 6A | 167W | TO220 | Fairchild | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC850C
Tranzystor PNP; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC850C-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 520 | 300MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 520 | 300MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 520 | 300MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC850C Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1004 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 520 | 300MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQP7P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
410mOhm | 7A | 45W | TO220 | Fairchild | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC850C JSMICRO
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JSMICRO | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC850C SHIKUES
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SHIKUES | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC850C SLKOR
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SLKOR | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC850C UMW
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | UMW | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC856 SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
580 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
693000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
588000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FQPF20N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 15,7A | 30W | TO220 | Fairchild | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC856A,215
Tranzystor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC856A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRGR3B60KD2TRRP
Trans IGBT ; 600V; 20V; 7,8A; 15,6A; 52W; 3,5V~5,5V; 20nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | International Rectifier | 20nC | 52W | 7,8A | 15,6A | 3,5V ~ 5,5V | -55°C ~ 150°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
FQPF6N90C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 56W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF6N90C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
187 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3Ohm | 6A | 56W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT |