Tranzystory (wyszukane: 9787)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB7430 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,3mOhm; 409A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7430PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
508 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/550 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3mOhm | 409A | 375W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7430PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,3mOhm | 409A | 375W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7430PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,3mOhm | 409A | 375W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB7437 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 250A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7437PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
58 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
2mOhm | 250A | 230W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7437PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1170 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2mOhm | 250A | 230W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7437PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
11367 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2mOhm | 250A | 230W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB7446 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,9mOhm; 123A; 99W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7446PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,9mOhm | 123A | 99W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7446PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,9mOhm | 123A | 99W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7446PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
39300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,9mOhm | 123A | 99W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7446PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1330 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,9mOhm | 123A | 99W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB7530
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1mOhm; 295A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7530PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/450 Ilość (wielokrotność 1) |
2,1mOhm | 295A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,1mOhm | 295A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
680 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,1mOhm | 295A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB7534PBF Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,6mOhm; 232A; 294W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
115 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
2,6mOhm | 232A | 294W | TO220AB | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,6mOhm | 232A | 294W | TO220AB | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1454 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,6mOhm | 232A | 294W | TO220AB | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
290 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,6mOhm | 232A | 294W | TO220AB | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB7537PBF International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 173A; 230W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5mOhm | 173A | 230W | TO220AB | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7537PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5mOhm | 173A | 230W | TO220AB | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7537PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
509 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5mOhm | 173A | 230W | TO220AB | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB7545PBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 6,3mOhm; 95A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48VPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7545 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
6,3mOhm | 95A | 125W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7545PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1540 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,3mOhm | 95A | 125W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7545PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
13687 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,3mOhm | 95A | 125W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 Infineon
Tranzystor NPN; 400; 240mW; 4V; 70mA; 45GHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT343 | Infineon Technologies | 240mW | 400 | 45GHz | 70mA | 4V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB9N65A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 930mOhm; 8,5A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB9N65APBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
930mOhm | 8,5A | 167W | TO220 | VISHAY | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFB9N65A Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
930mOhm | 8,5A | 167W | TO220 | VISHAY | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFQ19SH6327XTSA1
NPN 150mA 15V 900mW 5GHz BFQ19SE6327 (3dB @ 1.8GHz), BFQ19,115 (3.3dB @ 500MHz) BFQ19SH6327XTSA1; BFQ19SH6359XTMA1; SP001125294; BFQ 19S H6327; BFQ19 SMD;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
505 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
5GHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFQ19SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5GHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFQ19SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5GHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFBC20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC20PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
4,4Ohm | 2,2A | 50W | TO220 | Infineon (IRF) | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,4Ohm | 2,2A | 50W | TO220 | Infineon (IRF) | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFBC30
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 2,2Ohm; 3,6A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC30PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBC30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
281 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
2,2Ohm | 3,6A | 74W | TO220 | VISHAY | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFR181WH6327XTSA1
Tranzystor NPN; Bipolar; 140; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | INFINEON | 175W | 140 | 8GHz | 20mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR181WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | INFINEON | 175W | 140 | 8GHz | 20mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR181WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | INFINEON | 175W | 140 | 8GHz | 20mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFBC40
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 1,2Ohm; 6,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ90A; IRFBC40PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBC40PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
177 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 6,2A | 125W | TO220 | VISHAY | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8675 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,2Ohm | 6,2A | 125W | TO220 | VISHAY | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,2Ohm | 6,2A | 125W | TO220 | VISHAY | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1995 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,2Ohm | 6,2A | 125W | TO220 | VISHAY | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFR182WH6327XTSA1
Tranzystor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Odpowiednik: BFR182WH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | INFINEON | 250mW | 100 | 8GHz | 35mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR182WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | INFINEON | 250mW | 100 | 8GHz | 35mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR182WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | INFINEON | 250mW | 100 | 8GHz | 35mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1
NPN 12V 0.8A 0.58W BFR193E6327; BFR193;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT-23 | INFINEON | 580mW | 100 | 8GHz | 80mA | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR193E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1032000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT-23 | INFINEON | 580mW | 100 | 8GHz | 80mA | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR193E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT-23 | INFINEON | 580mW | 100 | 8GHz | 80mA | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR193E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT-23 | INFINEON | 580mW | 100 | 8GHz | 80mA | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFBC40LC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,2Ohm; 6,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC40LCPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBC40LC RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 6,2A | 125W | TO220 | VISHAY | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40LCPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1534 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,2Ohm | 6,2A | 125W | TO220 | VISHAY | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFR193WH6327 Infineon
Tranzystor NPN; 140; 580mW; 12V; 80mA; 8GHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFR193WE6727; BFR193WH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2680 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | Infineon Technologies | 580mW | 140 | 8GHz | 80mA | 12V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR193WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | Infineon Technologies | 580mW | 140 | 8GHz | 80mA | 12V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR193WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | Infineon Technologies | 580mW | 140 | 8GHz | 80mA | 12V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFBE20
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 6,5Ohm; 1,8A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBE20PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBE20 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
34 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
6,5Ohm | 1,8A | 54W | TO220 | VISHAY | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
475 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,5Ohm | 1,8A | 54W | TO220 | VISHAY | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFBE30
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBE30PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBE30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
58 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 4,1A | 125W | TO220 | VISHAY | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 4,1A | 125W | TO220 | VISHAY | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 4,1A | 125W | TO220 | VISHAY | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1123 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 4,1A | 125W | TO220 | VISHAY | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFBF30
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 20V; 3,7Ohm; 3,6A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBF30PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBF30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,7Ohm | 3,6A | 125W | TO220 | VISHAY | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7Ohm | 3,6A | 125W | TO220 | VISHAY | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7Ohm | 3,6A | 125W | TO220 | VISHAY | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1015 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7Ohm | 3,6A | 125W | TO220 | VISHAY | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFBG20
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG20PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
11Ohm | 1,4A | 54W | TO220 | VISHAY | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1071 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11Ohm | 1,4A | 54W | TO220 | VISHAY | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11Ohm | 1,4A | 54W | TO220 | VISHAY | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
375 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11Ohm | 1,4A | 54W | TO220 | VISHAY | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFBG30
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG30PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
93 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 3,1A | 125W | TO220 | VISHAY | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
850 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 3,1A | 125W | TO220 | VISHAY | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 3,1A | 125W | TO220 | VISHAY | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFR380FH6327 Infineon
Tranzystor NPN; 160; 380mW; 6V; 80mA; 14GHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT723 | Infineon Technologies | 380mW | 160 | 14GHz | 80mA | 6V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR380FH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
465000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT723 | Infineon Technologies | 380mW | 160 | 14GHz | 80mA | 6V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFR380FH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT723 | Infineon Technologies | 380mW | 160 | 14GHz | 80mA | 6V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFD014
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,7A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD014PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD014 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/200 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 1,7A | 1,3W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD014PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 1,7A | 1,3W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFD024
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD024PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 2,5A | 1,3W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFD110
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD110PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD110PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
540mOhm | 1A | 1,3W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFD120
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD120PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD120 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/200 Ilość (wielokrotność 1) |
270mOhm | 1,3A | 1,3W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD120PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
270mOhm | 1,3A | 1,3W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFD123
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD123PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
68 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
270mOhm | 1,3A | 1,3W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFD420
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 370mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD420PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD420 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
151 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 370mA | 1W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT |