Tranzystory (wyszukane: 9787)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFN24 Infineon
Tranzystor NPN; 40; 360mW; 250V; 200mA; 70MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFN24E6327; BFN24E6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Infineon Technologies | 360mW | 40 | 70MHz | 200mA | 250V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB11N50A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 11A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB11N50APBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
520mOhm | 11A | 170W | TO220 | VISHAY | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFB11N50APBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
520mOhm | 11A | 170W | TO220 | VISHAY | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
520mOhm | 11A | 170W | TO220 | VISHAY | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
520mOhm | 11A | 170W | TO220 | VISHAY | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1285 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
520mOhm | 11A | 170W | TO220 | VISHAY | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB260NPBF Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 56A | 380W | TO220AB | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB260NPBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1217 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 56A | 380W | TO220AB | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB260NPBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
820 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 56A | 380W | TO220AB | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB3006
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3006PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
32 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5mOhm | 270A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
440 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5mOhm | 270A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006GPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
925 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5mOhm | 270A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB3206 TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
3mOhm | 210A | 300W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB 3206 PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
92 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3mOhm | 210A | 300W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
480 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3mOhm | 210A | 300W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
24699 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3mOhm | 210A | 300W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB3207Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3207ZPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,1mOhm | 170A | 300W | TO220 | International Rectifier | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3207ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,1mOhm | 170A | 300W | TO220 | International Rectifier | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3207ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1466 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,1mOhm | 170A | 300W | TO220 | International Rectifier | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB3306
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3306PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/800 Ilość (wielokrotność 1) |
4,2mOhm | 160A | 230W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
4,2mOhm | 160A | 230W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3306PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
610 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,2mOhm | 160A | 230W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3306PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3657 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,2mOhm | 160A | 230W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFP196WH6327
Transistor NPN; Bipolar; 140; 12V; 7.5GHz; 150mA; 700mW; -65°C~150°C; Odpowiedniki: BFP196WNH6327XTSA1; BFP196WH6327XTSA1; BFP196WH6740XTSA1; BFP196WH6327; BFP196WE6327; BFP196WH6740;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT343 | INFINEON | 700mW | 140 | 7,5GHz | 700mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP196WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT343 | INFINEON | 700mW | 140 | 7,5GHz | 700mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB3607
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3607PBF; SP001551746;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
670 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 80A | 140W | TO220 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2340 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9mOhm | 80A | 140W | TO220 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
9391 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9mOhm | 80A | 140W | TO220 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB3806
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,8mOhm; 43A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3806PBF; IRFZ48PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
15,8mOhm | 43A | 71W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3806PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
430 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15,8mOhm | 43A | 71W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3806PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3440 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15,8mOhm | 43A | 71W | TO220 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFP405 smd
Tranzystor NPN; 130; 75mW; 4,5V; 25mA; 25GHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFP405FH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT343 | Infineon Technologies | 75mW | 130 | 25GHz | 25mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP405H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT343 | Infineon Technologies | 75mW | 130 | 25GHz | 25mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB4110PBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRFB4110PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
5mOhm | 180A | 240W | TO220 | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4110PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
96 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
5mOhm | 129A | 185W | TO220 | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4110 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
94 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 180A | 370W | TO220 | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4110
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 180A | 370W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
220 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,5mOhm | 180A | 370W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,5mOhm | 180A | 370W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
15648 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,5mOhm | 180A | 370W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFP420
Tranzystor NPN; 130; 210mW; 4,5V; 60mA; 25GHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFP420FH6327XTSA1; BFP420H6327XTSA1; BFP420FE6327XT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SMD-4 | Infineon Technologies | 210mW | 130 | 25GHz | 60mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP420H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SMD-4 |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SMD-4 | Infineon Technologies | 210mW | 130 | 25GHz | 60mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP420FH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SMD-4 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SMD-4 | Infineon Technologies | 210mW | 130 | 25GHz | 60mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP420FH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SMD-4 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SMD-4 | Infineon Technologies | 210mW | 130 | 25GHz | 60mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB4115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11mOhm; 104A; 380W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4115PBF; SP001565902;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4115 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 104A | 380W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4115PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
920 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 104A | 380W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4115PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3095 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 104A | 380W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4127
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 20mOhm; 76A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4127PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
38 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 76A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4127PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
440 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 76A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4127PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
13600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 76A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4127PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
11430 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 76A | 375W | TO220 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFP450H6327 Infineon
Tranzystor NPN; 130; 500mW; 4,5V; 170mA; 24GHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFP450; BFP450H6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT343 | Infineon Technologies | 500mW | 130 | 24GHz | 170mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP450H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT343 | Infineon Technologies | 500mW | 130 | 24GHz | 170mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP450H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
540000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT343 | Infineon Technologies | 500mW | 130 | 24GHz | 170mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP450H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
3100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT343 | Infineon Technologies | 500mW | 130 | 24GHz | 170mA | 4,5V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB4227PBF
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227PBF; IRFB4227PBFXKMA1; IRFB4227;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon (IRF) | N-MOSFET | -40°C ~ 175°C | THT | |||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4227PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1383 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | N-MOSFET | -40°C ~ 175°C | THT | |||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4227PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
102465 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | N-MOSFET | -40°C ~ 175°C | THT | |||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4227PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1530 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | N-MOSFET | -40°C ~ 175°C | THT | |||||||||||||||||||||||||||||||
IRFB4228
N-MOSFET; 150V; 30V; 15mOhm; 83A; 330W; -40°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4228PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
15mOhm | 83A | 330W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -40°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4228PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
890 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15mOhm | 83A | 330W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -40°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4228PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
999 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15mOhm | 83A | 330W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -40°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4310
N-MOSFET; 100V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4310PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
29 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
7mOhm | 140A | 330W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4310PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7mOhm | 140A | 330W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4332
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4332PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFB4332PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
33mOhm | 60A | 390W | TO220 | Infineon (IRF) | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4332PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
380 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
33mOhm | 60A | 390W | TO220 | Infineon (IRF) | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4332PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
228760 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
33mOhm | 60A | 390W | TO220 | Infineon (IRF) | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4332PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
16180 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
33mOhm | 60A | 390W | TO220 | Infineon (IRF) | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4410PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 96A; 250W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
74 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
10mOhm | 96A | 250W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10mOhm | 96A | 250W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
66505 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10mOhm | 96A | 250W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB4410Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9mOhm; 97A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4410ZPBF; IRFB4410ZTRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
194 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 97A | 230W | TO220 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
690 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9mOhm | 97A | 230W | TO220 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
12911 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9mOhm | 97A | 230W | TO220 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BFP540 Infineon
Tranzystor NPN; 185; 250mW; 4,5V; 80mA; 30GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFP540ESHD6327; BFP540H6327; BFP540H6327XTSA1; BFP540ESDH6327XTSA1; BFP540FESDH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT343R | Infineon Technologies | 250mW | 185 | 30GHz | 80mA | 4,5V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP540ESDH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343R |
Magazyn zewnetrzny:
993000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT343R | Infineon Technologies | 250mW | 185 | 30GHz | 80mA | 4,5V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB4710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4710PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
14mOhm | 75A | 200W | TO220 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4710PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14mOhm | 75A | 200W | TO220 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB52N15D
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 32mOhm; 60A; 320W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB52N15DPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
71 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 60A | 320W | TO220 | International Rectifier | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB52N15DPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
32mOhm | 60A | 320W | TO220 | International Rectifier | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB52N15DPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
16615 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
32mOhm | 60A | 320W | TO220 | International Rectifier | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB5620
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 72,5mOhm; 25A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB5620PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
72,5mOhm | 25A | 144W | TO220 | International Rectifier | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB5620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7284 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
72,5mOhm | 25A | 144W | TO220 | International Rectifier | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB59N10D
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 30V; 25mOhm; 59A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB59N10DPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB59N10D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
25mOhm | 59A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT |