Tranzystory polowe (wyszukane: 6300)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4425BDY-T1-E3
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 8,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4425BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 19mOhm | 8,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 49mOhm; 9A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4431CDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 49mOhm | 9A | 4,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4431CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 49mOhm | 9A | 4,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4431CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 49mOhm | 9A | 4,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4442DY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4442DY-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 7,5mOhm | 15A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4463CDY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 14mOhm; 18,6A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463CDY-E3; SI4463CDY-T1-E3; SI4463CDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463CDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 14mOhm | 18,6A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4463CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
100000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 14mOhm | 18,6A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4463CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 14mOhm | 18,6A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4463CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 14mOhm | 18,6A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4470EY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 9A; 1,85W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4470EY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13mOhm | 9A | 1,85W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4564DY-T1-GE3
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4564DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 30A | 5,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VBsemi | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4564DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 30A | 5,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VBsemi | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4564DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 30A | 5,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VBsemi | |||||||||||||
SI4686DY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 18,2A; 5,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4686DY-T1-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4686DY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 45 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 14mOhm | 18,2A | 5,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4800BDY-e3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 6,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4800BDY-T1-E3; SI4800BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4800BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 225 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 25V | 30mOhm | 6,5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4816BDY-T1-GE3TR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 22,5mOhm/16mOhm; 5,8A/8,2A; 1W/1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4816BDY-T1-E3TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4816BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
54 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 22,5mOhm | 8,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4816BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 22,5mOhm | 8,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4816BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 22,5mOhm | 8,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4835DDY SMD
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 13A; 5,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4835DDY-T1-GE3; SI4835DDY-T1-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4835DDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 30mOhm | 13A | 5,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4835DDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 30mOhm | 13A | 5,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4840BDY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4840BDY-T1-E3; SI4840BDY-E3; SI4840BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4840BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
12 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 19A | 6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4840BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 19A | 6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4840BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
6600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 19A | 6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4840BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 19A | 6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4909DY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 27mOhm | 8A | 3,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBsemi | |||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 5,8A; 2,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4936CDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 5,8A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4936CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 5,8A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4936CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 5,8A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4936CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 5,8A | 2,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4946BEY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SI4946BEY-T1-GE3; SI4946BEY-T1-E3; SI4946BEY-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4946BEY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 52mOhm | 6,5A | 3,7W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4948BEY-T1-E3 Vishay
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
145 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4948BEY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
132500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4948BEY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
25500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4948BEY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
SI5618A-TP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 1,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 240mOhm | 1,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI5618A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3822000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 240mOhm | 1,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI5618A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 240mOhm | 1,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | |||||||||||||
SI6968BEDQ
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 5,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI6968BEDQ RoHS Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r |
Stan magazynowy:
64 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 5,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 t/r | VISHAY | |||||||||||||
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 186mOhm; 10,8A; 27,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI7113ADN-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 186mOhm | 10,8A | 27,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7113ADN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 186mOhm | 10,8A | 27,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7113ADN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 186mOhm | 10,8A | 27,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
SI7137DP-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI7137DP-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 3,9mOhm | 42A | 6,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
SI7139DP smd Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 40A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7139DP-GE3; SI7139DP-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI7139DP T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SO-8 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 9mOhm | 40A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | SO-8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7139DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: SO-8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 9mOhm | 40A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | SO-8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7139DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: SO-8 |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 9mOhm | 40A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | SO-8 | VISHAY | |||||||||||||
SI7461DP-T1-E3 VISHAY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 8,6A; 1,9W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7461DP; SI7461DP-T1-E3; SI7461DP-GE3; SI7461DP-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI7461DP-GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 8,6A | 1,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7461DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 8,6A | 1,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7461DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 8,6A | 1,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7461DP-T1-E3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 8,6A | 1,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | |||||||||||||
SI7615ADN-T1-GE3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 9 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | |||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | |||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7615ADN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI7615ADN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | |||||||||||||
SI9430DY
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 20V; 90mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9430DY Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
540 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 20V | 90mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9435BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 4,1A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9435BDY-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9435BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9933CDY
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9933CDY-T1-GE3; SI9933CDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1163 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 94mOhm | 4A | 3,1W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9933CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
37500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 94mOhm | 4A | 3,1W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9933CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 94mOhm | 4A | 3,1W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9933CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 94mOhm | 4A | 3,1W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9945AEY SOP8 TECH PUBLIC
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 26mOhm; 6A; 2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 26mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
SI9945BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9945BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 72mOhm | 5,3A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9945BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 72mOhm | 5,3A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9945BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
15820 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 72mOhm | 5,3A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SIA431DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 70mOhm | 9,6A | 3,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SC70-6 | VISHAY | |||||||||||||
SIHG20N50C-E3
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 250W; -55°C ~ 150°C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 270mOhm | 20A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SIHG20N50C-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 270mOhm | 20A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 49mOhm | 48A | 278W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | Siliconix |