Tranzystory polowe (wyszukane: 6780)

1    65  66  67  68  69  70  71  72  73    226
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SI1012R-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET; 20V; 6V; 1,25Ohm; 500mA; 150mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI1012r info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI1012R-T1-GE3 RoHS || SI1012R-T1-GE3 SC75-3 (SOT416)
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI1012R-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
420 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,0600 0,8330 0,7560 0,7320
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 6V 1,25Ohm 500mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SC75-3 (SOT416) VISHAY
SI1022R-T1-GE3 VISHAY Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI1022r info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI1022R-T1-GE3 RoHS || SI1022R-T1-GE3 VISHAY SC75-3 (SOT416)
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI1022R-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,0800 0,8530 0,8050 0,7790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 330mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SC75-3 (SOT416) VISHAY
SI1555DL SC70-6 Tranzystor N/P-MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 630mOhm/1,2Ohm; 660mA/570mA; 270mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI1555dl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI1555DL-T1-GE3 RoHS || SI1555DL SC70-6 SC70-6
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI1555DL-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SC70-6
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6700 0,5190 0,4790 0,4590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 1,2Ohm 660mA 270mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 VISHAY
KSI2300DS-T1-GE3 KUU Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2300ds KUU info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
KSI2300DS-T1-GE3 RoHS || KSI2300DS-T1-GE3 KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta:
KSI2300DS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8370 0,4190 0,2500 0,2070 0,1860
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2301 JUXING Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2301 JUX info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
2301 0.485MM RoHS || SI2301 JUXING SOT23
Producent:
JUXING Symbol Producenta:
2301 0.485MM RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3580 0,1410 0,0823 0,0602 0,0550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 2,3A 400mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 JUXING
SL2301 SLKOR Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2301 SLK info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SL2301 RoHS || SL2301 SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR Symbol Producenta:
SL2301 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4500 0,2060 0,1120 0,0840 0,0750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 142mOhm 2,8A 400mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
SI2301 SOT23-3 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2301 BORN info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2301 RoHS || SI2301 SOT23-3 BORN SOT23
Producent:
BORN Symbol Producenta:
SI2301 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3890 0,2170 0,1740 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 140mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 BORN
SI2301 SOT23 HOTTECH Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2301 c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2301 RoHS || SI2301 SOT23 HOTTECH SOT23
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta:
SI2301 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
13200 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3720 0,1470 0,0856 0,0626 0,0572
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 8V 150mOhm 2,3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
SI2301 3A KUU Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2301 KUU info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2301 3A RoHS || SI2301 3A KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta:
SI2301 3A RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5720 0,2720 0,1530 0,1140 0,1040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 140mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2301 YFW2301B;
Symbol Micros: TSI2301 YFW info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YFW2301B RoHS || SI2301 SOT23t/r
Producent:
YFW Symbol Producenta:
YFW2301B RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4080 0,1610 0,0938 0,0686 0,0627
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 12V 64mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YFW
SI2301BDS Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2301bds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1.. || SI2301BDS SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1.. Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 650+
cena netto (PLN) 1,2200 0,7780 0,5430 0,4710 0,4450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
650
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 150mOhm 2,2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 115mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2301cds KUU info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta:
KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7210 0,3420 0,1930 0,1440 0,1310
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 115mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2301S SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2301s BORN info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2301S RoHS || SI2301S SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN Symbol Producenta:
SI2301S RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5830 0,2330 0,1360 0,1130 0,1060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 210mOhm 2,3A 1W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
AS2302 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Odpowiednik : SI2302;
Symbol Micros: TSI2302 ANB info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AS2302 RoHS || AS2302 SOT23
Producent:
AnBon Symbol Producenta:
AS2302 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,4870 0,1940 0,0975 0,0779 0,0749
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 20V 10V 60mOhm 3,5A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
SI2302 SOT23 BORN Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2302 BORN info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2302 RoHS || SI2302 SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN Symbol Producenta:
SI2302 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 996+ 4980+
cena netto (PLN) 0,7040 0,2820 0,1640 0,1360 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
996
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 59mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 BORN
SI2302 2.9A SOT23 KUU Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2302 KUU info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2302 2.9A RoHS || SI2302 2.9A SOT23 KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta:
SI2302 2.9A RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5720 0,2720 0,1530 0,1140 0,1040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 59mOhm 2,9A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2302CDS Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1;
Symbol Micros: TSI2302cds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2302CDS-T1-GE3 RoHS || SI2302CDS-T1-GE3 || SI2302CDS SOT23-3
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2302CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4500 0,8010 0,6300 0,5830 0,5590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 75mOhm 2,6A 710mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2302CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
1407000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6115
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 8V 75mOhm 2,6A 710mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2302CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 8V 75mOhm 2,6A 710mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 VISHAY
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; KSI2302CDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2302cds KUU info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2302CDS-T1-GE3 KUU SOT23
Producent:
KUU Symbol Producenta:
KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 5+ 40+ 250+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,2340 0,1470 0,1270 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
250
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 59mOhm 2,9A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2304BDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
Symbol Micros: TSI2304bds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2304BDS-T1-E3 Pbf L4Y0A || SI2304BDS-T1-GE3 RoHS || SI2304-TP || SI2304BDS SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304BDS-T1-E3 Pbf L4Y0A Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1700 1,2100 0,9500 0,8950 0,8670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 105mOhm 2,6A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 2,1800 1,3100 1,0300 0,9190 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 105mOhm 2,6A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
SI2304-TP Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 20V 105mOhm 2,6A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2304BDS Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB;
Symbol Micros: TSI2304bds VBS info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS || SI2304BDS SOT23
Producent:
VBsemi Symbol Producenta:
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6500 1,0800 0,7750 0,6780 0,6350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 105mOhm 2,6A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBsemi
SI2305 SOT23-3 HOTTECH Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 250mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2305 HOT info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2305 RoHS || SI2305 SOT23-3 HOTTECH SOT23-3
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta:
SI2305 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6090 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8140 0,3870 0,2180 0,1650 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 250mOhm 3,2A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 HOTTECH
SI2305-TP Tranzystor P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
Symbol Micros: TSI2305-tp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2305-TP RoHS || SI2305-TP SOT23-3
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
SI2305-TP RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6200 0,4120 0,3440 0,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 8V 8V 90mOhm 4,1A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 MCC
SI2305B-TP Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P;
Symbol Micros: TSI2305b-tp MCC info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2305B-TP RoHS || SI2305B-13P || SI2305B-TP || SI2305B-TP SOT23-3
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
SI2305B-TP RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9870 0,5460 0,3630 0,3030 0,2820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 80mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 MCC
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
SI2305B-13P Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
280000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 10V 80mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 MCC
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
SI2305B-TP Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
193500 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 10V 80mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 MCC
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
SI2305B-TP Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
1965000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 10V 80mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 MCC
KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r Podobny do: SI2305CDS-T1-GE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS; TPM20P7S3L;
Symbol Micros: TSI2305cds KUU info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU SOT23
Producent:
KUU Symbol Producenta:
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 10+ 30+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 0,8640 0,5690 0,3210 0,2030 0,1570
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 85mOhm 4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
SI2305DS Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 108mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305DS-T1-GE3; SI2305DS-T1-E3; SI2305CDS-T1; SI2305CDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2305ds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS || SI2305DS SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
141 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,7000 1,1200 0,8040 0,6880 0,6550
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 8V 8V 108mOhm 3,5A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2307CDS Vishay Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 138mOhm; 3,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2307CDS-T1-GE3; SI2307CDS-T1-BE3;
Symbol Micros: TSI2307cds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2307CDS-T1-GE3 RoHS || SI2307CDS-T1-GE3 || SI2307CDS Vishay SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2307CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2370 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3600 0,7220 0,5600 0,5170 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 138mOhm 3,5A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2307CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
354000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5123
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 138mOhm 3,5A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2307CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 138mOhm 3,5A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2308BDS Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3;
Symbol Micros: TSI2308bds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2308BDS-T1-GE3 RoHS || SI2308BDS-T1-E3 || SI2308BDS SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4200 0,7850 0,6170 0,5720 0,5480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 192mOhm 2,3A 1,66W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4200 0,7850 0,6170 0,5720 0,5480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 192mOhm 2,3A 1,66W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2308BDS-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
23185 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 192mOhm 2,3A 1,66W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2309CDS-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY;
Symbol Micros: TSI2309cds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2309CDS-T1-GE3 RoHS || SI2309CDS-T1-E3 || SI2309CDS-T1-GE3 || SI2309CDS-T1-GE3 SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2309CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
990 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,5800 1,0400 0,7470 0,6400 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,6A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2309CDS-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,6A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2309CDS-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
228000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6611
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,6A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2309CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
1374000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6611
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,6A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2312cds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2312CDS-TI-GE3 RoHS || SI2312CDS-T1-GE3 || SI2312CDS-T1-GE3 Vishay SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2312CDS-TI-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
74 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3500 1,4200 1,0900 0,9860 0,9380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 41mOhm 6A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2312CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 8V 41mOhm 6A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2312CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 8V 41mOhm 6A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2315BDS-T1-E3 Vishay Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 100mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSI2315bds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2315BDS-T1-E3 RoHS || SI2315BDS-T1-E3 || SI2315BDS-T1-E3 Vishay SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2315BDS-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4800 0,9710 0,6950 0,6080 0,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 100mOhm 3A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2315BDS-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
37561 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7685
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 12V 8V 100mOhm 3A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
1    65  66  67  68  69  70  71  72  73    226