Tranzystory polowe (wyszukane: 6780)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
P1010AT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 800mOhm; 69A; 115W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 25V | 800mOhm | 69A | 115W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | NIKO SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -20V | 12V | 180mOhm | -2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | PJSEMI | |||||||||||||
|
PMF170XP SOT323
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 1A; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
135 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 1A | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMF170XP,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 1A | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
PMGD280UN NEXPERIA
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115; PMGD280UN.115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 20V | 8V | 340mOhm | 550mA | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMGD280UN,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 20V | 20V | 8V | 340mOhm | 550mA | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
|
PMGD400UN SOT363
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 30V; 8V; 830mOhm; 710mA; 410mW; -55°C ~ 150°C; Obsolete
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: PMGD400UN RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
504 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 30V | 8V | 830mOhm | 710mA | 410mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
|
PMV160UP
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 380mOhm; 1,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV160UP.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 95 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV160UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
PMV20ENR
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
PMV213SN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 30V; 575mOhm; 1,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV213SN,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 30V | 575mOhm | 1,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
PMV30UN2R
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 160mOhm; 4,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2690 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 160mOhm | 4,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
PMV30XPEAR
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 57mOhm; 4,5A; 980mW; -55°C ~ 150°C; PMV30XPEAR PMV30XPEAR
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 57mOhm | 4,5A | 980mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
PMV32UP
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 930mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV32UP.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 73mOhm | 4A | 930mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
PMV45EN2R
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 4,1A; 1,115W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 66mOhm | 4,1A | 1,115W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
PMV65XP
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 2,8A; 833mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV65XPEAR; PMV65XP,215; PMV65XP.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 135mOhm | 2,8A | 833mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
PSMN057-200B
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 200V; 20V; 165mOhm; 39A; 250W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 200V | 20V | 165mOhm | 39A | 250W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN057-200B,118 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
9600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 200V | 20V | 165mOhm | 39A | 250W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | ||||||||||||
|
PSMN1R2-25YLC
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 25V; 20V; 2,75mOhm; 100A; 179W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
29 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 49 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 25V | 20V | 2,75mOhm | 100A | 179W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN1R2-25YLC,115 Obudowa dokładna: LFPAK |
Magazyn zewnętrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 25V | 20V | 2,75mOhm | 100A | 179W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
|
PSMN1R7-60BS NXP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 306W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN1R7-60BS.118;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,5mOhm | 120A | 306W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN1R7-60BS,118 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
23200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,5mOhm | 120A | 306W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN1R7-60BS,118 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,5mOhm | 120A | 306W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
|
PSMN2R0-25MLDX
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 25V; 20V; 5,2mOhm; 70A; 74W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 25V | 20V | 5,2mOhm | 70A | 74W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
|
PSMN4R0-40YS
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 40V; 20V; 8mOhm; 100A; 106W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN4R0-40YS,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 8mOhm | 100A | 106W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN4R0-40YS,115 Obudowa dokładna: LFPAK |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 8mOhm | 100A | 106W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
|
PV563BA
Tranzystor P-Channel MOSFET; -40V; 25V; 17mOhm; -9,5A; 3W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -40V | 25V | 17mOhm | -9,5A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | NIKO SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
R6004KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,36Ohm; 4A; 40W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,36Ohm | 4A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | |||||||||||||
|
R6007KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,2Ohm; 7A; 46W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,2Ohm | 7A | 46W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | |||||||||||||
|
R6011KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 720mOhm; 11A; 53W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 720mOhm | 11A | 53W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | |||||||||||||
|
RD02LUS2
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 2,2A; 15,6W; -40°C ~ 125°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 10V | 2,2A | 15,6W | SMD | -40°C ~ 125°C | SOT89 | Mitsubishi Electric | ||||||||||||||
|
RD06HVF1
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 20V; 3A; 27,8W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1970;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
71 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3A | 27,8W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220 | Mitsubishi Electric | ||||||||||||||
|
RD3G03BATTL1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 19,1mOhm | 35A | 56W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | ROHM | |||||||||||||
|
RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 105mOhm | 17,5A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) t/r | ROHM | |||||||||||||
|
RE1C002UNTCL
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 4,8Ohm; 200mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; SC-89, SOT-490
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 4,8Ohm | 200mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT416FL | ROHM | |||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: RE1C002UNTCL Obudowa dokładna: SOT416FL |
Magazyn zewnętrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 4,8Ohm | 200mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT416FL | ROHM | |||||||||||||
|
RFD14N05LSM
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: RFD14N05LSM9A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05LSM RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05LSM9A Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
47500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05LSM9A Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05LSM Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
1350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
RFD3055LE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 107mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: RFD3055LESM9A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD3055LE RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 107mOhm | 11A | 38W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
RFP12N10L
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 10V; 200mOhm; 12A; 60W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP12N10L RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP12N10L Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP12N10L Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
390 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP12N10L Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2916 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||