Tranzystory polowe (wyszukane: 6780)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RFP50N06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
63 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 22mOhm | 50A | 131W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP50N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 22mOhm | 50A | 131W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
RFP70N06
N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP70N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 14mOhm | 70A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP70N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
5650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 14mOhm | 70A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP70N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 14mOhm | 70A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
RJP020N06T100 ROHM
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 12V; 300mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
82 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 12V | 300mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | ROHM | |||||||||||||
|
RQ3E180AJTB
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 5,8mOhm; 30A; 30W; -55°C ~ 150°C; 8-PowerVDFN
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 5,8mOhm | 30A | 30W | SMD | -55°C ~ 150°C | SMT | ROHM | |||||||||||||
|
RQ6E035ATTCR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 3,5A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ROHM | |||||||||||||
|
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 45mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | ROHM | |||||||||||||
|
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 70mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 150°C; TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 120 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 70mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ROHM | |||||||||||||
|
JMTG030P02A JIEJIE
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 5,7mOhm; 85A; 33W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMTG030P02A RoHS Obudowa dokładna: PDFN08(6x5) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 5,7mOhm | 85A | 33W | SMD | -55°C ~ 150°C | PDFN08(6x5) | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
|
SCT2450KEC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 22V; 585mOhm; 10A; 85W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT2450KEC: Rohm;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1200V | 22V | 585mOhm | 10A | 85W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
SCT3060ALGC11
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 22V; 78mOhm; 39A; 165W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3060ALGC11: Rohm;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 22V | 78mOhm | 39A | 165W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
SCT3080ALGC11
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 22V; 104mOhm; 30A; 134W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3080ALGC11: Rohm;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 22V | 104mOhm | 30A | 134W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
SCT3080KLGC11
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 22V; 104mOhm; 31A; 165W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3080KLGC11: Rohm;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1200V | 22V | 104mOhm | 31A | 165W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT3080KLGC11 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1200V | 22V | 104mOhm | 31A | 165W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT3080KLGC11 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
299 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1200V | 22V | 104mOhm | 31A | 165W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
SCT3160KLGC11
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 22V; 208mOhm; 17A; 103W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3160KLGC11: Rohm;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1200V | 22V | 208mOhm | 17A | 103W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT3160KLGC11 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1200V | 22V | 208mOhm | 17A | 103W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ROHM | |||||||||||||
|
SDI2085 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 15V; 12V; 45mOhm; 8,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 15V | 12V | 45mOhm | 8,5A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN06(2x2) | SHIKUES | |||||||||||||
|
SDI3068 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 6,8A; 2,01W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 6,8A | 2,01W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN06(2x2) | SHIKUES | |||||||||||||
|
SDV3078 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,8A; 2,01W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 30mOhm | 7,8A | 2,01W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN06(2x2) | SHIKUES | |||||||||||||
|
SDW2065 SHIKUES
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1,78W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
120 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 45mOhm | 6,5A | 1,78W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN06(2x2) | SHIKUES | |||||||||||||
|
SDW3045 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 4,5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 4,5A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN06(2x2) | SHIKUES | |||||||||||||
|
SH8JB5
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JB5TB1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 16V | 15,3mOhm | 8,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ROHM | |||||||||||||
|
SH8JC5TB1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JC5TB1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 32mOhm | 7,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ROHM | |||||||||||||
|
SI1012R-T1-GE3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 6V; 1,25Ohm; 500mA; 150mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
420 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 6V | 1,25Ohm | 500mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC75-3 (SOT416) | VISHAY | |||||||||||||
|
SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5Ohm | 330mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC75-3 (SOT416) | VISHAY | |||||||||||||
|
SI1555DL SC70-6
Tranzystor N/P-MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 630mOhm/1,2Ohm; 660mA/570mA; 270mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 1,2Ohm | 660mA | 270mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | VISHAY | |||||||||||||
|
KSI2300DS-T1-GE3 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KSI2300DS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||||||||||||
|
SI2301 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 2,3A | 400mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
SL2301 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 142mOhm | 2,8A | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
|
SI2301 SOT23-3 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 140mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | BORN | |||||||||||||
|
SI2301 SOT23 HOTTECH
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
13200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 150mOhm | 2,3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | |||||||||||||
|
SI2301 3A KUU
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: SI2301 3A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
|
SI2301
YFW2301B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW2301B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 64mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YFW | |||||||||||||