Tranzystory polowe (wyszukane: 6300)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2305DS
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 108mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305DS-T1-GE3; SI2305DS-T1-E3; SI2305CDS-T1; SI2305CDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
151 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 8V | 8V | 108mOhm | 3,5A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2307CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 138mOhm; 3,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2307CDS-T1-GE3; SI2307CDS-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2470 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 138mOhm | 3,5A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2307CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
402000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 138mOhm | 3,5A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2308BDS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 192mOhm | 2,3A | 1,66W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2308BDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
102732 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 192mOhm | 2,3A | 1,66W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2308BDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
26415 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 192mOhm | 2,3A | 1,66W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2309CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1490 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 450mOhm | 1,6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2309CDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 450mOhm | 1,6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2309CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 450mOhm | 1,6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2309CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1233000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 450mOhm | 1,6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2312CDS-T1-GE3 Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
74 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 41mOhm | 6A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2312CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 41mOhm | 6A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2315BDS-T1-E3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 100mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 100mOhm | 3A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2315BDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
64011 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 100mOhm | 3A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2318DS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2318DS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 58mOhm | 3A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2323DS-T1-E3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 68mOhm; 3,7A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2323DS-T1-GE3; SI2323DS-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 68mOhm | 3,7A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | VISHAY | |||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 68mOhm | 3,7A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2323DS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3646 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 68mOhm | 3,7A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | VISHAY | |||||||||||||
SI2333-TP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 28mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI2333-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
303000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 28mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI2333-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1944000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 28mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
SI2333 SOT23 BORN
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 59mOhm; 5,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 59mOhm | 5,1A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | BORN | |||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 452 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 59mOhm | 5,1A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | BORN | |||||||||||||
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2700 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 150mOhm | 6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 150mOhm | 6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2333DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 150mOhm | 6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2333DS-T1-E3
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 59mOhm; 4,1A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2333DS-T1-BE3; SI2333DS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
141 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 59mOhm | 4,1A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2337DS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 80V; 20V; 303mOhm; 2,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2337DS-T1-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 80V | 20V | 303mOhm | 2,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
KSI2343CDS-T1-GE3 KUU
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 110mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KSI2343CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 110mOhm | 4,1A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
SI2343DS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 86mOhm; 3,1A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2343DS-T1-GE3; SI2343DS-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 86mOhm | 3,1A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2374DS-T1-GE3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 5,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 41mOhm | 5,9A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2374DS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 41mOhm | 5,9A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2374DS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 41mOhm | 5,9A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | VISHAY | |||||||||||||
SI3400A-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 45mOhm; 5,8A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2700 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 45mOhm | 5,8A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI3400A-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
261000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 45mOhm | 5,8A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
SI3407-TP-HF
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 4.1A; 1,3W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 60mOhm | 4,1A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | |||||||||||||
SI3420A-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 35mOhm; 6A; 1,25W; -55°C~150°C; (podobny do SI3420A-13P)
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 35mOhm | 6A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | |||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI3420A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
94450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 10V | 35mOhm | 6A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | |||||||||||||
SI3440DV-T1-GE3
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 1,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI3440DV-T1-GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
233440 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 1,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | |||||||||||||
SI3441BDV-T1-E3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 2,45A; 860mW; -55°C ~ 150°C; obsolete
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 130mOhm | 2,45A | 860mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | |||||||||||||
SI3459BDV-T1-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI3459BDV-T1-GE3 RoHS AS.. Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 288mOhm | 2,9A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI3459BDV-T1-GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 288mOhm | 2,9A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI3459BDV-T1-GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 288mOhm | 2,9A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | |||||||||||||
SI3586DV-T1-E3 Vishay
Tranzystor N/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 8V | 220mOhm | 2,9A | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | |||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4410BDY-T1-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 17mOhm | 14A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
275000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 17mOhm | 14A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 17mOhm | 14A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 17mOhm | 14A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 25V; 33mOhm; 12A; 5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 25V | 33mOhm | 12A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
27500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 25V | 33mOhm | 12A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 25V | 33mOhm | 12A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 25V | 33mOhm | 12A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4286DY
Tranzystor 2xN-MOSFET; 40V; 20V; 40mOhm; 7A; 2,9W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4286DY-T1-GE3; SI4286DY-T1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4286DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 40mOhm | 7A | 2,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4401BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4401BDY-T1-E3; SI4401BDY-E3; SI4401BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4401BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
47 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 21mOhm | 8,7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4401BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4026 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 21mOhm | 8,7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 16,1A; 6,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4401DDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4401DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 16,1A | 6,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4401DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
4200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 16,1A | 6,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4403BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 7,3A | 1,35W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 7,3A | 1,35W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4420BDY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4420BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 9,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4420BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 9,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY |