Tranzystory polowe (wyszukane: 6780)

1    68  69  70  71  72  73  74  75  76    226
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SK3414 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3414;
Symbol Micros: TSK3414 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SK3414 RoHS || SK3414 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SK3414 RoHS Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
270 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8970 0,4240 0,2370 0,1800 0,1630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 60mOhm 4,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SC59 SHIKUES
SKML2502 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
Symbol Micros: TSKML2502 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SKML2502 RoHS || SKML2502 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKML2502 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2480 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8470 0,4020 0,2260 0,1720 0,1540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 55mOhm 4,5A SMD -50°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
SKML6401 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Symbol Micros: TSKML6401 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SKML6401 RoHS || SKML6401 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKML6401 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7540 0,3010 0,1750 0,1460 0,1370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 16V 8V 140mOhm 3A SMD 25°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
SKQ55P02AD SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 15mOhm; 55A; 38W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSKQ55P02ad info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SKQ55P02AD RoHS || SKQ55P02AD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKQ55P02AD RoHS Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,6700 0,4700 0,4080 0,3820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 15mOhm 55A 38W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3.3x3.3) SHIKUES
SMP5116 Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
Symbol Micros: TSMP5116 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SMP5116 RoHS || SMP5116 SOT23
Producent:
INTERFET Symbol Producenta:
SMP5116 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 110+
cena netto (PLN) 13,5100 12,0200 11,1200 10,6700 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET -15V 30V -25mA SMD SOT23 InterFET
SPA07N60C3 Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1
Symbol Micros: TSPA07n60c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPA07N60C3XKSA1 RoHS || SPA07N60C3XKSA1 || SPA07N60C3 TO220iso
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA07N60C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,1400 5,6900 4,8700 4,3800 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 600mOhm 7,3A 32W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA07N60C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
221 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 600mOhm 7,3A 32W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA07N60C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
2050 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 600mOhm 7,3A 32W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon
SPA11N80C3 Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
Symbol Micros: TSPA11n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPA11N80C3XKSA1 RoHS || SPA11N80C3XKSA1 || SPA11N80C3 TO220iso
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 18,5800 15,7300 14,0100 12,9000 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
560 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
2650 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
SPB17N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPB17N80C3ATMA1;
Symbol Micros: TSPB17n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPB17N80C3 RoHS || SPB17N80C3ATMA1 || SPB17N80C3 TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPB17N80C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,7800 11,8500 11,0900 10,6900 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 670mOhm 17A 227W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPB17N80C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
13000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 670mOhm 17A 227W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Infineon Technologies
SPD06N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
Symbol Micros: TSPD06n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD06N80C3ATMA1 RoHS || SPD06N80C3 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD06N80C3ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,3800 13,7900 12,2300 11,4600 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD07N60C3 Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1;
Symbol Micros: TSPD07n60c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD07N60C3 RoHS || SPD07N60C3ATMA1 || SPD07N60C3 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD07N60C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,8100 3,3700 2,8600 2,6200 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 1,46Ohm 7,3A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD07N60C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 1,46Ohm 7,3A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD07N60C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 1,46Ohm 7,3A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD09P06PL G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD09P06PLGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD09p06pl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS || SPD09P06PLGBTMA1 || SPD09P06PL G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 400mOhm 9,7A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 400mOhm 9,7A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 400mOhm 9,7A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD15P10PL G Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD15P10PLGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD15p10pl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD15P10PLGBTMA1 RoHS || SPD15P10PLGBTMA1 || SPD15P10PL G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,9100 5,8600 5,1300 4,7600 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 270mOhm 15A 128W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 100V 20V 270mOhm 15A 128W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 100V 20V 270mOhm 15A 128W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD18P06P G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD18P06PGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD18p06p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD18P06PG RoHS || SPD18P06PGBTMA1 || SPD18P06P G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD18P06PG RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
31 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,3900 3,2200 2,5800 2,2200 2,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,6A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD18P06PGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
22500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,6A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD18P06PGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
55000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,6A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD30P06P G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD30P06PGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD30p06p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD30P06PGBTMA1 RoHS || SPD30P06PGBTMA1 || SPD30P06P G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD30P06PGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0700 3,8700 3,2000 2,8100 2,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 75mOhm 30A 125W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD30P06PGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
124000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 75mOhm 30A 125W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPD50P03L G Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD50P03LGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD50p03l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD50P03LGBTMA1 RoHS || SPD50P03LGBTMA1 || SPD50P03L G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD50P03LGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 9+ 27+ 81+
cena netto (PLN) 8,1400 6,4400 5,5300 5,0500 4,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
9
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 12,5mOhm 50A 150W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD50P03LGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 12,5mOhm 50A 150W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
SPP04N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP04N80C3XKSA1;
Symbol Micros: TSPP04n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP04N80C3XKSA1 RoHS || SPP04N80C3XKSA1 || SPP04N80C3 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP04N80C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6800 4,3400 3,5900 3,1500 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 3Ohm 4A 63W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP04N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
4478 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 3Ohm 4A 63W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP06N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP06N80C3XKSA1;
Symbol Micros: TSPP06N80C3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP06N80C3 RoHS || SPP06N80C3XKSA1 || SPP06N80C3 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP06N80C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,5400 4,9900 4,1300 3,6200 3,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP06N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
63 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6095
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP06N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
3713 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP08N80C3 Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,5Ohm; 8A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP02N80C3XKSA1;
Symbol Micros: TSPP08N80C3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP08N80C3 RoHS || SPP08N80C3XKSA1 || SPP08N80C3 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP08N80C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,7400 6,4900 5,7700 5,3300 5,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 1,5Ohm 8A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1082 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 1,5Ohm 8A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP11N80C3XKSA1 Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSPP11n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP11N80C3XKSA1 RoHS || SPP11N80C3XKSA1 || SPP11N80C3XKSA1 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP11N80C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 15,9000 13,4600 11,9900 11,0400 10,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 156W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP11N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
4792 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 800V 20V 1,05Ohm 11A 156W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP18P06P Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,7A; 81,1W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPP18P06PH; SPP18P06PHXKSA1;
Symbol Micros: TSPP18p06p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP18P06PHXKSA1 RoHS || SPP18P06PHXKSA1 || SPP18P06P TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP18P06PHXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,9700 2,9100 2,3400 2,0000 1,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,7A 81,1W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP18P06PHXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
526 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,7A 81,1W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP18P06PHXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1570 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1834
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 18,7A 81,1W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
SPP20N60S5 Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 430mOhm; 20A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60S5HKSA1; SPP20N60S5XKSA1;
Symbol Micros: TSPP20n60s5 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP20N60S5XKSA1 RoHS || SPP20N60S5XKSA1 || SPP20N60S5 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP20N60S5XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
39 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 31,6100 26,8300 23,9000 21,9600 21,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 430mOhm 20A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP20N60S5XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
612 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 21,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 430mOhm 20A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP20N60S5XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
9785 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 21,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 430mOhm 20A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP20N65C3XKSA1 Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N65C3HKSA1;
Symbol Micros: TSPP20n65c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP20N65C3XKSA1 RoHS || SPP20N65C3XKSA1 || SPP20N65C3XKSA1 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP20N65C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 16,7300 14,1600 12,6200 11,6200 11,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 430mOhm 20,7A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP20N65C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
55 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,8391
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 430mOhm 20,7A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP20N65C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
150 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 430mOhm 20,7A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP24N60C3 Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1;
Symbol Micros: TSPP24n60c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP24N60C3 RoHS || SPP24N60C3 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP24N60C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 13,7200 12,2400 11,3500 10,7700 10,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 340mOhm 24,3A 240W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
SPP80P06PHXKSA1 Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 80A; 340W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TSPP80p06ph info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP80P06PHXKSA1 RoHS || SPP80P06PHXKSA1 || SPP80P06PHXKSA1 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP80P06PHXKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 17,5800 14,8800 13,2600 12,2100 11,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 23mOhm 80A 340W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP80P06PHXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2367 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 23mOhm 80A 340W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP80P06PHXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2819 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 23mOhm 80A 340W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
SPW20N60S5 Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 430mOhm; 20A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPW20N60S5FKSA1;
Symbol Micros: TSPW20n60s5 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPW20N60S5FKSA1 RoHS || SPW20N60S5 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPW20N60S5FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
77 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 32,4700 27,5300 24,5100 22,9700 22,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 430mOhm 20A 208W THT -55°C ~ 150°C TO247 Infineon Technologies
SPW32N50C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPW32N50C3FKSA1;
Symbol Micros: TSPW32n50c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPW32N50C3 RoHS || SPW32N50C3FKSA1 || SPW32N50C3 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPW32N50C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO247  
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
cena netto (PLN) 34,7300 32,5200 31,1400 30,6400 30,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 560V 20V 270mOhm 32A 284W THT -55°C ~ 150°C TO247 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPW32N50C3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnętrzny:
9166 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 30,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 560V 20V 270mOhm 32A 284W THT -55°C ~ 150°C TO247 Infineon Technologies
SPW47N60C3 Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 160mOhm; 47A; 415W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik :STW45NM60; SPW47N60C3FKSA1;
Symbol Micros: TSPW47N60C3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPW47N60C3 RoHS || SPW47N60C3FKSA1 || SPW47N60C3 TO 3P
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPW47N60C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 60+
cena netto (PLN) 49,4400 46,9300 45,3300 44,4900 44,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 160mOhm 47A 415W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPW47N60C3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnętrzny:
32 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 44,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 160mOhm 47A 415W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPW47N60C3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO 3P  
Magazyn zewnętrzny:
8874 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 44,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 650V 20V 160mOhm 47A 415W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Infineon Technologies
SQ2309ES Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Odpowiednik: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3;
Symbol Micros: TSQ2309es info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SQ2309ES-T1-GE3 RoHS 8P.. || SQ2309ES SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SQ2309ES-T1-GE3 RoHS 8P.. Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4000 2,1400 1,7700 1,5800 1,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 60V 4V 10V 336mOhm 1,7A 2W SMD -55°C ~ 175°C SOT23 VISHAY
SQ2361AEES-T1_GE3 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3;
Symbol Micros: TSQ2361aees info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SQ2361AEES-T1_GE3 RoHS 9C.. || SQ2361AEES-T1_GE3 SOT23-3
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SQ2361AEES-T1_GE3 RoHS 9C.. Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7400 2,4900 2,0600 1,8600 1,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 10V 20V 170mOhm 2,8A 2W SMD -55°C ~ 175°C SOT23-3 VISHAY
SQ2389ES-T1_GE3 Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 188mOhm; 4,1A; 3W; -55°C ~ 175°C; SQ2389ES-T1_GE3
Symbol Micros: TSQ2389es info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SQ2389ES-T1_GE3 RoHS (A9xxx) || SQ2389ES-T1_GE3 SOT23-3
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SQ2389ES-T1_GE3 RoHS (A9xxx) Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,5200 3,0000 2,4900 2,2400 2,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 188mOhm 4,1A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOT23-3 VISHAY
1    68  69  70  71  72  73  74  75  76    226