Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)
| Produkt | Warenkorb |
Gehäuse
|
Hersteller
|
Max. Drainstrom
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Montage
|
Widerstand im offenen Kanal
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Transistor-Typ
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPW47N60C3
N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 160 mOhm; 47A; 415W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STW45NM60; SPW47N60C3FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
8 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | Infineon Technologies | 47A | 650V | 20V | 415W | THT | 160mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Externes Lager:
22 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
TO 3P | Infineon Technologies | 47A | 650V | 20V | 415W | THT | 160mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SQ2309ES
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 1,7A; 336 mOhm; 2W; -55°C~175°C; Äquivalent: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
100 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | VISHAY | 1,7A | 4V | 60V | 10V | 2W | SMD | 336mOhm | -55°C ~ 175°C | MOSFET | ||||||||||||
|
SQ2361AEES-T1_GE3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 170 mOhm; 2,8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
110 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | VISHAY | 2,8A | 10V | 60V | 20V | 2W | SMD | 170mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | ||||||||||||
|
Auf Lager:
5 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | VISHAY | 2,8A | 10V | 60V | 20V | 2W | SMD | 170mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | ||||||||||||
|
SQ2389ES-T1_GE3
P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 188 mOhm; 4.1A; 3W; -55 °C ~ 175 °C; SQ2389ES-T1_GE3
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
4 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | VISHAY | 4,1A | 40V | 20V | 3W | SMD | 188mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET-Transistor, P-Channel, 20 A, 60 V, 0,046 Ohm, 10 V, 2,5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SQD19P06-60L-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK t/r |
Auf Lager:
189 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPACK) | VISHAY | 20A | 60V | 20V | 46W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,1 mOhm; 60A; 68W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
10 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
PPAK-SO8 | VISHAY | 60A | 30V | 20V | 68W | SMD | 7,1mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SSF60R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
20 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | SUPER SEMICONDUCTOR | 20A | 600V | 30V | 34W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSF65R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 190 mOhm; 20A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
45 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | SUPER SEMICONDUCTOR | 20A | 650V | 30V | 34W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSM3J16FS(TE85L,F)
P-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 45Ohm; 100mA; 100 mW; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
200 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
SC75-3 (SOT416) | Toshiba | 100mA | 20V | 10V | 100mW | SMD | 45Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SSM3J328R
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 29,8 mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
485 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOT23F | Toshiba | 6A | 4,5V | 20V | 8V | 1W | SMD | 29,8mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
|
SSM3J332R
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
200 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
SOT23F | Toshiba | 6A | 10V | 30V | 12V | 1W | SMD | 42mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
|
SSM3J36FS,LF
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 3,6 Ohm; 330mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
200 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
SOT223 | Toshiba | 330mA | 20V | 8V | 150mW | SMD | 3,6Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SSM3K357R,LF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
101 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | Toshiba | 650mA | 60V | 12V | 1W | SMD | 2,4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSM3K72CFS Toshiba
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,1 Ohm; 170mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SSM3K72CFS,LF; SSM3K72CFS,LF(T;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
10 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 240 Menge (mehrere 1) |
SC75-3 (SOT416) | Toshiba | 170mA | 60V | 20V | 500mW | SMD | 8,1Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSM6K514NU
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 17,3 mOhm; 12A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
100 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
UDFN6B-6 | Toshiba | 12A | 40V | 20V | 2,5W | SMD | 17,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSP65R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 190 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
30 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO220 | SUPER SEMICONDUCTOR | 20A | 650V | 30V | 150W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SST60R280S2 SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 280 mOhm; 15A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
30 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPAK) | SUPER SEMICONDUCTOR | 15A | 600V | 30V | 120W | THT | 280mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 151W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
25 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
TO247 | SUPER SEMICONDUCTOR | 20A | 600V | 30V | 151W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
11 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | SUPER SEMICONDUCTOR | 47A | 600V | 30V | 391W | THT | 70mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SSW60R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
39 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | SUPER SEMICONDUCTOR | 20A | 600V | 30V | 150W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STB16NF06L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 100 mOhm; 16A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB16NF06LT4;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
15 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | 16A | 60V | 60V | 16V | 45W | SMD | 100mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
STB55NF06L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 18mOhm; 55A; 95W; -55°C~175°C; Äquivalent: STB55NF06LT4; STB55NF06L-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
91 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
TO263 (D2PAK) | ST | 55A | 60V | 16V | 95W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB55NF06LT4 Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
930 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
TO263 (D2PAK) | ST | 55A | 60V | 16V | 95W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STB6NK90ZT4
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
15 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
TO263 (D2PAK) | 5,8A | 900V | 30V | 140W | SMD | 2Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||
|
STB80NF10
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB80NF10T4;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
20 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | 80A | 100V | 20V | 300W | SMD | 15mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB80NF10T4 Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
25 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | 80A | 100V | 20V | 300W | SMD | 15mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STB9NK60Z
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STB9NK60ZT4;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
50 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5/50 Menge (mehrere 1) |
TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | 7A | 600V | 30V | 125W | SMD | 950mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STD12NF06L
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 42,8 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD12NF06LT4;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: STD12NF06LT4 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | 12A | 60V | 16V | 42,8W | SMD | 100mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STD12NF06L-1 STMicroelectronics
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
150 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 75/150 Menge (mehrere 1) |
IPAK | STMicroelectronics | 12A | 60V | 16V | 30W | THT | 100mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STD16NF06
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 70mOhm; 16A; 40W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD16NF06T4;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
50 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPAK) | STMicroelectronics | 16A | 60V | 60V | 20V | 40W | SMD | 70mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
STD17NF03L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD17NF03LT4;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
100 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPAK) | STMicroelectronics | 17A | 30V | 30V | 16V | 30W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
STD1NK60-1
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 1A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
30 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO262 (I2PAK) | STMicroelectronics | 1A | 600V | 600V | 30V | 30W | THT | 8,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||