Tranzystory (wyszukane: 9813)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 115mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
115mOhm | 3A | 1,25W | SOT23 | KUU | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT2907A-TP; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A RFG; MMBTA2907A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2907ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
5448000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2907ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
699000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2907ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1998000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2301S SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
210mOhm | 2,3A | 1W | SOT23 | BORN | 20V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F
Tranzystor PNP; 300; 150mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT523 | DIODES | 150mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT2907AT-7-F Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT523 | DIODES | 150mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT2907AT-7-F Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
174000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT523 | DIODES | 150mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AS2302
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Odpowiednik : SI2302;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 3,5A | 1W | SOT23 | AnBon | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT2907AWT1G ON Semiconductor
Tranzystor PNP; 340; 150mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
880 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 340 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2907AWT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 340 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2907AWT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 340 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2302 SOT23 BORN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 996 Ilość (wielokrotność 1) |
59mOhm | 3A | 1,25W | SOT23 | BORN | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2302 2.9A SOT23 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: SI2302 2.9A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
59mOhm | 2,9A | 1W | SOT23 | KUU | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2302CDS
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 2,6A | 710mW | SOT23-3 | VISHAY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2302CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
75mOhm | 2,6A | 710mW | SOT23-3 | VISHAY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2302CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
75mOhm | 2,6A | 710mW | SOT23-3 | VISHAY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; KSI2302CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
KUU Symbol Producenta: KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
59mOhm | 2,9A | 1W | SOT23 | KUU | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904
Tranzystor NPN; 300; 200mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBT3904,215; MMBT3904; MMBT3904 RF; MMBT3904 RFG; MMBT3904,215; MMBT3904-13-F; MMBT3904-YAN; MMBT3904.215; MMBT3904 _R1 _00001; MOSLEADER MMBT3904_R2_00001; MMBT3904-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: MMBT3904 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1030 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 200mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 200mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904-DIO; MMBT3904 RF; MMBT3904 RFG; MMBT3904LT1G; MMBT3904-FAI; MMBT3904Q-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIOTEC | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT3904T-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT3904 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT3904-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904 FAIRCHILD
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904 RF; MMBT3904-FAI; MMBT3904LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: MMBT3904 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2975 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | Fairchild | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Fairchild | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Fairchild | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
330000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Fairchild | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2304BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
105mOhm | 2,6A | 750mW | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
105mOhm | 2,6A | 750mW | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI2304-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
105mOhm | 2,6A | 750mW | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904 GALAXY
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904,215; MMBT3904-7-F; MMBT3904-13-F; MMBT3904LT1G; MMBT3904LT3G; MMBT3904-TP; MMBT3904 RFG; MMBT3904_R1_00001;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | GALAXY | 250mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2304BDS
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
105mOhm | 2,6A | 750mW | SOT23 | VBsemi | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904-1AM SOT23 MDD
Tranzystor NPN; Bipolarny; 40V; 200mW; 6V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 200mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-15
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904,215
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904T-7-F; MMBT3904T-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1090 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBT3904,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
267000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBT3904,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBT3904,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
174000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2305 SOT23-3 HOTTECH
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 250mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6090 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
250mOhm | 3,2A | 1,38W | SOT23-3 | HOTTECH | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904-7-F
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
640 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | DIODES | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT3904-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
228000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIODES | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT3904-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
345000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIODES | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT3904-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIODES | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2305B-TP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 4,2A | 1,4W | SOT23-3 | MCC | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI2305B-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
696000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 4,2A | 1,4W | SOT23-3 | MCC | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SI2305B-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 4,2A | 1,4W | SOT23-3 | MCC | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU
Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
85mOhm | 4A | 1,1W | SOT23 | KUU | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2305DS
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 108mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305DS-T1-GE3; SI2305DS-T1-E3; SI2305CDS-T1; SI2305CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
151 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 300 Ilość (wielokrotność 1) |
108mOhm | 3,5A | 1,25W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2307CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 138mOhm; 3,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2307CDS-T1-GE3; SI2307CDS-T1-BE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2470 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
138mOhm | 3,5A | 1,8W | SOT23 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2307CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
333000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
138mOhm | 3,5A | 1,8W | SOT23 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2308BDS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
192mOhm | 2,3A | 1,66W | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2308BDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
71262 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
192mOhm | 2,3A | 1,66W | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2308BDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27635 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
192mOhm | 2,3A | 1,66W | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904LT1G ONS
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBT3904,215; MMBT3904LT3G; MMBT3904LT1G; MMBT3904SL; MMBT3904LT1G-RP100;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10080 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
618000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
516000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2309CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1490 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
450mOhm | 1,6A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2309CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
948000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
450mOhm | 1,6A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2309CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
450mOhm | 1,6A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2309CDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
450mOhm | 1,6A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904T FAIRCHILD
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904T-TP; MMBT3904T-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: MMBT3904T RoHS Obudowa dokładna: SOT523 |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT523 | Fairchild | 250mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2312CDS-T1-GE3 Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
74 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
41mOhm | 6A | 2,1W | SOT23 | VISHAY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2312CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
41mOhm | 6A | 2,1W | SOT23 | VISHAY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904TT1G
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT416 =(SC-75-3) | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904TT1G Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3) |
Magazyn zewnetrzny:
276000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT416 =(SC-75-3) | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT3904TT1G Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3) |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT416 =(SC-75-3) | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C |