Tranzystory (wyszukane: 9804)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFP70N06
N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP70N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
14mOhm | 70A | 150W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP70N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
9100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14mOhm | 70A | 150W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP70N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1985 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14mOhm | 70A | 150W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
MJ11015 TO3
Tranzystor PNP; 1000; 200W; 120V; 30A; -55°C ~ 200°C; MJ11015-CDI
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: MJ11015 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/178 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 200W | 1000 | 30A | 120V | PNP | -55°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: MJ11015 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 200W | 1000 | 30A | 120V | PNP | -55°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||||
MJ11016 ONS
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 200W | 1000 | 4MHz | 30A | 120V | NPN | -55°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 39 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 200W | 1000 | 4MHz | 30A | 120V | NPN | -55°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJ11016G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 200W | 1000 | 4MHz | 30A | 120V | NPN | -55°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJ11016G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 200W | 1000 | 4MHz | 30A | 120V | NPN | -55°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJ11033G
Tranzystor PNP; 18000; 300W; 120V; 50A; -55°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: MJ11033G RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 300W | 18000 | 50A | 120V | PNP | -55°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJ15001
Tranzystor NPN; 150; 200W; 140V; 15A; 2MHz; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: MJ15001 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
157 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 200W | 150 | 2MHz | 15A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJ15003
Tranzystor NPN; 150; 250W; 140V; 20A; 2MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15003G; TMJ15003;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: MJ15003 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
89 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 250W | 150 | 2MHz | 20A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-20
Ilość szt.: 185
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ15003G
Tranzystor NPN; 150; 250W; 140V; 20A; 2MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15003G; MJ15003;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
58 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 250W | 150 | 2MHz | 20A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJ15004
Tranzystor PNP; 150; 250W; 140V; 20A; 2MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N6031; MJ15004G; MJ15004-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
SPTECH Symbol Producenta: MJ15004 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
73 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 250W | 150 | 2MHz | 20A | 140V | PNP | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJ15004G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 250W | 150 | 2MHz | 20A | 140V | PNP | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJ15011
Tranzystor NPN; 120; 200W; 250V; 10A; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CYD Symbol Producenta: MJ15011 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 200W | 120 | 10A | 250V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CYD Symbol Producenta: MJ15011 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 200W | 120 | 10A | 250V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||||
MJ15012
Tranzystor PNP; 120; 200W; 250V; 10A; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CYD Symbol Producenta: MJ15012 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 200W | 120 | 10A | 250V | PNP | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CYD Symbol Producenta: MJ15012 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 200W | 120 | 10A | 250V | PNP | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||||
MJ15016
Tranzystor PNP; 70; 180W; 120V; 15A; 18MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15025;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CYD Symbol Producenta: MJ15016 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 180W | 70 | 18MHz | 15A | 120V | PNP | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJ15022
Tranzystor NPN; 60; 250W; 200V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; China
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: MJ15022 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | Inchange Semiconductors | 250W | 60 | 4MHz | 16A | 200V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJ15024
Tranzystor NPN; 60; 250W; 250V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15024G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
59 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 250W | 60 | 4MHz | 16A | 250V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJ15024G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | 250W | 60 | 4MHz | 16A | 250V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955
Tranzystor PNP; 70; 115W; 60V; 15A; 2,5MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ2955-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
435 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | CDIL | 115W | 70 | 2,5MHz | 15A | 60V | PNP | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: MJ2955 Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | CDIL | 115W | 70 | 2,5MHz | 15A | 60V | PNP | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJ3001 CDIL
Tranzystor NPN; Bipolarny; Darlington; 80V; 10V; 10A; 150W; -55°C~200°C; MJ3001-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | CDIL | 150W | 1000 | 10A | 80V | Darlington NPN | -55°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJD112
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MJD112 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO-252 | LGE | 1W | 500 | 25MHz | 2A | 100V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJD122 TO252 LGE
Tranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD122 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
123 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | LGE | 1,5W | 12000 | 8A | 100V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122T4 DPAK ONS
Tranzystor NPN; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122G (20W) Tube; MJD122T4G (1.75W) (T&R); MJD122T4; MJD122TF; MJE122-TP; MJD122GT4G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD122T4G Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD122T4G Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJD122T4 DPAK STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | 20W | 12000 | 5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
115000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | 20W | 12000 | 5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
525000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | 20W | 12000 | 5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
470000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | 20W | 12000 | 5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
535000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | 20W | 12000 | 5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD122T4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | 20W | 12000 | 5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJD127
Tranzystor PNP; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127TF; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127-LGE; TIP127TE(=MJD127);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK) |
Stan magazynowy:
290 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 290 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 210 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK) |
Stan magazynowy:
1210 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
205000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
170000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 | 1,75W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJD127T4G HXY MOSFET
Tranzystor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | 1,5W | 12000 | 8A | 100V | Darlington PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MJD127T4G JSMICRO
Tranzystor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
850 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | JSMICRO | 20W | 12000 | 4MHz | 8A | 100V | Darlington PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
RJP020N06T100 ROHM
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 12V; 300mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
82 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 2A | 500mW | SOT89 | ROHM | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: RJP020N06T100 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
44000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
300mOhm | 2A | 500mW | SOT89 | ROHM | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
RQ3E180AJTB
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 5,8mOhm; 30A; 30W; -55°C ~ 150°C; 8-PowerVDFN
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
5,8mOhm | 30A | 30W | SMT | ROHM | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
RQ6E035ATTCR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 3,5A | 1,25W | TSOT23-6 | ROHM | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
45mOhm | 25A | 50W | TO263 (D2PAK) | ROHM | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 70mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 150°C; TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 120 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 25A | 50W | D2PAK | ROHM | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MJD31C JSMICRO
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
260 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | JSMICRO | 15W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJD31CT4G
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6820 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | ON SEMICONDUCTOR | 1,56W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD31CT4G Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
185000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 | ON SEMICONDUCTOR | 1,56W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD31CT4G Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
215000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 | ON SEMICONDUCTOR | 1,56W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD31CT4G Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
215000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 | ON SEMICONDUCTOR | 1,56W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJD31C YZPST
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
105 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | YZPST | 15W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -55°C ~ 150°C |