Tranzystory (wyszukane: 9813)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SH8JB5
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JB5TB1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
15,3mOhm | 8,5A | 2W | SOP08 | ROHM | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SH8JC5TB1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JC5TB1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 7,5A | 2W | SOP08 | ROHM | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MJL1302AG
Tranzystor PNP; 150; 200W; 260V; 15A; 30MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/125 Ilość (wielokrotność 1) |
TO264 | ON SEMICONDUCTOR | 200W | 150 | 30MHz | 15A | 260V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJL1302AG Obudowa dokładna: TO264 |
Magazyn zewnetrzny:
325 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO264 | ON SEMICONDUCTOR | 200W | 150 | 30MHz | 15A | 260V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MJL21194
Tranzystor NPN; 75; 200W; 250V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJL21194G; MJL21193 + MJL21194;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO264 | ON SEMICONDUCTOR | 200W | 75 | 4MHz | 16A | 250V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI1012R-T1-GE3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 6V; 1,25Ohm; 500mA; 150mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
420 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
1,25Ohm | 500mA | 150mW | SC75-3 (SOT416) | VISHAY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 330mA | 250mW | SC75-3 (SOT416) | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI1022R-T1-GE3 Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 330mA | 250mW | SC75-3 (SOT416) | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI1022R-T1-GE3 Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416) |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 330mA | 250mW | SC75-3 (SOT416) | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222LT1G
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 30V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 250MHz | 600mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 250MHz | 600mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 250MHz | 600mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Tranzystor bipolarny MMBT2222 1B WEJ
Tranzystor PNP; 200; 300mW; 150V; 600mA; 100MHz SOT23; WEJ;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | WEJ | 300mW | 200 | 100MHz | 600mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222A
NPN 600mA 40V 225mW 300MHz MMBT2222A-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | LGE | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222A
Tranzystor NPN; Bipolarny; 300; 40V; 250MHz; 600mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2222A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT2222A Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT2222A Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
572807 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222A SOT23 NEXPERIA
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 600mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C Odpowiednik: MMBT2222A,215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBT2222A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
366000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBT2222A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MMBT2222A,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222A-7-F
Tranzystor NPN; Bipolar; 75V; 40V; 300MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT2222A-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIODES | 350mW | 100 | 300MHz | 600mA | 75V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT2222A-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
681000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIODES | 350mW | 100 | 300MHz | 600mA | 75V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT2222A-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | DIODES | 350mW | 100 | 300MHz | 600mA | 75V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222A-TP
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MCC | 350mW | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT2222A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2043000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | MCC | 350mW | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT2222A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | MCC | 350mW | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222ALT1G
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT2222A-FAI; MMBT2222ALT3G; MMBT2222AM3T5G; MMBT2222A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222ALT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 350mW | 300 | 300MHz | 1A | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
565000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 350mW | 300 | 300MHz | 1A | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1269000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 350mW | 300 | 300MHz | 1A | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
68717 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 350mW | 300 | 300MHz | 1A | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2222AWT1G
Tranzystor NPN; 300; 150mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2222AWT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4825 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222AWT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2222AWT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2369LT1G
Tranzystor NPN; 120; 300mW; 15V; 200mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 120 | 200mA | 15V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT2369ALT1G
Tranzystor NPN; 120; 300mW; 15V; 200mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 120 | 200mA | 15V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2369ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 120 | 200mA | 15V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2369ALT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 120 | 200mA | 15V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
SI1555DL SC70-6
Tranzystor N/P-MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 630mOhm/1,2Ohm; 660mA/570mA; 270mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 660mA | 270mW | SC70-6 | VISHAY | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT2484LT1G
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 60V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2369LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2484LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2484LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT2484LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT2907A
PNP -600mA -60V 225mW 200MHz MMBT2907A-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBT2907A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT-23 | LGE | 300mW | 100 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2907A JSMICRO
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JSMICRO | 300mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
KSI2300DS-T1-GE3 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KSI2300DS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 6A | SOT23 | KUU | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT2907A-TP
Tranzystor PNP; Bipolar; 60V; 6V; 200MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT2907A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MCC | 350mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT2907A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1677000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | MCC | 350mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT2907A-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | MCC | 350mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI2301 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
142mOhm | 2,3A | 400mW | SOT23 | JUXING | 20V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SL2301 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
142mOhm | 2,8A | 400mW | SOT23 | SLKOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2301 SOT23-3 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 3A | 1,25W | SOT23 | BORN | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2301 SOT23 HOTTECH
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
150mOhm | 2,3A | 1,25W | SOT23 | HOTTECH | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2301 3A KUU
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: SI2301 3A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 3A | 1W | SOT23 | KUU | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2301
YFW2301B;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW2301B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
64mOhm | 3A | 1W | SOT23 | YFW | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2301BDS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 650 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2,2A | 700mW | SOT23 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD |