Tranzystory (wyszukane: 9778)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002PW NXP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 310mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 310mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
510000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 310mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
606000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 310mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-13
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N7002T-7-F SOT-523 DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
79 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 150mW | SOT523 | DIODES | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002T Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 150mW | SOT523 | DIODES | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
K2N7002W-7-F KUU
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: K2N7002W-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 225mW | SOT323 | KUU | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2N7002WT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 310mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002W;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11490 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 310mA | 280mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002WT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
840000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5Ohm | 310mA | 280mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002WT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
1878000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5Ohm | 310mA | 280mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N7008-G Microchip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 30V; 7,5Ohm; 230mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 230mA | 1W | TO92 | MICROCHIP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SJ162
Tranzystor P-Channel MOSFET; 160V; 15V; 7A; 100W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
7A | 100W | TO 3P | Renesas | 160V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 15V | THT | |||||||||||||||||||||||||||
2N4401 TO92(bulk)
Tranzystor NPN; 300; 625W; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N4401BU; 2N4401RLRAG; 2N4401RLRPG; 2N4401-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N4401 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1720 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | CDIL | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4401BU Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92ammoformed | CDIL | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4401BU Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
1050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92ammoformed | CDIL | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N4401G ONS
Tranzystor NPN; 300; 625W; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N4401RLRAG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N4401TA TO92(tape) formed PIN
Tranzystor NPN; 300; 625W; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; 2N4401TA; 2N4401TAR; 2N4401RLRAG (CUT T&R);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4401TA RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Stan magazynowy:
510 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 510 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4401TA Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4403
Tranzystor PNP; 300; 625mW; 40V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N4403TA; 2N4403TF; 2N4403TFR; 2N4403BU; 2N4403-DIO; 2N4403TAR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N4403 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | CDIL | 625mW | 300 | 200MHz | 600mA | 40V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4403TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | CDIL | 625mW | 300 | 200MHz | 600mA | 40V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4403TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | CDIL | 625mW | 300 | 200MHz | 600mA | 40V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4403BU Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | CDIL | 625mW | 300 | 200MHz | 600mA | 40V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SJ360
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: 2SJ360 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 1A | 1,5W | SOT89 | TOSHIBA | 60V | P-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-13
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK1118
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 600V; 30V; 1,25Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SK1118 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Ilość (wielokrotność 1) |
1,25Ohm | 6A | 45W | TO220iso | 600V | N-MOSFET | 600V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2N5192
Tranzystor NPN; 80; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5192G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO225 (=TO126-3) | STMicroelectronics | 40W | 80 | 4A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2SK170-BL(F)
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 20mA; 400mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
20mA | 400mW | TO92 | TOSHIBA | N-JFET | 40V | -55°C ~ 125°C | THT | ||||||||||||||||||||||||||||
2N5400
Tranzystor PNP; 180; 625mW; 120V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5400-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 625mW | 180 | 400MHz | 600mA | 120V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 625mW | 180 | 400MHz | 600mA | 120V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 625mW | 180 | 400MHz | 600mA | 120V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 625mW | 180 | 400MHz | 600mA | 120V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5400 LGE
Tranzystor PNP; bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5400-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | LGE | 625mW | 180 | 100MHz | 600mA | 120V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5401
Tranzystor PNP; 240; 625mW; 150V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5401-AP; 2N5401-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | DIOTEC | 625mW | 240 | 400MHz | 600mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5401 SLKOR
Tranzystor PNP; 300; 625mW; 150V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5401BU; 2N5401G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/3000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SK209-GR
Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK209-GR(TE85L,F);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
14mA | 150mW | SC-59 | TOSHIBA | N-JFET | 50V | -55°C ~ 125°C | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
2N5550
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 140V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5550G; 2N5550RLRPG; 2N5550TA; 2N5550TAR; 2N5550TFR; 2N5550-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | LGE | 625mW | 250 | 300MHz | 600mA | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5551
Tranzystor NPN; 250; 630mW; 160V; 300mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551TA; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551RLRAG; 2N5551RL1G; 2N5551ZL1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N5551 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | DISCRETE SEMICONDUCTORS | 630mW | 250 | 300MHz | 300mA | 160V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N5551TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | DISCRETE SEMICONDUCTORS | 630mW | 250 | 300MHz | 300mA | 160V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N5551TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | DISCRETE SEMICONDUCTORS | 630mW | 250 | 300MHz | 300mA | 160V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5551 JSMICRO
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | JSMICRO | 350mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5551 SLKOR
Tranzystor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SK2746
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 7A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 17 Ilość (wielokrotność 1) |
1,7Ohm | 7A | 150W | TO 3P | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK2883
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 3,6Ohm; 3A; 75W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
3,6Ohm | 3A | 75W | TO220/FL | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK2963(TE12L,F)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 950mOhm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
950mOhm | 1A | 1,5W | SOT89 | TOSHIBA | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2SK3018 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: K2SK3018-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: 2SK3018 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
13Ohm | 100mA | 200mW | SOT23 | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2SK3018-TP
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13Ohm | 100mA | 200mW | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SK3565
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 5A | 45W | TO220iso | TOSHIBA | 900V | N-MOSFET | 900V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK3666-3-TB-E SOT23-3
Tranzystor N-Channel JFET; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
200Ohm | 10mA | 200mW | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-JFET | 30V | -55°C ~ 150°C | SMD |