Tranzystory (wyszukane: 8525)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK2883
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 3,6Ohm; 3A; 75W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
3,6Ohm | 3A | 75W | TO220/FL | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK2963(TE12L,F)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 950mOhm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
950mOhm | 1A | 1,5W | SOT89 | TOSHIBA | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2SK3018 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: K2SK3018-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: 2SK3018 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
13Ohm | 100mA | 200mW | SOT23 | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2SK3018-TP
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13Ohm | 100mA | 200mW | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: 2SK3018-TP Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13Ohm | 100mA | 200mW | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SK3565
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 5A | 45W | TO220iso | TOSHIBA | 900V | N-MOSFET | 900V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK3666-3-TB-E SOT23-3
Tranzystor N-Channel JFET; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
200Ohm | 10mA | 200mW | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-JFET | 30V | -55°C ~ 150°C | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N6107
Tranzystor PNP; 150; 40W; 70V; 7A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6107G; (NPN 2N6292); Podobny do: BDP286; BD286;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2N6107 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CYD | 40W | 150 | 4MHz | 7A | 70V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-20
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6109
Tranzystor PNP; 150; 40W; 50V; 7A; 10MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6109G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
448 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CDIL | 40W | 150 | 10MHz | 7A | 50V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SK3878 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 9A | 150W | TO 3P | JSMICRO | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 9A | 150W | TO 3P | JSMICRO | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2SK3878 TOSHIBA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/500 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 9A | 150W | TO 3P | TOSHIBA | 900V | N-MOSFET | 900V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-19
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK4013
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK4013(STA4,Q,M);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,7Ohm | 6A | 45W | TO220iso | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: 2SK4013(STA4,Q,M) Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,7Ohm | 6A | 45W | TO220iso | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2N6285
Tranzystor PNP; 18000; 160W; 60V; 20A; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
SGS Symbol Producenta: 2N6285 Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
112 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 118 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | SavantIC Semiconductor | 160W | 18000 | 20A | 60V | PNP | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2N6292
Tranzystor NPN; 150; 40W; 80V; 7A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6292G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2N6292 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/4000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ARK | 40W | 150 | 4MHz | 7A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6292G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ARK | 40W | 150 | 4MHz | 7A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2V7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
1776000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
183000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
591000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2V7002KT1G
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
300W | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 420mW | 60V | 320mA | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002KT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
1779000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
300W | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 420mW | 60V | 320mA | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002KT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
300W | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 420mW | 60V | 320mA | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N6388G ONS
Tranzystor Darlington NPN; 20000; 2W; 80V; 10A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6388 STM
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 20000 | 10A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6388G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 20000 | 10A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2N6488G
Tranzystor NPN; 200; 75W; 90V; 15A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do 2N6488;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6488G RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON | 75W | 200 | 4MHz | 15A | 90V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-13
Ilość szt.: 200
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6491
Tranzystor PNP; 150; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: 2N6491G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CDIL | 75W | 150 | 5MHz | 15A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3SK293
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12,5V; 8V; 30mA; 100mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 3SK293(TE85L,F);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
30mA | 100mW | 2-2K1B | TOSHIBA | 12,5V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2N6517
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 350V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6517BU; 2N6517TA; 2N6517CTA;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6517BU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
13 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 625mW | 200 | 200MHz | 500mA | 350V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: 2N6517 RoHS Obudowa dokładna: TO92t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 625mW | 200 | 200MHz | 500mA | 350V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6517TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | CDIL | 625mW | 200 | 200MHz | 500mA | 350V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N6545
Tranzystor NPN; 60; 125W; 400V; 8A; 28MHz; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Motorola Symbol Producenta: 2N6545 Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 18 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | Motorola | 125W | 60 | 28MHz | 8A | 400V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: 2N6545 Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | Motorola | 125W | 60 | 28MHz | 8A | 400V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 25mOhm; 6A; 1,5W; -55°C~150°C; Podobny do: 8205A; S8205A; MS8205A; FS8205A; WST8205A; .8205A/B; CJL8205A; 8205A-HXY; JMTM8205A; UT8205AG-AG6; TPM8205ATS6; TPM8205ATS6-1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
25mOhm | 6A | 1,5W | SOT23-6 | MSK | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
25mOhm | 6A | 1,5W | SOT23-6 | MSK | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
25mOhm | 6A | 1,5W | SOT23-6 | MSK | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOT10B60D
Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
13 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ALPHA&OMEGA | 17,4nC | 163W | 10A | 40A | 5,6V | -55°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
AOT15B60D
Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT15B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ALPHA&OMEGA | 25,4nC | 167W | 30A | 60A | 5,6V | -55°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SA1015-GR-AP
Tranzystor PNP; Bipolarny; 400; -5V; 400mW; -50V; -150mA; 80MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: 2SA1015-Y(TPE2,F); 2SA1015-Y-AP; 2SA1015G; 2SA1015-B; 2SA1015-GR; 2SA1015L-Y-T92-B; 2SA1015L-GR-T92-B; 2SA1015-Y(TE2,F,T); 2SA1015(RANGE:200-400); 2SA1015(RANGE:120-240); 2SA1015-TA(RANGE:120-240);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | YFW | 400mW | 400 | 80MHz | -150mA | -50V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SA1020
Tranzystor PNP; Bipolar; Darlington; 240; -50V; -5V; 100MHz; -2A; 900mW; -55°C~150°C; 2SA1020-LGE; CJ 2SA1020(RANGE:120-240); UTC 2SA1020L-Y-T9N-B;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | LGE | 900mW | 240 | 100MHz | -2A | -50V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SA1020R TO92
Tranzystor PNP; 240; 900mW; 50V; 2A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SA1020-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
440 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 900mW | 240 | 100MHz | 2A | 50V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AO3400 SOT23-3 HOTTECH
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3270 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | HOTTECH | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3400 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | HXY MOSFET | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SL3400 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
59mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | SLKOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.