Tranzystory (wyszukane: 10557)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MS5N100FT
MOSFET 5A,1000V,TO-220
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS5N100FT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
42Ohm | 5A | 198W | TO220 | Maspower | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS8N100FT
MOSFET 8A,1000V,TO-220
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS8N100FT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3Ohm | 8A | 167W | TO220 | Maspower | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
BC859C,215 SOT23 NXP
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R ODPOWIEDNIK: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | NXP | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MS10N100HGC0
MOSFET 10A,1000V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS10N100HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
120 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/120 Ilość (wielokrotność 1) |
1,95Ohm | 10A | 186,5W | TO247 | Maspower | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS12N100FC
MOSFET 12A,1000V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS12N100FC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 12A | 367W | TO247 | Maspower | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MSG75T65FQC
IGBT 75A,650V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG75T65FQC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R ODPOWIEDNIK: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SC70-3 | NXP | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SC70-3 | NXP | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SC70-3 | NXP | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,135 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SC70-3 | NXP | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SC70-3 | NXP | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MS18N100HGC0
MOSFET 18A,1000V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS18N100HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 18A | 470W | TO247 | Maspower | 1000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS30N100HGC0
MOSFET 30A,1000V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS30N100HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
380mOhm | 30A | 290W | TO247 | Maspower | 1000V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
BC859C SOT23 MSKSEMI
Trans Bipolar (BJT) odpowiednik: BC859C-MS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MSK | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MS6N120FE
MOSFET 6A,1200V,TO-263
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS6N120FE RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r |
Stan magazynowy:
76 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 76 Ilość (wielokrotność 1) |
7Ohm | 6A | 160W | TO263 | Maspower | 1200V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS6N120FE RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r |
Stan magazynowy:
124 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 124 Ilość (wielokrotność 1) |
7Ohm | 6A | 160W | TO263 | Maspower | 1200V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS8N120FC
MOSFET 8A,1200V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS8N120FC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
3,8Ohm | 8A | 320W | TO247 | Maspower | 1200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
BC817-40 SOT23(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 630; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1290 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YFW | 300mW | 630 | 100MHz | 500mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MS12N120HGC0
MOSFET 12A,1200V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS12N120HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
1,5Ohm | 12A | 750W | TO247 | Maspower | 1200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS9N150H1
MOSFET 9A,1500V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS9N150H1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
3,8Ohm | 9A | 150W | TO247 | Maspower | 1500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS5N170FC
MOSFET 5A,1700V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS5N170FC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 5A | 337W | TO247 | Maspower | 1700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS5N200HGC0
MOSFET 5A,2000V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS5N200HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 5A | 625W | TO247 | Maspower | 2000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MSG40T120FQC
IGBT 40A,1200V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG40T120FQC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MS1N250HGC0
MOSFET 1A,2500V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS1N250HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
50Ohm | 1A | 291W | TO247 | Maspower | 2500V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MS4N250HGC0
MOSFET 4A,2500V,TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS4N250HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
25Ohm | 4A | 520W | TO247 | Maspower | 2500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRF7303 SOIC8(T/R) TECH PUBLIC
30V 7A 35mOhm@10V 1.3W 3V 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7303TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
45mOhm | 7A | 2W | SOP08 | TECH PUBLIC | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
YFW6H03S SOP8(T/R) YFW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7303TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
494 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 7,8A | 1,5W | SOP08 | YFW | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
YJL2302B SOT23 YANGZHOU Yangjie Elec Tech
20V 3A 80mOhm@2.5V,2A 700mW 780mV 1 N-channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRLML2402TR; YJL2302B-F2-0000HF; YJL2302B; IRLML2402TRPBF; IRLML2402PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 3A | 700mW | SOT23 | YY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MSG50T120FQW
IGBT 50A,1200V,TO-264
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG50T120FQW RoHS Obudowa dokładna: TO264 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC857BS SOT-363-6 FUXINSEMI
Tranzystor 2xPNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | FUXINSEMI | 300mW | 630 | 200MHz | 200mA | 45V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SI4564DY SOIC8 VBSEMI
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 7,6A | 3W | SOP08 | VBsemi | 40V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MOT817-25 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4mOhm | 150A | 220W | TO263 | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Odpowiednik: BC63916-D27Z; BC63916D27Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ONSEMI | 830mW | 250 | 100MHz | 1A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BC63916-D27Z Obudowa dokładna: TO92t/r |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ONSEMI | 830mW | 250 | 100MHz | 1A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
AOD417 TO252(DPAK) TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 30A | 50W | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
91 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 91 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 30A | 50W | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
409 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 409 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 30A | 50W | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||