Tranzystory (wyszukane: 10388)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Typ tranzystora
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2222A
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N2222A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3500 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N2222A Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
7800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N2222A Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
75991 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
IRLZ34N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
20519 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
7990 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
LGE2304
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2304-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 3,3A | 350mW | SOT23 | LGE | 30V | 2,2V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
KSP2222ABU FAIRCHILD
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSP2222ABU (1K/BULK); KSP2222ATA (2K/AMMO); KSP2222ATF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | Fairchild | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MCM3400A-TP
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
38mOhm | 5A | 1,4W | DFN06 | MCC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MCM3400A-TP Obudowa dokładna: DFN06 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
38mOhm | 5A | 1,4W | DFN06 | MCC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
P2N2222 CBE pin configuration CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz P2N2222 ia a CBE pin configuration. (Collector - Base - Emitter)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8950 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | CDIL | 500mW | 300 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMFTP3401 DIOTEC
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: MMFTP3401-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 3A | 500mW | SOT23 | DIOTEC | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N2222A SLKOR
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1690 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSP149
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnętrzny:
5800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnętrzny:
84000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS123W
100V 200mA 3Ω@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF; BSS123W-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: BSS123W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 200mA | 150mW | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSS131 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
20Ohm | 110mA | 360mW | SOT23 | SLKOR | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
135 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 50V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnętrzny:
141000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 50V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
IRF3805SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3805STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
DIT050N06
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 50A | 85W | TO220 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DIT050N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
875 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 50A | 85W | TO220 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DIT050N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
954 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 50A | 85W | TO220 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
19037 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
290000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
108000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1119000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI2305CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5,8A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
153000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,8A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,8A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3380 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 150mA | 357mW | SOT23 | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
SI4447ADY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
62mOhm | 7,2A | 4,2W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
62mOhm | 7,2A | 4,2W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
62mOhm | 7,2A | 4,2W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
62mOhm | 7,2A | 4,2W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
62mOhm | 7,2A | 4,2W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI4463BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 9,8A | 1,5W | SOP08 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 9,8A | 1,5W | SOP08 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 SOT23 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: HSS2301C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 300mA | 350mW | SOT23 | HUASHUO | 60V | P-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SIL2308-TP Micro Commercial Components
Tranzystor Dual N/P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; +/-12V; 38mOhm; 5A/4A; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIL2308-TP-HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
38mOhm | 5A | SOT23-6L | MCC | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SIL2308-TP Obudowa dokładna: SOT23-6L |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
38mOhm | 5A | SOT23-6L | MCC | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
SKG85G06A SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 105W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 130A | 105W | PDFN08(5x5) | SHIKUES | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 130A | 105W | PDFN08(5x5) | SHIKUES | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SPP20N60C3
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
430mOhm | 20,7A | 208W | TO220 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
50307 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
430mOhm | 20,7A | 208W | TO220 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
279150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
430mOhm | 20,7A | 208W | TO220 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
797 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
430mOhm | 20,7A | 208W | TO220 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
STP10NK60Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 10A | 115W | TO220 | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
7858 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 10A | 115W | TO220 | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
10250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 10A | 115W | TO220 | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
140 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
1Ohm | 10A | 52W | TO220iso | CHIPNOBO | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
297 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 10A | 35W | TO220iso | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60ZFP Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 10A | 35W | TO220iso | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60ZFP Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 10A | 35W | TO220iso | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-05
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
STP14NK50Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
380mOhm | 14A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 500V | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
380mOhm | 14A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 500V | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1807 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
380mOhm | 14A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 500V | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
STP16NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 16A | 45W | TO220 | STMicroelectronics | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 16A | 45W | TO220 | STMicroelectronics | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
STP40NF10
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
28mOhm | 50A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
36950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
28mOhm | 50A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
29750 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
28mOhm | 50A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
STP55NF06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
640 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
18mOhm | 50A | 110W | TO220 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP55NF06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
19094 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
18mOhm | 50A | 110W | TO220 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP55NF06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
14800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
18mOhm | 50A | 110W | TO220 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||