Tranzystory (wyszukane: 8635)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR9024NTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
105mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFS7534PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRLPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7534TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7534TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7534TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFU024N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU024NPBF; IRFU024NPBFAKLA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
54 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 17A | 45W | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFZ44ZPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
13,9mOhm | 51A | 80W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
560 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,9mOhm | 51A | 80W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
497 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,9mOhm | 51A | 80W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRLL2705 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL2705TRPBF; IRLL2705PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
64 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
160000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
15100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
345000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLL3303
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
45mOhm | 6,5A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0100
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; IRLML0100PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4740 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
46900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
399000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
210000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0060TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
116mOhm | 2,7A | 1,25W | SOT23 | UMW | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0100TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
290mOhm | 3A | 1W | SOT23 | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0100TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2803
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3217 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
16100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
582000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML5203 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2450 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
145mOhm | 3A | 300mW | SOT23 | UMW | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML6344 SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: YJL3400A-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
29mOhm | 5A | 1,3W | SOT23 | HOTTECH | 30V | N-MOSFET | 4,5V | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
29mOhm | 5A | 1,3W | SOT23 | HOTTECH | 30V | N-MOSFET | 4,5V | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
504 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | HXY MOSFET | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML6346TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 3,4A | 1,3W | SOT23 | UMW | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML6401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
746 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS F... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
506600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
627000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
396000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 10A | 5W | TO252 (DPACK) | JGSEMI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8726TRPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
7,4mOhm | 90A | 39W | TO252 (DPACK) | CHIPNOBO | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 80A | 54W | TO252 (DPACK) | JGSEMI | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | UMW | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
4890 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-22
Ilość szt.: 10000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-29
Ilość szt.: 1610
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-01
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
5mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-JFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-JFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
50Ohm | SOT23 | ONSEMI | N-JEFT | -55°C ~ 155°C | -35V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50Ohm | SOT23 | ONSEMI | N-JEFT | -55°C ~ 155°C | -35V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50Ohm | SOT23 | ONSEMI | N-JEFT | -55°C ~ 155°C | -35V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||||
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
19mOhm | 46A | 71W | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
33mOhm | 20A | 50W | TO252 | TECH PUBLIC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
NTS4173PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2795 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
280mOhm | 1,2A | 290mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,2A | 290mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,2A | 290mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
2615 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,2A | 290mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
142mOhm | 3,1A | 1,6W | SOT23 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
142mOhm | 3,1A | 1,6W | SOT23 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
402000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
142mOhm | 3,1A | 1,6W | SOT23 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
142mOhm | 3,1A | 1,6W | SOT23 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2304DDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 3,3A | 1,1W | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 3,3A | 1,1W | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 3,3A | 1,1W | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 3,3A | 1,1W | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |