Tranzystory (wyszukane: 9823)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQPF2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 2A | 23W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 2A | 23W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
130mOhm | 2,5A | 900mW | SOT23 | HX | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
345 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 84A | 200W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12mOhm | 84A | 200W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1404ZS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 180A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
88 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
460 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF4905PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 80A | 200W | TO220 | JSMICRO | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF4905 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
77 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 70A | 170W | TO220 | UMW | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF4905
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
4402 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/4000 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5815 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
53800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
40807 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF540N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 40A | 96W | TO220 | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 40A | 96W | TO220 | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF540NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 30A | 125W | TO220 | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF540NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NPBF; IRF 540 N PBF; IRF540N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
5404 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
87457 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
88017 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7301TRPBF JSMICRO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
28mOhm | 7A | 1,5W | SOP08 | JSMICRO | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7301TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,2A | 2W | SOP08 | UMW | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
210 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 430 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,2A | 2W | SOP08 | UMW | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 570 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,2A | 2W | SOP08 | UMW | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7301TRPBF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; IRF7301PBF-GURT; IRF7301; IRF7301TRPBF-VB; IRF 7301 TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 620 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 5,2A | 2W | SOP08 | Infineon Technologies | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7317TRPBF
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
68000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7401TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
97 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | UMW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7401
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF (95/Tube); IRF7401TRPBF(4000/Tape&Reel); IRF7401PBF-GURT; IRF7401TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | International Rectifier | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7401TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | International Rectifier | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF8736
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8736PBF; IRF8736TRPBF; IRF8736PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
162 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF9317TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9317PBF; IRF9317TRPBF; SP001572200; SP001575412;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
10,2mOhm | 16A | 2,5W | SOP08 | UMW | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N3771
Tranzystor NPN; 60; 150W; 40V; 30A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3771G; 2N3771-NTE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | CDIL | 150W | 60 | 200kHz | 30A | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFL4310
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4310TRPBF; IRFL4310PBF; IRFL4310PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 2,2A | 2,1W | SOT223 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL4310TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 2,2A | 2,1W | SOT223 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL4310TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
32500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 2,2A | 2,1W | SOT223 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL4310TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1335 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 2,2A | 2,1W | SOT223 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N3772
Tranzystor NPN; 60; 150W; 60V; 20A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3772G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2N3772G RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 88 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | Inchange Semiconductors | 150W | 60 | 200kHz | 20A | 60V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRFP140NPBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 33A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP140NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP140N RoHS Obudowa dokładna: TO247AC |
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/400 Ilość (wielokrotność 1) |
52mOhm | 33A | 140W | TO247AC | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
19275 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
52mOhm | 33A | 140W | TO247AC | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
510 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
52mOhm | 33A | 140W | TO247AC | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2N3773
Tranzystor NPN; 60; 150W; 140V; 16A; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3773-CDI; 2N3773 SPTECH; 2N3773T3BL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2N3773 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | PMC-Sierra | 150W | 60 | 16A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3773G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | PMC-Sierra | 150W | 60 | 16A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3773G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | PMC-Sierra | 150W | 60 | 16A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
IRFR24N15DTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 115mOhm; 20A; 72,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR24N15DPBF; IRFR24N15DTRPBF; SP001564950; SP001578104;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
115mOhm | 20A | 72,6W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR3504ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 80A; 44,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3504ZPBF; IRFR3504ZTRLPBF; IRFR3504ZTRPBF; IRFR3504ZTRRPBF; SP001555064; SP001552130; SP001556956;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
15mOhm | 80A | 44,6W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3607PBF; IRFR3607TRPBF; SP001571628; SP001567010;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 60A | 56W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR3707ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 60A; 41W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3707ZPBF; IRFR3707ZTRLPBF; IRFR3707ZTRPBF; IRFR3707ZTRRPBF; SP001567546; SP001578160; SP001564908;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
14mOhm | 60A | 41W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR3710ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 50A | 85W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR5410TRPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410PBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRRPBF; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
65 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 12A | 40W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR5410 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
168 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Ilość (wielokrotność 1) |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5410TRRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
139000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
166000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |