Tranzystory (wyszukane: 8525)

1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    285
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
NTD5865NLT4G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TNTD5865nl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5900 2,2500 1,8700 1,6700 1,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
19mOhm 46A 71W TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
NTD5867N Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
Symbol Micros: TNTD5867n c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867N TO252
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
NTD5867NLT4G RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,1500 1,9700 1,5700 1,4100 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
33mOhm 20A 50W TO252 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
NTS4173PT1G Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TNTS4173pt1g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NTS4173PT1G RoHS || NTS4173PT1G || NTS4173PT1G SOT323
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G RoHS Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2795 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7120 0,5520 0,5090 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G Obudowa dokładna:
SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G Obudowa dokładna:
SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
Ilość szt. 1737+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301CDS-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
Symbol Micros: TSI2301cds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS || SI2301CDS-T1-GE3 || SI2301CDS-T1-E3 || SI2301CDS-T1-GE3 SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2500 0,6930 0,4610 0,3840 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
444000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
- Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4537
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
SI2304DDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2304dds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS-T1-GE3 || SI2304DDS SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3600 0,7270 0,5660 0,5120 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
- Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI2308BDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Symbol Micros: TSI2308bds c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
SI2308BDS RoHS E8. Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
cena netto (PLN) 1,2000 0,7650 0,5540 0,4740 0,4370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
105mOhm 3A 350mW SOT23 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AS3400 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TSI3400 ANB info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Producent:
AnBon Symbol Producenta:
AS3400 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7590 0,3610 0,2030 0,1540 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
51mOhm 5,6A 1,2W SOT23 AnBon 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI4435DDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Symbol Micros: TSI4435ddy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3700 1,4900 1,2300 1,1000 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0937
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
- Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
291 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4055
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI4459ADY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI4459ady info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY-T1-GE3 || SI4459ADY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,6100 3,9200 3,2200 3,0000 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9407BDY Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Symbol Micros: TSI9407bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY-T1-E3 || SI9407BDY SOP08
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3100 2,0800 1,7300 1,5400 1,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
3 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1700 1,8000 1,6000 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-E3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9433BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI9433bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,9300 4,5200 3,7400 3,2800 3,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI9926BDY Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Symbol Micros: TSI9926bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0400 1,9200 1,5200 1,3800 1,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 6,2A 1,14W SOP08 VISHAY 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SK3415 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
Symbol Micros: TSK3415 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SK3415 RoHS Obudowa dokładna:
SC59
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9990 0,5050 0,3050 0,2410 0,2220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
180mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 25V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2402 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
Symbol Micros: TSKML2402 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKML2402 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8280 0,4190 0,2520 0,1990 0,1840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
80mOhm 2A 700mW SOT23 SHIKUES 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SKQ50N03BD SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TSKQ50N03bd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKQ50N03BD RoHS Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8790 0,6300 0,5510 0,5160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
8mOhm 50A 30W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
STF14NM50N Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTF14NM50n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STF14NM50N RoHS || STF14NM50N || STF14NM50N TO220iso
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,7800 5,4100 4,6300 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
1420 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STN1HNK60 Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTN1HNK60 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 || STN1HNK60 SOT223
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN1HNK60 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,1100 1,2800 0,9840 0,8730 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN1HNK60 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
56000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN1HNK60 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
124000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN1HNK60 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
820000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
STW70N60M2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTW70N60M2 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 || STW70N60M2 TO247
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW70N60M2 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 32,6300 30,6300 29,3900 28,7500 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW70N60M2 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
2140 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW70N60M2 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW70N60M2 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STW88N65M5 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTW88N65M5 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 || STW88N65M5 TO247
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW88N65M5 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 60,3500 56,8400 55,9700 55,3300 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW88N65M5 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
1740 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW88N65M5 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
2060 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW88N65M5 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
SUM90P10-19L-E3 Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TSUM90P10-19l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
cena netto (PLN) 14,8300 13,1800 12,1900 11,7000 11,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
96
Ilość (wielokrotność 1)
21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
76800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
WPM2015 SOT23 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Symbol Micros: TWPM2015 c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
WPM2015-3/TR RoHS || WPM2015-HXY RoHS || WPM2015 SOT23 SOT23
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta:
WPM2015-3/TR RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9190 0,4330 0,2410 0,1940 0,1670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
HXY MOSFET Symbol Producenta:
WPM2015-HXY RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9630 0,4820 0,2870 0,2380 0,2140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
IRF7401TR Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
Symbol Micros: TIRF7401 c info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YFW4406AS RoHS || IRF7401TR SOP08
Producent:
YFW Symbol Producenta:
YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
cena netto (PLN) 1,8400 1,2000 0,8870 0,7550 0,7080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
180
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 8,7A 2,5W SOP08 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
YFW Symbol Producenta:
YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
cena netto (PLN) 1,8400 1,2000 0,8870 0,7550 0,7080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 8,7A 2,5W SOP08 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
2N6027 Tranzystor PUT; 300mW; -50°C ~ 100°C; Odpowiednik: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
Symbol Micros: T2N6027 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N6027G-T92-B RoHS || 2N6027 TO92
Producent:
UTC Symbol Producenta:
2N6027G-T92-B RoHS Obudowa dokładna:
TO92ammoformed
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5500 0,8560 0,6740 0,6240 0,5980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
150mA 300mW TO92 UTC PUT 40V -50°C ~ 100°C THT
2N3771 Tranzystor NPN; 60; 150W; 40V; 30A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3771G; 2N3771-NTE;
Symbol Micros: T2N3771 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N3771 RoHS || 2N3771 TO 3
Producent:
CDIL Symbol Producenta:
2N3771 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 9,5900 7,6100 6,8000 6,5100 6,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/100
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3 CDIL 150W 60 200kHz 30A 40V NPN -65°C ~ 200°C
2N3772 Tranzystor NPN; 60; 150W; 60V; 20A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3772G;
Symbol Micros: T2N3772 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N3772G RoHS || 2N3772 || 2N3772 TO 3
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta:
2N3772G RoHS Obudowa dokładna:
TO 3  
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 88+
cena netto (PLN) 16,7100 14,8400 13,7200 13,1600 12,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
88
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3 Inchange Semiconductors 150W 60 200kHz 20A 60V NPN -65°C ~ 200°C
 
Producent:
MEAN WELL Symbol Producenta:
2N3772 Obudowa dokładna:
TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
5 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO 3 Inchange Semiconductors 150W 60 200kHz 20A 60V NPN -65°C ~ 200°C
2N7000 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
Symbol Micros: T2N7000 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N7000BU RoHS || 2N7000TA || 2N7000-D26Z || 2N7000 TO92
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
2N7000BU RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul  
Stan magazynowy:
350 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5680 0,4400 0,4060 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Ilość (wielokrotność 1)
9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
2N7000TA Obudowa dokładna:
TO92  
Magazyn zewnetrzny:
41000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
2N7000TA Obudowa dokładna:
TO92  
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
2N7000-D26Z Obudowa dokładna:
TO92  
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
Symbol Micros: T2N7000 f info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE TO92ammoformed
Producent:
LGE Symbol Producenta:
2N7000 RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul  
Stan magazynowy:
6010 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6000 0,2400 0,1390 0,1160 0,1090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/10000
Ilość (wielokrotność 1)
5,3Ohm 200mA 400mW TO92ammoformed 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
2N7000 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE;
Symbol Micros: T2N7000 LGE info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Producent:
LGE Symbol Producenta:
2N7000 RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,2610 0,1500 0,1250 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Ilość (wielokrotność 1)
6Ohm 200mA 350mW TO92 LGE 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C THT
2N7002-7-F Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES;
Symbol Micros: T2N7002 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
2N7002-7-F RoHS || 2N7002-7-F || 2N7002-TP || 2N7002-7-F SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
2N7002-7-F RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
154920 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4470 0,1760 0,1030 0,0753 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
2N7002-7-F Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
2790000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
2N7002-TP Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1647000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
2N7002-7-F Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
3861000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
2N7002 N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ
Symbol Micros: T2N7002 c info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N7002 RoHS || 2N7002 SOT23
Producent:
MIC Symbol Producenta:
2N7002 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2250 0,0841 0,0450 0,0336 0,0310
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
5Ohm 300mA 830mW SOT-23 MIC 60V N-MOSFET 60V -65°C ~ 150°C 30V SMD
1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    285

Tranzystory

Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje.  Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.

Czym jest i do czego służy tranzystor?

Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:

  • Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
  • Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
  • Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.

Tranzystory i ich rodzaje

Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:

  • tranzystory polowe,
  • tranzystory bipolarne
  • tranzystory igbt.

Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.

Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.

Tranzystory w naszej ofercie

Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt. 

Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.