Tranzystory (wyszukane: 10465)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RC3400 SOT23 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
5,8A | 1,4W | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||||
|
BC807-25 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 400; 310mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC857C SOT23 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC857C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC857CWH6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD127 DPAK YFW
Tranzystor PNP; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-31
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7201TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-05-30
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER
P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ElecSuper Symbol Producenta: IRF9310TRPBF RoHS PE03R053. Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
35970 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
RCP55N06 TO220 REALCHIP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCP55N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC817-40 SOT23 RealChip
BC817-40 SOT23 Kingtronics Tranzystor NPN; 600; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-04-15
Ilość szt.: 30000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
960 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-31
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 45V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX5416E6327HTSA1; BCX5416H6327XTSA1; BCX5416TA;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4770 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | HT | 500mW | 250 | 130MHz | 1A | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002DW SOT363 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC7002DW RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC858B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 330mW; 30V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HT | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 30V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
N-Channel 50V 360mA 0.35W Surface Mount SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI
60V 300mA 2.2Ohm@10V,0.3A 350mW One N-channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MSKSEMI Symbol Producenta: 2N7002BK-MS RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
PBSS4350X SOT-89
1.6W 50V 3A NPN SOT-89 Single Bipolar Transistors ROHS PBSS4350X-GK;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
GOODWORK Symbol Producenta: PBSS4350X-GK RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
605 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BC337.40 Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
20500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC847B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; Podobny do: AO3400; YJL3400B;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
52mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | HT | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS Podobny do: BSS306N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
41mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | HT | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
PT4606A SOP-8 HT SEMI
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Podobny do: IRF7319TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PT4606A RoHS APH5DJ Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
PTD30P25 TO252 HT SEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PTD30P25 RoHS PK2DJ Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC847C SOT23(T/R) RealChip
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 RealChip
Transistor NPN; Bipolar; 250; 5V; 1W; 45V; 1A; 100MHz; -65°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX54-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.