Tranzystory (wyszukane: 9603)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5400 LGE
Tranzystor PNP; bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5400-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | LGE | 625mW | 180 | 100MHz | 600mA | 120V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5401
Tranzystor PNP; 240; 625mW; 150V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5401-AP; 2N5401-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | DIOTEC | 625mW | 240 | 400MHz | 600mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5401 SLKOR
Tranzystor PNP; 300; 625mW; 150V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5401BU; 2N5401G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/3000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5550
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 140V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5550G; 2N5550RLRPG; 2N5550TA; 2N5550TAR; 2N5550TFR; 2N5550-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | LGE | 625mW | 250 | 300MHz | 600mA | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N5550TFR Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | LGE | 625mW | 250 | 300MHz | 600mA | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5551
Tranzystor NPN; 250; 630mW; 160V; 300mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551TA; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551RLRAG; 2N5551RL1G; 2N5551ZL1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N5551 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | DISCRETE SEMICONDUCTORS | 630mW | 250 | 300MHz | 300mA | 160V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N5551TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | DISCRETE SEMICONDUCTORS | 630mW | 250 | 300MHz | 300mA | 160V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5551 JSMICRO
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | JSMICRO | 350mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N5551 SLKOR
Tranzystor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SK170-BL(F)
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 20mA; 400mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
20mA | 400mW | TO92 | TOSHIBA | N-JFET | 40V | -55°C ~ 125°C | THT | ||||||||||||||||||||||||||||
2SK209-GR
Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK209-GR(TE85L,F);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
14mA | 150mW | SC-59 | TOSHIBA | N-JFET | 50V | -55°C ~ 125°C | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
2SK2545 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,25Ohm; 6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK2545(Q); 2SK2545(Q,T);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: 2SK2545 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,25Ohm | 6A | 40W | TO220iso | JSMICRO | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2SK2746
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 7A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 17 Ilość (wielokrotność 1) |
1,7Ohm | 7A | 150W | TO 3P | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK2883
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 3,6Ohm; 3A; 75W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
3,6Ohm | 3A | 75W | TO220/FL | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK2963(TE12L,F)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 950mOhm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
950mOhm | 1A | 1,5W | SOT89 | TOSHIBA | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2SK3018 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: K2SK3018-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: 2SK3018 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
13Ohm | 100mA | 200mW | SOT23 | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2SK3018-TP
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13Ohm | 100mA | 200mW | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N6107
Tranzystor PNP; 150; 40W; 70V; 7A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6107G; (NPN 2N6292); Podobny do: BDP286; BD286;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2N6107 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CYD | 40W | 150 | 4MHz | 7A | 70V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N6109
Tranzystor PNP; 150; 40W; 50V; 7A; 10MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6109G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
448 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CDIL | 40W | 150 | 10MHz | 7A | 50V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SK3565
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 5A | 45W | TO220iso | TOSHIBA | 900V | N-MOSFET | 900V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK3666-3-TB-E SOT23-3
Tranzystor N-Channel JFET; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
200Ohm | 10mA | 200mW | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-JFET | 30V | -55°C ~ 150°C | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N6285
Tranzystor PNP; 18000; 160W; 60V; 20A; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
SGS Symbol Producenta: 2N6285 Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
108 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 118 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | SavantIC Semiconductor | 160W | 18000 | 20A | 60V | PNP | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2N6292
Tranzystor NPN; 150; 40W; 80V; 7A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6292G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2N6292 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1740 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/4000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ARK | 40W | 150 | 4MHz | 7A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6292G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ARK | 40W | 150 | 4MHz | 7A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SK3878 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 9A | 150W | TO 3P | JSMICRO | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 9A | 150W | TO 3P | JSMICRO | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2SK3878 TOSHIBA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
410 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/500 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 9A | 150W | TO 3P | TOSHIBA | 900V | N-MOSFET | 900V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2SK4013
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK4013(STA4,Q,M);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,7Ohm | 6A | 45W | TO220iso | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: 2SK4013(STA4,Q,M) Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,7Ohm | 6A | 45W | TO220iso | TOSHIBA | 800V | N-MOSFET | 800V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2N6388G ONS
Tranzystor Darlington NPN; 20000; 2W; 80V; 10A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6388 STM
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 20000 | 10A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6388G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 20000 | 10A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6388G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 20000 | 10A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2N6488G
Tranzystor NPN; 200; 75W; 90V; 15A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do 2N6488;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6488G RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON | 75W | 200 | 4MHz | 15A | 90V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N6491G
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ONSEMI | 75W | 130 | 5MHz | 15A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | Nie dotyczy | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
710 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ONSEMI | 75W | 130 | 5MHz | 15A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | Nie dotyczy | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ONSEMI | 75W | 130 | 5MHz | 15A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | Nie dotyczy | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | ONSEMI | 75W | 130 | 5MHz | 15A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | Nie dotyczy | ||||||||||||||||||||||||||
2N6517
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 350V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6517BU; 2N6517TA; 2N6517CTA;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: 2N6517 RoHS Obudowa dokładna: TO92t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 625mW | 200 | 200MHz | 500mA | 350V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N6545
Tranzystor NPN; 60; 125W; 400V; 8A; 28MHz; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: 2N6545 Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | Motorola | 125W | 60 | 28MHz | 8A | 400V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Motorola Symbol Producenta: 2N6545 Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 18 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | Motorola | 125W | 60 | 28MHz | 8A | 400V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
2V7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
585000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
4506000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
444000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |