Tranzystory (wyszukane: 9603)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
540mOhm | 12A | 33W | TO220iso | LGE | 650V | MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
ZXMS6004DN8-13
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
600mOhm | 1,3A | 1,56W | SOIC08 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | -40°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
130000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 1,3A | 1,56W | SOIC08 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | -40°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
52500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 1,3A | 1,56W | SOIC08 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | -40°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
EPC2059
Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
EPC Symbol Producenta: EPC2059 RoHS Obudowa dokładna: DIE(2.8x1.4) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 24A | EPC | 170V | GANFET | -40°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
FDC658AP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2A | 1,56W | SOT23 | MSK | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 7A | 2W | SOP08 | Fairchild | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 6A | 2,1W | SOT23 | UMW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FQP47P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3855 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
732 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
519 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP50N06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 50A | 120W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQPF2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 2A | 23W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 2A | 23W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
130mOhm | 2,5A | 900mW | SOT23 | HX | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
345 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 84A | 200W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12mOhm | 84A | 200W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1404ZS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 180A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
98 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
490 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,7mOhm | 180A | 200W | D2PAK | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF4905PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 80A | 200W | TO220 | JSMICRO | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF4905 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
77 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 70A | 170W | TO220 | UMW | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF4905
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
4452 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/4000 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5855 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
60800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
46875 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20mOhm | 74A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF540N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 40A | 96W | TO220 | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 40A | 96W | TO220 | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF540NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 30A | 125W | TO220 | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF540NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NPBF; IRF 540 N PBF; IRF540N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
5824 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6990 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
76457 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
45383 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
44mOhm | 33A | 130W | TO220 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7301TRPBF JSMICRO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
28mOhm | 7A | 1,5W | SOP08 | JSMICRO | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7301TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
210 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 430 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,2A | 2W | SOP08 | UMW | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 570 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,2A | 2W | SOP08 | UMW | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7301TRPBF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; IRF7301PBF-GURT; IRF7301; IRF7301TRPBF-VB; IRF 7301 TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 620 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 5,2A | 2W | SOP08 | Infineon Technologies | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7317TRPBF
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
68000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
98mOhm | 6,6A | 2W | SOP08 | International Rectifier | 20V | 2xN/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7401TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
97 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | UMW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF7401
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF (95/Tube); IRF7401TRPBF(4000/Tape&Reel); IRF7401PBF-GURT; IRF7401TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | International Rectifier | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7401TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | International Rectifier | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF8736
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8736PBF; IRF8736TRPBF; IRF8736PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
162 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,8mOhm | 18A | 2,5W | SOP08 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF9317TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9317PBF; IRF9317TRPBF; SP001572200; SP001575412;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
10,2mOhm | 16A | 2,5W | SOP08 | UMW | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFL4310
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4310TRPBF; IRFL4310PBF; IRFL4310PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 2,2A | 2,1W | SOT223 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL4310TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 2,2A | 2,1W | SOT223 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL4310TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 2,2A | 2,1W | SOT223 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |