Tranzystory (wyszukane: 8525)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR3607TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3607PBF; IRFR3607TRPBF; SP001571628; SP001567010;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 60A | 56W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR3707ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 60A; 41W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3707ZPBF; IRFR3707ZTRLPBF; IRFR3707ZTRPBF; IRFR3707ZTRRPBF; SP001567546; SP001578160; SP001564908;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
14mOhm | 60A | 41W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR3710ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 50A | 85W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR5410TRPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410PBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRRPBF; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
65 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 12A | 40W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR5410 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
168 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Ilość (wielokrotność 1) |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
187000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
205mOhm | 13A | 66W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR5505TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 157mOhm; 9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
157mOhm | 9A | 3W | TO252 (DPACK) | UMW | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
105mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFS7534PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRLPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7534TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7534TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7534TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,9Ohm | 232A | 294W | D2PAK | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFU024N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU024NPBF; IRFU024NPBFAKLA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
54 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 17A | 45W | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFZ44ZPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
13,9mOhm | 51A | 80W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
497 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,9mOhm | 51A | 80W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
560 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,9mOhm | 51A | 80W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRLL2705 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL2705TRPBF; IRLL2705PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
64 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
17300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
345000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
182500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,2A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLL3303
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
45mOhm | 6,5A | 2,1W | SOT223 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0100
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; IRLML0100PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1740 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
474000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
210000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
46900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0060TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
116mOhm | 2,7A | 1,25W | SOT23 | UMW | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0100TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
290mOhm | 3A | 1W | SOT23 | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0100TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
235mOhm | 1,6A | 1,3W | SOT23 | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2803
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3217 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
675000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
22700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML5203 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2450 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
145mOhm | 3A | 300mW | SOT23 | UMW | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML6344 SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
29mOhm | 5A | 1,3W | SOT23 | HOTTECH | 30V | N-MOSFET | 4,5V | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: YJL3400A-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
29mOhm | 5A | 1,3W | SOT23 | HOTTECH | 30V | N-MOSFET | 4,5V | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
504 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | HXY MOSFET | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML6346TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 3,4A | 1,3W | SOT23 | UMW | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML6401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
866 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS F... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
903000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
396000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
507200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
125mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | INFINEON | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 10A | 5W | TO252 (DPACK) | JGSEMI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 80A | 54W | TO252 (DPACK) | JGSEMI | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | UMW | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
2890 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8mOhm | 86A | 75W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-13
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-01
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-19
Ilość szt.: 10000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
5mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-JFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-JFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-JFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
50Ohm | SOT23 | ONSEMI | N-JEFT | -55°C ~ 155°C | -35V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50Ohm | SOT23 | ONSEMI | N-JEFT | -55°C ~ 155°C | -35V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50Ohm | SOT23 | ONSEMI | N-JEFT | -55°C ~ 155°C | -35V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.