Tranzystory (wyszukane: 10395)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Typ tranzystora
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN3NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 4A | 3,3W | SOT223 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
944000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 4A | 3,3W | SOT223 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
136000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 4A | 3,3W | SOT223 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
163799 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 4A | 3,3W | SOT223 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
STW70N60M2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 68A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 68A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
2140 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 68A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
570 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 68A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
STW88N65M5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
29mOhm | 84A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
29mOhm | 84A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1140 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
29mOhm | 84A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1220 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
29mOhm | 84A | 450W | TO247 | STMicroelectronics | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
SUM90P10-19L-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 96 Ilość (wielokrotność 1) |
21mOhm | 90A | 375W | TO263 (D2PAK) | VISHAY | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
32800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
21mOhm | 90A | 375W | TO263 (D2PAK) | VISHAY | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
21mOhm | 90A | 375W | TO263 (D2PAK) | VISHAY | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N3055
Tranzystor NPN; 70; 115W; 60V; 15A; 3MHz; Odpowiednik: 2N3055-CDI; 2N3055HV-CDI 100V;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2N3055 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
910 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 115W | 70 | 3MHz | 15A | 60V | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3055AG Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnętrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | 115W | 70 | 3MHz | 15A | 60V | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N3055 Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnętrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | 115W | 70 | 3MHz | 15A | 60V | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-01-30
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
WPM2015 SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
110mOhm | 2,4A | 1,1W | SOT23 | KUU | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
110mOhm | 2,4A | 1,1W | SOT23 | KUU | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N3055 TO3 CDIL
NPN 60V 15A 115W 2N3055-CDI; T2N3055; 2N3055-NTE; 2N3055G; 2N3055HV-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
311 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100/500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | CDIL | 115W | 80 | 2,5MHz | 15A | 100V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N3055 TO247 LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: 2N3055 TO-3P RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
5082 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO3 | LGE | 115W | 70 | 2,5MHz | 15A | 70V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
IRF7401TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7401TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | UMW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | UMW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 8,7A | 2,5W | SOP08 | UMW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N3439
Tranzystor NPN; 160; 1W; 350V; 1A; 15MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3439-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
480 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | CDIL | 1W | 160 | 15MHz | 1A | 350V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N3440
Tranzystor NPN; 160; 1W; 250V; 1A; 15MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3440-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
270 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | CDIL | 1W | 160 | 15MHz | 1A | 250V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Central Semiconductor Symbol Producenta: 2N3440 PBFREE Obudowa dokładna: TO 39 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 39 | CDIL | 1W | 160 | 15MHz | 1A | 250V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Microchip Symbol Producenta: 2N3440 Obudowa dokładna: TO 39 |
Magazyn zewnętrzny:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 39 | CDIL | 1W | 160 | 15MHz | 1A | 250V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N3442 ON Semiconductors
Tranzystor NPN; 70; 117W; 140V; 10A; 80kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3442G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2N3442G RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
103 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 117W | 70 | 80kHz | 10A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N6027
Tranzystor PUT; 300mW; -50°C ~ 100°C; Odpowiednik: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
749 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
150mA | 300mW | TO92 | UTC | 40V | PUT | -50°C ~ 100°C | THT | ||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Central Semiconductor Symbol Producenta: 2N6027 PBFREE Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
3735 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mA | 300mW | TO92 | UTC | 40V | PUT | -50°C ~ 100°C | THT | ||||||||||||||||||||||||||||
|
2N7000 ZEHUA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
5,3Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | ZEHUA | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000BU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000-D26Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
106000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
34970 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: 2N7000 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
5380 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
5,3Ohm | 200mA | 400mW | TO92ammoformed | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 200mA | 350mW | TO92 | LGE | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | THT | |||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 200mA | 350mW | TO92 | LGE | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | THT | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
13,5Ohm | 115mA | 200mW | SOT23 | GALAXY | 60V | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
7002 SOT23 GAOGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 4Ohm; 340mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2364 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
4Ohm | 340mA | SOT23 | GAOGE | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | SMA | ||||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 300mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
7150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
13,5Ohm | 115mA | 200mW | SOT23 | JSMICRO | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002 MLCCBASE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
7Ohm | 115mA | 225mW | SOT23 | MLCCBASE | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8460 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
7,5Ohm | 115mA | 225mW | SOT23 | SLKOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
4Ohm | 430mA | 830mW | SOT23 | SHIKUES | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002-7-F
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
66450 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
13,5Ohm | 210mA | 540mW | SOT23 | DIODES | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: 2N7002-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
54000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 210mA | 540mW | SOT23 | DIODES | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
4254000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 210mA | 540mW | SOT23 | DIODES | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: 2N7002-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2001000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 210mA | 540mW | SOT23 | DIODES | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
EASTRONIC Symbol Producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
5Ohm | 300mA | 830mW | SOT-23 | MIC | 60V | 60V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 30V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
26475 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
5Ohm | 300mA | 830mW | SOT-23 | MIC | 60V | 60V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 30V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-12-31
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
4Ohm | 300mA | 350mW | SOT23 | JUXING | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
K2N7002-7-F KUU
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002; K2N7002T-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: K2N7002-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 10) |
3mOhm | 115mA | 225mW | SOT23 | KUU | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-12-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
523118 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
225999 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 115mA | 300mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002PS SOT363=TSSOP6
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1995 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 320mA | 420mW | SOT363 | NXP | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||