Tranzystory (wyszukane: 8519)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOTF240L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,7mOhm; 85A; 41W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF240L RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7mOhm | 85A | 41W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF2916L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 62mOhm; 17A; 23,5W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF2916L RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
62mOhm | 17A | 23,5W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF4185
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 34A; 33W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
AD - Analog Devices Symbol Producenta: AOTF4185 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
23mOhm | 34A | 33W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF4N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF4N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,2Ohm | 4A | 35W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HGTG40N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG40N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 520nC | 625W | 75A | 300A | 4,5V ~ 7,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
AOTF5N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,5Ohm; 5A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF5N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,5Ohm | 5A | 35W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF7N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF7N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,56Ohm | 7A | 38,5W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF7N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,56Ohm | 7A | 38,5W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF7N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,8Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF7N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,8Ohm | 7A | 38,5W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF7T60P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,1Ohm; 7A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,1Ohm | 7A | 38W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF9N90
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N90 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 9A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AOU2N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
4,4Ohm | 2A | 56,8W | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | 600V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
4,4Ohm | 2A | 56,8W | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | 600V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2SA970
Tranzystor PNP; 700; 300mW; 120V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SA970GR; 2SA970-GR(F,T); 2SA970-GR; Komplementarny do 2SC2240;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: 2SA970-GR RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 300mW | 700 | 100MHz | 100mA | 120V | PNP | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | CDIL | 300mW | 700 | 100MHz | 100mA | 120V | PNP | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SA970+2SC2240 (komplet,nie para)
Tranzystor PNP/NPN; 700; 300mW; 120V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 125°C; Uwaga! To nie jest ani komplet ani dobierana para ! Dwa tranzystory do parowania;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2SA970+2SC2240 RoHS Obudowa dokładna: TO92 |
Stan magazynowy:
880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | TOSHIBA | 300mW | 700 | 100MHz | 100mA | 120V | PNP+NPN | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGB10N60T;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
27 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | 62nC | 110W | 24A | 30A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGB10N60TATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2075 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | 62nC | 110W | 24A | 30A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||||||||||||
AP2301GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2301AGN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2260 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
190mOhm | 2,6A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2302AGN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2302AGN; AP2302AGN-HF; AP2302AGN-HF-ML; AP2302AGN-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
165 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 4,6A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2302GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 115mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2365 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
115mOhm | 3,2A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2303GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 460mOhm; 1,9A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2303GN; AP2303GN-HF; AP2303GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
460mOhm | 1,9A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2304AGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 190mOhm; 2,5A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
190mOhm | 2,5A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 3,2A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 90mOhm; 4A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2320 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 4A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 16V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2306GN-HF-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/21000 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 120mOhm; 3,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2309GN; AP2309GN-HF; AP2309GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 3,7A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2310GN JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,56W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 3A | 1,56W | SOT23 | JGSEMI | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 120mOhm; 3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 2,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2313GN-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 2,5A | 830mW | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 125mOhm; 3,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 3,5A | 830mW | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2316GN-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
72mOhm | 4,7A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 3,1A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 250mA | 700mW | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.