Tranzystory (wyszukane: 10689)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002BKS,115
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BKS,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1720 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 300mA | 340mW | SOT363 | NXP | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002BKW,115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1690 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 310mA | 330mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002BKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
186000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
2Ohm | 310mA | 330mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002DW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
295 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002DWH6327
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
4Ohm | 300mA | 500mW | SOT363 | INFINEON | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: 2N7002DWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
5700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
4Ohm | 300mA | 500mW | SOT363 | INFINEON | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: 2N7002DWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
2436000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
4Ohm | 300mA | 500mW | SOT363 | INFINEON | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002ET1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002ET1E3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 310mA | 420mW | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IM393M6FXKLA1
IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
SIP22 | Infineon Technologies | 20W | 15A | 10A | 13,5V ~ 16,5V | -40°C ~ 125°C | 600V | THT | 5V | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002EW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
5,3Ohm | 340mA | 200mW | SOT323 | AnBon | 60V | MOSFET | 20V | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
4Ohm | 300mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2910 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2910 Ilość (wielokrotność 1) |
4Ohm | 300mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: 2N7002H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Magazyn zewnętrzny:
162000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
4Ohm | 300mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002K-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 380mA | 370mW | SOT23 | DIODES | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002K JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 500mA | 350mW | SOT23 | JSMICRO | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002KT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
980 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
4Ohm | 300mA | 350mW | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002KW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 310mA | 300mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec.
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1240 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2,5Ohm | 340mA | 350mW | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N3771
Tranzystor NPN; 60; 150W; 40V; 30A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3771G; 2N3771-NTE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | CDIL | 150W | 60 | 200kHz | 30A | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N3772
Tranzystor NPN; 60; 150W; 60V; 20A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3772G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2N3772G RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 88 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | Inchange Semiconductors | 150W | 60 | 200kHz | 20A | 60V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002NXAKR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
162 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 162 Ilość (wielokrotność 10) |
4,5Ohm | 190mA | 265mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
318 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 838 Ilość (wielokrotność 10) |
4,5Ohm | 190mA | 265mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002NXAKR Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
4,5Ohm | 190mA | 265mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N3773
Tranzystor NPN; 60; 150W; 140V; 16A; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3773-CDI; 2N3773 SPTECH; 2N3773T3BL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2N3773 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
245 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | PMC-Sierra | 150W | 60 | 16A | 140V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
2,8Ohm | 270mA | 310mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002PS NXP
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125; 2N7002PS,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2970 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 320mA | 420mW | SC-88 | NXP | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002PW NXP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 310mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
222000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
2Ohm | 310mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002T-7-F SOT-523 DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
79 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 10) |
13,5Ohm | 115mA | 150mW | SOT523 | DIODES | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
K2N7002W-7-F KUU
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: K2N7002W-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 225mW | SOT323 | KUU | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002W
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002W-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 115mA | 225mW | SOT323 | LGE | 60V | MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002W SOT323 YANGJIE TECHNOLOGY
Mosfet, SOT-323, 60V, 0.115A, 150°C; 2N7002W-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: 2N7002W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2,5Ohm | 115mA | 200mW | SOT323 | YY | 60V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 310mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002W;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
11490 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5Ohm | 310mA | 280mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002WT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
1779000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
2,5Ohm | 310mA | 280mW | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N7008-G Microchip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 30V; 7,5Ohm; 230mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 230mA | 1W | TO92 | MICROCHIP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
2SJ162
Tranzystor P-Channel MOSFET; 160V; 15V; 7A; 100W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
7A | 100W | TO 3P | Renesas | 160V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 15V | THT | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N3904 JSMICRO
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3904,412; 2N3904-BP; 2N3904BU; 2N3904G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1555 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/3000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | JSMICRO | 625mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N3904 SLKOR
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3904,412; 2N3904-BP; 2N3904BU; 2N3904G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N3904
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3904-BP-HF; 2N3904-CEN; 2N3904 PBFREE; 2N3904-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: 2N3904 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Stan magazynowy:
3680 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000/16000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | CDIL | 625mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N3904 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | CDIL | 625mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||