Tranzystory (wyszukane: 8519)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRF4905S International Rectifier
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 70A | 170W | D2PAK | International Rectifier | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC2312
Tranzystor NPN; 180; 2W; 60V; 6A; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SC2312 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | PMC-Sierra | 2W | 180 | 6A | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
AUIRF7416QTR International Rectifier
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
35mOhm | 10A | 2,5W | SOIC08 | International Rectifier | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC2562 TOSHIBA
Tranzystor NPN; 240; 25W; 50V; 5A; 120MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1012;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: 2SC2562 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Inchange Semiconductors | 25W | 240 | 120MHz | 5A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC2625
Tranzystor NPN; 10; 80W; 400V; 10A; -55°C ~ 150°C; 2SC2625L-T3P-T
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
UTC Symbol Producenta: 2SC2625L-T3P-T RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | FUJI ELECTRIC | 80W | 10 | 10A | 400V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
AUIRF9540N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
46 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
117mOhm | 23A | 140W | TO220 | International Rectifier | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRF9Z34N International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 19A | 68W | TO-220AB | International Rectifier | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2SC2712-G SLKOR
Tranzystor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SLKOR | 150mW | 400 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC2712 JSMICRO
Tranzystor NPN; 240; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC2712-Y,LF; 2SC2712-Y-TP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SC2712 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JSMICRO | 150mW | 240 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC2712-Y SHIKUES
Tranzystor NPN; 240; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC2712-Y,LF; 2SC2712-Y-TP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SHIKUES | 150mW | 240 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC2712-GR UMW
Tranzystor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | UMW | 150mW | 400 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AUIRFR4104 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 119A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 119A | 140W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC2837 TO-3P
Tranzystor NPN; 50; 100W; 150V; 10A; 70MHz; -55°C ~ 150°C; (komplementarne 2SA1186 + 2SC2837)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
SPTECH Symbol Producenta: 2SC2837 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | PMC-Sierra | 100W | 50 | 70MHz | 10A | 150V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AUIRFR5305 International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 31A | 110W | DPAK | International Rectifier | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRFR8401 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
4,25mOhm | 100A | 79W | DPAK | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4,25mOhm | 100A | 79W | DPAK | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRFS8405 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3mOhm | 193A | 163W | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRFZ44N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
17,5mOhm | 49A | 94W | TO220AB | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2SC3263
Tranzystor NPN; 140; 130W; 230V; 15A; 60MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SC3263 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10/30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | 130W | 140 | 60MHz | 15A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-09
Ilość szt.: 30
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC3284
Tranzystor NPN; 50; 125W; 150V; 14A; 60MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SC3284 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
36 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
TO-3P | PMC-Sierra | 125W | 50 | 60MHz | 14A | 150V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AUIRLR014N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
222 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/225 Ilość (wielokrotność 1) |
210mOhm | 10A | 28W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC3356R
Tranzystor NPN; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356G-B-AE3-R;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HOTTECH | 200mW | 160 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: 2SC3356-S RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HOTTECH | 200mW | 160 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC3356 R25 SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | SLKOR | 200mW | 260 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AUIRLR3705Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 89A | 130W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BF1202WR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Philips Symbol Producenta: BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna: SOT343R |
Stan magazynowy:
69 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 69 Ilość (wielokrotność 1) |
30mA | 200mW | SOT343R | NXP | 10V | 2xN-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 6V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2SC3519
Tranzystor NPN; 50; 130W; 160V; 15A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SC3519 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | PMC-Sierra | 130W | 50 | 50MHz | 15A | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Sanken Symbol Producenta: 2SC3519 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
99 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | PMC-Sierra | 130W | 50 | 50MHz | 15A | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BF998 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BF998 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
30mA | 200mW | SOT143 | Infineon Technologies | 12V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
IKD04N60R
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 27nC | 75W | 8A | 12A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKD04N60RATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 27nC | 75W | 8A | 12A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IKD06N60RF
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKD06N60RFAATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
26 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 48nC | 100W | 12A | 18A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SC3838KT146P
Tranzystor NPN; 180; 200mW; 11V; 50mA; 3,2GHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC3838KT146N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-59 | ROHM | 200mW | 180 | 3,2GHz | 50mA | 11V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 4,8A | 1,5W | SOT23 | BORN | 20V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 8V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.