Tranzystory (wyszukane: 9589)

1    19  20  21  22  23  24  25  26  27    320
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
AP2304AGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 190mOhm; 2,5A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2304AGN-HF-3 RoHS || AP2304AGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2304AGN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
110 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,7070 0,4960 0,4310 0,4030
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
190mOhm 2,5A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2305CGN-HF-3 RoHS || AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2305CGN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5920 0,3880 0,3350 0,3090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 3,2A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 90mOhm; 4A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2307GN-HF-3 RoHS || AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2307GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2320 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8460 0,4290 0,2600 0,2060 0,1880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 4A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 16V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
AP2306GN-HF-3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;
AP2306GN-HF-3TR RoHS N6.. || AP2306GN-HF-3 RoHS N6.. || AP2306GN-HF-3 Pbf N6.. || AP2306GN-HF-3 SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2306GN-HF-3TR RoHS N6..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
51000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5640 0,3730 0,3110 0,2920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
50mOhm 5,3A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2306GN-HF-3 RoHS N6..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5640 0,3730 0,3110 0,2920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/21000
Ilość (wielokrotność 1)
50mOhm 5,3A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2306GN-HF-3 Pbf N6..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5640 0,3730 0,3110 0,2920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
50mOhm 5,3A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 120mOhm; 3,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2309GN; AP2309GN-HF; AP2309GN-HF-3;
AP2309GN-HF-3 Pbf NB.. || AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2309GN-HF-3 Pbf NB..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6330 0,4190 0,3490 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 3,7A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2310GN-HF-3-CN CHIPNOBO Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 125mOhm; 3A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3;
AP2310GN-HF-3-CN RoHS || AP2310GN-HF-3-CN CHIPNOBO SOT23
Producent:
CHIPNOBO
Symbol Producenta:
AP2310GN-HF-3-CN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9770 0,5340 0,3500 0,3030 0,2790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
125mOhm 3A 350mW SOT23 CHIPNOBO 60V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 20V SMD
AP2310GN JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,56W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3;
AP2310GN RoHS || AP2310GN JGSEMI SOT23
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
AP2310GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6510 0,4310 0,3590 0,3370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
100mOhm 3A 1,56W SOT23 JGSEMI 60V N-MOSFET -50°C ~ 125°C 20V SMD
AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 120mOhm; 3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3TR;
AP2310GN RoHS || AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2310GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3600 0,7210 0,5590 0,5160 0,4940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 3A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2310GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3600 0,7210 0,5590 0,5160 0,4940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 3A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 2,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2313GN-HF-3TR;
AP2313GN-HF-3 RoHS || AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2313GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2800 0,7030 0,4610 0,3980 0,3670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
300mOhm 2,5A 830mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 125mOhm; 3,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C;
AP2314GN-HF-3 RoHS || AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2314GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5590 0,3330 0,2760 0,2480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
125mOhm 3,5A 830mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2316GN-HF-3TR;
AP2316GN-HF-3 RoHS || AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2316GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5590 0,3330 0,2760 0,2480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
72mOhm 4,7A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2319GN-HF-3 RoHS || AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2319GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9350 0,5110 0,3350 0,2900 0,2670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 3,1A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. || AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2320GN-HF-3 RoHS NN..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4600 0,8020 0,6310 0,5840 0,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
9Ohm 250mA 700mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 39mOhm; 6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2324GN-HF RoHS || AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2324GN-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3900 0,7630 0,6000 0,5560 0,5330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
39mOhm 6A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 5,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. || AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2334GN-HF-3 RoHS M5..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3000 0,6890 0,5340 0,4930 0,4720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
42mOhm 5,6A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP2603GY RoHS || AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2603GY RoHS
Obudowa dokładna:
SOT26
karta katalogowa
Stan magazynowy:
124 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5660 0,3740 0,3120 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 5A 2W SOT26 Advanced Power Electronics Corp. 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 2,6Ohm; 570mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP2608GY-HF-3 RoHS YF.. || AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2608GY-HF-3 RoHS YF..
Obudowa dokładna:
SOT26
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3000 0,6890 0,5340 0,4930 0,4720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2,6Ohm 570mA 2W SOT26 Advanced Power Electronics Corp. 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
AP2N7002K-HF RoHS || AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2N7002K-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6990 0,3320 0,1870 0,1420 0,1270
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
4Ohm 450mA 700mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IGP30N60H3 Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGP30N60H3XKSA1;
IGP30N60H3 RoHS || IGP30N60H3XKSA1 RoHS || IGP30N60H3XKSA1 || IGP30N60H3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGP30N60H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,7900 6,5300 5,8100 5,3600 5,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO220 Infineon Technologies 165nC 187W 60A 120A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGP30N60H3XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,7900 6,5300 5,8100 5,3600 5,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO220 Infineon Technologies 165nC 187W 60A 120A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGP30N60H3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO220 Infineon Technologies 165nC 187W 60A 120A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4410GM RoHS || AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4410GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
440 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4200 0,7870 0,6210 0,5640 0,5460
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
22mOhm 10A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GJ-HF RoHS || AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GJ-HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5800 1,6200 1,3400 1,2000 1,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
36mOhm 40A 44,6W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GM RoHS || AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO 8
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SO 8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6200 0,8910 0,7010 0,6490 0,6220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5900 1,0400 0,7440 0,6510 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGEM-HF  RoHS || AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGEM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9400 1,0700 0,8390 0,7770 0,7450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 8A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGM RoHS || AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
125 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5800 1,0300 0,7390 0,6470 0,6060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501GM RoHS || AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8000 1,1800 0,8430 0,7370 0,6910
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503BGM RoHS || AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503BGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5500 1,0200 0,7300 0,6380 0,5980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
45mOhm 8,2A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2700 1,2600 0,9950 0,9380 0,9080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
55mOhm 6,9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9W; -55°C ~ 150°C;
AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4578GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2700 1,3800 1,0600 0,9540 0,9080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 9A 8,9W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4800DGM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3900 0,9130 0,6540 0,5720 0,5360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP60T10GS-HF-3TR;
AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
435 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,3900 2,9200 2,4200 2,1800 2,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
18mOhm 67A 167W TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
1    19  20  21  22  23  24  25  26  27    320