Tranzystory (wyszukane: 10614)
| Produkt | Koszyk | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1880 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
111000 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
NTS4173PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2795 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2040 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SI2304DDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
SI2308BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
140 szt. |
|||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 150 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
AS3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2900 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SI4435DDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
|||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
130 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2350 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
SI4459ADY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
|||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SI9407BDY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
|||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Stan magazynowy:
14 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
3100 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
SI9433BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
|
|||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SI9926BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
|
|||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SK3415 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
2N3019
Tranzystor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
Microchip Symbol Producenta: 2N3019 Obudowa dokładna: TO 39 |
Magazyn zewnętrzny:
105 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N3019 Obudowa dokładna: TO 39 |
Magazyn zewnętrzny:
1800 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
SKML2402 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SKQ50N03BD SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
STF14NM50N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
1910 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
STN1HNK60
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
44000 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
STN3NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
STW70N60M2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
STW88N65M5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
SUM90P10-19L-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 96 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
800 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
35200 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
2N3055
Tranzystor NPN; 70; 115W; 60V; 15A; 3MHz; Odpowiednik: 2N3055-CDI; 2N3055HV-CDI 100V;
|
|||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2N3055 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
1678 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N3055 Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnętrzny:
250 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||
|
WPM2015 SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
2N3055 TO3 CDIL
NPN 60V 15A 115W 2N3055-CDI; T2N3055; 2N3055-NTE; 2N3055G; 2N3055HV-CDI;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
151 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100/500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
2N3055 TO247 LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C;
|
|||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: 2N3055 TO-3P RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
4892 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
IRF7401TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
|
2N3439
Tranzystor NPN; 160; 1W; 350V; 1A; 15MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3439-CDI;
|
|||||||||||||
|
Stan magazynowy:
460 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||