Tranzystory (wyszukane: 9780)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
440 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 10A | 2,5W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
36 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
36mOhm | 40A | 44,6W | TO251 (IPACK) | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 9A | 2,5W | SO 8 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 9A | 2,5W | SO 8 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 8A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
125 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 7A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 7A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
45mOhm | 8,2A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 6,9A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 9A | 8,9W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 9A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP60T10GS-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
435 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
18mOhm | 67A | 167W | TO263 (D2PAK) | Advanced Power Electronics Corp. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
15mOhm | 62A | 60W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 80A | 83,3W | TO220 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
72 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
10mOhm | 75A | 107W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9435GG
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; AP9435GG-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 4,2A | 1,25W | SOT89 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 20A | 12,5W | TO251 (IPACK) | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 6A; 2,7W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 6A | 2,7W | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9435GM-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 5,3A | 2,5W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
13mOhm | 12,8A | 2,5W | SO-8 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 26A | 39W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80/160 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 26A | 39W | TO251 (IPACK) | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 6,8A | 2,8W | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 6A | 2,5W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
380 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 22A | 34,7W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 4,6A | 1W | TSSOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9962GH-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 32A | 27,8W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta: AP9971GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 25A | 39W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 125mOhm; 11A; 21W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 11A | 21W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 3,2A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
285 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 3,2A | 2,8W | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 42nC | 88W | 12A | 18A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGD06N60T Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 42nC | 88W | 12A | 18A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 20V | 600V |