Tranzystory (wyszukane: 9617)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOU2N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
4,4Ohm | 2A | 56,8W | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | 600V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
4,4Ohm | 2A | 56,8W | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | 600V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP2301GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2301AGN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2110 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
190mOhm | 2,6A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2302AGN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2302AGN; AP2302AGN-HF; AP2302AGN-HF-ML; AP2302AGN-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
55 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 4,6A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2302GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 115mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2365 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
115mOhm | 3,2A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2303GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 460mOhm; 1,9A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2303GN; AP2303GN-HF; AP2303GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
460mOhm | 1,9A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2304AGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 190mOhm; 2,5A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
190mOhm | 2,5A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 3,2A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 90mOhm; 4A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2320 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 4A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 16V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2306GN-HF-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/21000 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 5,3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 120mOhm; 3,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2309GN; AP2309GN-HF; AP2309GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 3,7A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2310GN-HF-3-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 125mOhm; 3A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 3A | 350mW | SOT23 | CHIPNOBO | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2310GN JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,56W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 3A | 1,56W | SOT23 | JGSEMI | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 120mOhm; 3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 3A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 2,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2313GN-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 2,5A | 830mW | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 125mOhm; 3,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 3,5A | 830mW | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2316GN-HF-3TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
72mOhm | 4,7A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 3,1A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 250mA | 700mW | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 39mOhm; 6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
39mOhm | 6A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 42nC | 88W | 12A | 18A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGD06N60T Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 42nC | 88W | 12A | 18A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 5,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
42mOhm | 5,6A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
124 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 5A | 2W | SOT26 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 2,6Ohm; 570mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2,6Ohm | 570mA | 2W | SOT26 | Advanced Power Electronics Corp. | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
4Ohm | 450mA | 700mW | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
440 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 10A | 2,5W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
36 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
36mOhm | 40A | 44,6W | TO251 (IPACK) | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 9A | 2,5W | SO 8 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 9A | 2,5W | SO 8 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 8A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
125 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 7A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 7A | 2W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |