Tranzystory (wyszukane: 9780)

1    18  19  20  21  22  23  24  25  26    326
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie bramka-emiter
Napięcie kolektor-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4410GM RoHS || AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4410GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
440 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,5600 0,8640 0,6820 0,6190 0,5990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
22mOhm 10A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GJ-HF RoHS || AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GJ-HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8300 1,7800 1,4700 1,3100 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
36mOhm 40A 44,6W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GM RoHS || AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO 8
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SO 8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7800 0,9800 0,7700 0,7130 0,6840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7400 1,1400 0,8170 0,7150 0,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGEM-HF  RoHS || AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGEM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0500 1,1400 0,8960 0,8450 0,8180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 8A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGM RoHS || AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
125 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7300 1,1300 0,8130 0,7110 0,6660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501GM RoHS || AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8840 0,7980 0,7590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503BGM RoHS || AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503BGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7100 1,1200 0,8020 0,7010 0,6570
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
45mOhm 8,2A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
55mOhm 6,9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9W; -55°C ~ 150°C;
AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4578GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4900 1,5100 1,1600 1,0500 0,9970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 9A 8,9W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4800DGM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0000 0,7170 0,6270 0,5880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP60T10GS-HF-3TR;
AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
435 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
18mOhm 67A 167W TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55°C ~ 175°C;
AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP72T03GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,2800 1,0100 0,9480 0,9180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
15mOhm 62A 60W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP80N03GP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6600 1,3000 1,2300 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
12mOhm 80A 83,3W TO220 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55°C ~ 175°C;
AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP85T03GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
72 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7300 1,4400 1,2800 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
10mOhm 75A 107W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP9435GG Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; AP9435GG-VB;
AP9435GG-HF RoHS || AP9435GG SOT-89
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GG-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT-89
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 1,7200 1,1200 0,8240 0,7090 0,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 4,2A 1,25W SOT89 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5W; -55°C ~ 150°C;
AP9435GJ ROHS || AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GJ ROHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8840 0,7980 0,7590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 20A 12,5W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 6A; 2,7W; -55°C ~ 150°C;
AP9435GK RoHS || AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GK RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6900 1,6900 1,4000 1,2500 1,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
100mOhm 6A 2,7W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9435GM-HF-3TR;
AP9435GM-HF RoHS || AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5690 0,4410 0,4070 0,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 5,3A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP9474GM-HF RoHS || AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO-8
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9474GM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SO-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4100 1,4600 1,1200 1,0100 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
13mOhm 12,8A 2,5W SO-8 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GH RoHS || AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7100 1,1200 0,8040 0,7030 0,6590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 26A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GJ RoHS || AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GJ RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 80+ 160+ 800+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8420 0,8030 0,7580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
80/160
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 26A 39W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GK RoHS || AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GK RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,0800 0,8530 0,8050 0,7790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 6,8A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GM RoHS || AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0100 1,2100 0,9340 0,8430 0,8020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 6A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7W; -55°C ~ 150°C;
AP9567GH RoHS || AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9567GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
380 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,0600 0,8340 0,7570 0,7330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
70mOhm 22A 34,7W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
AP9926GEO RoHS || AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TSSOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9926GEO RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4200 0,9280 0,6650 0,5810 0,5450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
40mOhm 4,6A 1W TSSOP08 Advanced Power Electronics Corp. 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9962GH-HF-3TR;
AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9962GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4600 1,9300 1,7600 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 32A 27,8W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9971GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1400 0,8740 0,7870 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
50mOhm 25A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 125mOhm; 11A; 21W; -55°C ~ 150°C;
AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9977GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0200 1,2100 0,9270 0,8350 0,8060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
125mOhm 11A 21W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 3,2A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9997GK-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
285 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,6200 1,6500 1,3000 1,1800 1,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
200mOhm 3,2A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
IGD06N60TATMA1 RoHS || IGD06N60T || IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGD06N60TATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7000 3,1300 2,5900 2,3400 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 42nC 88W 12A 18A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 20V 600V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGD06N60T
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 42nC 88W 12A 18A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 20V 600V
1    18  19  20  21  22  23  24  25  26    326