Tranzystory (wyszukane: 9632)

1    20  21  22  23  24  25  26  27  28    322
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TAP9926geo info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AP9926GEO RoHS || AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TSSOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta:
AP9926GEO RoHS Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4200 0,9280 0,6650 0,5810 0,5450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
40mOhm 4,6A 1W TSSOP08 Advanced Power Electronics Corp. 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9962GH-HF-3TR;
Symbol Micros: TAP9962gh-hf-3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta:
AP9962GH RoHS Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4600 1,9300 1,7600 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 32A 27,8W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TAP9971gh-hf-3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta:
AP9971GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna:
TO252t/r  
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1400 0,8740 0,7870 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
50mOhm 25A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 125mOhm; 11A; 21W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TAP9977gh-hf-3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta:
AP9977GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0200 1,2100 0,9270 0,8350 0,8060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
125mOhm 11A 21W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 3,2A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TAP9997gk-hf-3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta:
AP9997GK-HF-3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
285 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,6200 1,6500 1,3000 1,1800 1,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
200mOhm 3,2A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IGW15N120H3FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3;
Symbol Micros: TIGW15n120h3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW15N120H3FKSA1 RoHS || IGW15N120H3FKSA1 || IGW15N120H3FKSA1 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW15N120H3FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,1000 11,6500 10,7800 10,3400 10,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C SMD 1200V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
80 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,6011
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C SMD 1200V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
187 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C SMD 1200V 20V
IGW25N120H3 Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
Symbol Micros: TIGW25n120h3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW25N120H3FKSA1 RoHS || IGW25N120H3FKSA1 || IGW25N120H3 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW25N120H3FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
27 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,2300 19,5400 17,3200 16,2100 15,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW25N120H3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
348 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
IGW30N60T Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
Symbol Micros: TIGW30n60t info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW30N60TFKSA1 RoHS || IGW30N60TFKSA1 || IGW30N60T TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW30N60TFKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,9300 11,5100 10,0700 9,3800 8,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 167nC 187W 45A 90A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW30N60TFKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 167nC 187W 45A 90A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW40N60H3FKSA1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N60H3;
Symbol Micros: TIGW40n60h3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW40N60H3FKSA1 RoHS || IGW40N60H3FKSA1 || IGW40N60H3FKSA1 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW40N60H3FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,5300 12,0200 11,1200 10,6600 10,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW40N60H3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
2260 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW40N60H3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
155 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW40N60H3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
180 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW40N65F5 Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N65F5FKSA1;
Symbol Micros: TIGW40n65f5 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW40N65F5FKSA1 RoHS || IGW40N65F5FKSA1 || IGW40N65F5 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW40N65F5FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,5300 13,0600 11,5700 10,8400 10,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 95nC 250W 74A 120A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 650V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW40N65F5FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
440 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 95nC 250W 74A 120A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 650V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW40N65F5FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
320 szt.
Ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 95nC 250W 74A 120A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 650V 20V
2SB1647 Tranzystor PNP Darlington; 5000; 130W; 150V; 15A; 45MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SD2560;
Symbol Micros: T2SB1647 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SB1647 RoHS || 2SB1647 TO 3P
Producent:
Sanken Symbol Producenta:
2SB1647 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,3900 6,6600 6,0200 5,6900 5,5900
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
import Symbol Producenta:
2SB1647 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P  
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,3900 6,6600 6,0200 5,6900 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Sanken Symbol Producenta:
2SB1647 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,3900 6,6600 6,0200 5,6900 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
IGW50N60H3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik:IGW50N60H3FKSA1;
Symbol Micros: TIGW50n60h3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW50N60H3FKSA1 RoHS || IGW50N60H3FKSA1 || IGW50N60H3 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW50N60H3FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 24,7300 20,8000 18,4400 17,2600 16,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 315nC 333W 100A 200A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW50N60H3FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
460 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 315nC 333W 100A 200A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW50N65F5FKSA1 Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
Symbol Micros: TIGW50n65f5 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW50N65F5FKSA1 RoHS || IGW50N65F5FKSA1 || IGW50N65F5FKSA1 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW50N65F5FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
cena netto (PLN) 21,3500 19,1700 18,1400 17,9400 17,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 305W 80A 150A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C SMD 650V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW50N65F5FKSA1 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnetrzny:
58 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO247 Infineon Technologies 120nC 305W 80A 150A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C SMD 650V 20V
IGW60T120FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
Symbol Micros: TIGW60t120 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW60T120FKSA1 RoHS || IGW60T120FKSA1 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW60T120FKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 26,8700 24,7400 23,4300 22,7700 22,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 280nC 375W 100A 150A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 150°C THT 1200V 20V
2SB772P Tranzystor PNP; 320; 10W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: ALJB772P61; UTC 2SB772L-P-T60-K;
Symbol Micros: T2SB772 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SB772 RoHS || 2SB772P TO126
Producent:
LGE Symbol Producenta:
2SB772 RoHS Obudowa dokładna:
TO126  
Stan magazynowy:
12355 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,5980 0,3920 0,3540 0,3120
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
TO126 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10W 320 80MHz 3A 30V PNP -55°C ~ 150°C
IGW75N60T Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
Symbol Micros: TIGW75n60t info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IGW75N60TFKSA1 RoHS || IGW75N60T TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IGW75N60TFKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 25,9100 21,7900 19,3200 18,0800 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 470nC 428W 150A 225A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IHW15N120R3 Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1
Symbol Micros: TIHW15n120r3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IHW15N120R3 RoHS || IHW15N120R3 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IHW15N120R3 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 9,1400 7,2500 6,4300 6,1500 6,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 165nC 254W 30A 45A 5,1V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
2SC1623 HXY MOSFET Tranzystor NPN; 600; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF;
Symbol Micros: T2SC1623 HXY info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
2SC1623 RoHS || 2SC1623 HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET Symbol Producenta:
2SC1623 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,1950 0,0723 0,0382 0,0282 0,0269
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 HXY MOSFET 200mW 600 250MHz 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
2SC1623 UMW Tranzystor NPN; 400; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF;
Symbol Micros: T2SC1623 UMW info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
2SC1623 RoHS || 2SC1623 UMW SOT23
Producent:
UMW Symbol Producenta:
2SC1623 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2460 0,0920 0,0492 0,0368 0,0339
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 UMW 200mW 400 250MHz 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
IHW20N135R3 Tranzystor IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C; IHW20N135R3FKSA1
Symbol Micros: TIHW20n135r3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IHW20N135R3 RoHS || IHW20N135R3 TO247
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IHW20N135R3 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,9900 12,0200 10,8700 10,3000 9,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 195nC 310W 40A 60A 5,1V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1350V 20V
2SC1815 Tranzystor NPN; 700; 400mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SC1815-CEN;
Symbol Micros: T2SC1815 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
2SC1815 RoHS || 2SC1815 TO92
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta:
2SC1815 RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul  
Stan magazynowy:
1170 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4500 0,1780 0,1050 0,0773 0,0692
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/9000
Ilość (wielokrotność 10)
TO92 HOTTECH 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -55°C ~ 125°C
2SC1815 Central Semiconductor Corp. Tranzystor NPN; 700; 400mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SC1815-CEN;
Symbol Micros: T2SC1815 CEN info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC1815 RoHS || 2SC1815 Central Semiconductor Corp. TO92
Producent:
CEN - Central Semiconductor Corp. Symbol Producenta:
2SC1815 RoHS Obudowa dokładna:
TO92  
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,9500 4,5400 3,7600 3,2900 3,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TO92 Central Semiconductor Corp. 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -55°C ~ 125°C
2SC1815 SLKOR Tranzystor NPN; 700; 400mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1815-CEN;
Symbol Micros: T2SC1815 SLK info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
2SC1815 RoHS || 2SC1815 SLKOR TO92
Producent:
SLKOR Symbol Producenta:
2SC1815 RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2300 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3580 0,1410 0,0823 0,0602 0,0550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/3000
Ilość (wielokrotność 10)
TO220 SLKOR 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
2SC1815 Tranzystor NPN; 700; 400mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: T2SC1815 sot23 HOT info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC1815 RoHS || 2SC1815 SOT23
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta:
2SC1815 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2220 0,0830 0,0444 0,0332 0,0306
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 HOTTECH 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -50°C ~ 150°C Nie dotyczy
2SC2078 JSMICRO Tranzystor NPN; 200; 1,2W; 75V; 3A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: T2SC2078 JSM info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC2078 RoHS || 2SC2078 JSMICRO TO220
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta:
2SC2078 RoHS Obudowa dokładna:
TO220  
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,1900 3,9600 3,2800 2,8700 2,7300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO220 JSMICRO 1,2W 200 100MHz 3A 75V NPN -55°C ~ 150°C
2SC2240 TOSHIBA Tranzystor NPN; 700; 300mW; 120V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 125°C; Komplementarny do 2SA970; 2SC2240-G = 2SC2240-GR;
Symbol Micros: T2SC2240 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC2240-GR RoHS || 2SC2240 TOSHIBA TO92
Producent:
LGE Symbol Producenta:
2SC2240-GR RoHS Obudowa dokładna:
TO92  
Stan magazynowy:
800 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5840 0,2230 0,1260 0,1040 0,0973
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
TO92 TOSHIBA 300mW 700 100MHz 100mA 120V NPN -55°C ~ 125°C
2SC2312 Tranzystor NPN; 180; 2W; 60V; 6A; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: T2SC2312 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC2312 RoHS || 2SC2312 TO220
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta:
2SC2312 RoHS Obudowa dokładna:
TO220  
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0200 3,8300 3,1700 2,7800 2,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO220 PMC-Sierra 2W 180 6A 60V NPN -55°C ~ 150°C
2SC2562 TOSHIBA Tranzystor NPN; 240; 25W; 50V; 5A; 120MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1012;
Symbol Micros: T2SC2562 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC2562 RoHS || 2SC2562 TOSHIBA TO220
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta:
2SC2562 RoHS Obudowa dokładna:
TO220  
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,2900 4,8000 3,9700 3,4800 3,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO220 Inchange Semiconductors 25W 240 120MHz 5A 50V NPN -55°C ~ 150°C
2SC2625 Tranzystor NPN; 10; 80W; 400V; 10A; -55°C ~ 150°C; 2SC2625L-T3P-T
Symbol Micros: T2SC2625 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC2625L-T3P-T RoHS || 2SC2625 TO247
Producent:
UTC Symbol Producenta:
2SC2625L-T3P-T RoHS Obudowa dokładna:
TO247  
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,4400 4,7800 4,0800 3,8400 3,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 FUJI ELECTRIC 80W 10 10A 400V NPN -55°C ~ 150°C
2SC2625 TO-3PN OSEN Tranzystor NPN; Bipolarny; 35; 400V; 4MHz; 8mA; 125W; -55°C~150°C; Odpowiednik: 2SC2625; 2SC2625T4TL; 2SC2625L-T3P-T;
Symbol Micros: T2SC2625 c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC2625 RoHS || 2SC2625 TO-3PN OSEN TO 3PN
Producent:
OSEN Symbol Producenta:
2SC2625 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3PN
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 90+ 450+
cena netto (PLN) 4,8100 3,3700 2,7800 2,6300 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3PN OSEN 125W 35 4MHz 8A 400V NPN -55°C ~ 150°C
1    20  21  22  23  24  25  26  27  28    322