Tranzystory (wyszukane: 10689)

1    14  15  16  17  18  19  20  21  22    357
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Ładunek bramki
Częstotliwość graniczna
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalny prąd kolektora
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Napięcie kolektor-emiter
Montaż
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
Symbol Micros: TIRLML6344 HXY info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLML6344TRPBF RoHS || IRLML6344TRPBF HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET Symbol Producenta:
IRLML6344TRPBF RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6000 0,2850 0,1600 0,1220 0,1090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
55mOhm 5,8A 1,4W SOT23 HXY MOSFET 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
HXY MOSFET Symbol Producenta:
IRLML6344TRPBF RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
104 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6000 0,2400 0,1390 0,1160 0,1090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
55mOhm 5,8A 1,4W SOT23 HXY MOSFET 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
IRLML6346TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
Symbol Micros: TIRLML6346 UMW info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLML6346TR RoHS || IRLML6346TR UMW SOT23
Producent:
UMW Symbol Producenta:
IRLML6346TR RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0400 0,5280 0,3180 0,2520 0,2320
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
80mOhm 3,4A 1,3W SOT23 UMW 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
IRLML6401 Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Symbol Micros: TIRLML6401 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLML6401TR RoHS || IRLML6401TR RoHS F... || IRLML6401TRPBF || IRLML6401 SOT23
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
146 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6860 0,4550 0,3800 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
125mOhm 4,3A 1,3W SOT23 INFINEON 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLML6401TR RoHS F... Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6860 0,4550 0,3800 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
125mOhm 4,3A 1,3W SOT23 INFINEON 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
574100 szt.
Ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		125mOhm 4,3A 1,3W SOT23 INFINEON 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
213000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		125mOhm 4,3A 1,3W SOT23 INFINEON 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
IRLR8726TRPBF-CN CHIPNOBO Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Symbol Micros: TIRLR8726 CNB info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR8726TRPBF-CN RoHS || IRLR8726TRPBF-CN CHIPNOBO TO252 (DPACK)
Producent:
CHIPNOBO Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF-CN RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7040 0,5480 0,4950 0,4790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
7,4mOhm 90A 39W TO252 (DPACK) CHIPNOBO 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IRLR8726TRPBF JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Symbol Micros: TIRLR8726 JGS info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF JGSEMI TO252 (DPACK)
Producent:
JGSEMI Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3200 0,8450 0,5940 0,5050 0,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
11mOhm 80A 54W TO252 (DPACK) JGSEMI 30V N-MOSFET -55°C ~ 125°C 20V SMD
IRLR8726TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Symbol Micros: TIRLR8726 UMW info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR8726TR RoHS || IRLR8726TR UMW TO252 (DPACK)
Producent:
UMW Symbol Producenta:
IRLR8726TR RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8570 0,6030 0,5120 0,4870
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) UMW 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
IRLR8726TRPBF Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Symbol Micros: TIRLR8726 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF || IRLR8726TRPBF TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
10350 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,0600 0,8340 0,7570 0,7330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) Infineon (IRF) 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,8988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) Infineon (IRF) 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
MMBF5484 Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMMBF5484 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBF5484 RoHS || MMBF5484 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1300 0,5980 0,4640 0,4280 0,4100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
5mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 25V N-JFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
MMBFJ112 Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Symbol Micros: TMMBFJ112 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MMBFJ112 RoHS || MMBFJ112 SOT23
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
MMBFJ112 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1880 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6800 0,4520 0,3770 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
50Ohm SOT23 ONSEMI N-JEFT -55°C ~ 155°C -35V SMD
NTD5865NLT4G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TNTD5865nl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,2700 2,0500 1,7000 1,5200 1,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
19mOhm 46A 71W TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
NTD5867N Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
Symbol Micros: TNTD5867n c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867N TO252
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
NTD5867NLT4G RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 2,8800 1,8000 1,4400 1,2900 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
33mOhm 20A 50W TO252 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
NTS4173PT1G Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TNTS4173pt1g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NTS4173PT1G RoHS || NTS4173PT1G || NTS4173PT1G SOT323
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G RoHS Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2795 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7120 0,5520 0,5090 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
NTS4173PT1G Obudowa dokładna:
SOT323  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301CDS-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
Symbol Micros: TSI2301cds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS || SI2301CDS-T1-GE3 || SI2301CDS-T1-GE3 SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4050 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1300 0,6240 0,4140 0,3460 0,3220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
585000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3759
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
SI2304DDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI2304dds info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS SOT23
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6640 0,5170 0,4670 0,4520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI2308BDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Symbol Micros: TSI2308bds c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
SI2308BDS RoHS E8. Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
cena netto (PLN) 1,1000 0,6990 0,5060 0,4330 0,3990
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
105mOhm 3A 350mW SOT23 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AS3400 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TSI3400 ANB info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Producent:
AnBon Symbol Producenta:
AS3400 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6930 0,3290 0,1850 0,1410 0,1260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
51mOhm 5,6A 1,2W SOT23 AnBon 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI4435DDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Symbol Micros: TSI4435ddy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3500 1,3100 1,0300 0,9720 0,9410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
171 szt.
Ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,2110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
2700 szt.
Ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI4459ADY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI4459ady info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,1100 3,5700 2,9400 2,7300 2,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9407BDY Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Symbol Micros: TSI9407bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY SOP08
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0300 1,6000 1,4600 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
3 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0300 1,6000 1,4600 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
190 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0300 1,6000 1,4600 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
700
Ilość (wielokrotność 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
112500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna:
SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
1850 szt.
Ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6158
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9433BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Symbol Micros: TSI9433bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,4200 4,1300 3,4200 3,0000 2,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,4200 3,7900 3,2200 2,9500 2,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI9926BDY Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Symbol Micros: TSI9926bdy info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r  
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7500 1,3800 1,2600 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 6,2A 1,14W SOP08 VISHAY 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SK3415 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
Symbol Micros: TSK3415 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SK3415 RoHS Obudowa dokładna:
SC59
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9140 0,4620 0,2780 0,2200 0,2030
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
180mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 25V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2402 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
Symbol Micros: TSKML2402 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKML2402 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9240 0,4370 0,2450 0,1850 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
80mOhm 2A 700mW SOT23 SHIKUES 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SKQ50N03BD SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TSKQ50N03bd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKQ50N03BD RoHS Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3000 0,8270 0,5800 0,5030 0,4710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
8mOhm 50A 30W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
STF14NM50N Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTF14NM50n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STF14NM50N RoHS || STF14NM50N || STF14NM50N TO220iso
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,7800 5,4100 4,6300 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STF14NM50N Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 550+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STN1HNK60 Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTN1HNK60 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 SOT223
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN1HNK60 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 1,9200 1,1700 0,8980 0,7970 0,7690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
STN3NF06L Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTN3nf06l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STN3NF06L RoHS || STN3NF06L SOT223
Producent:
ST Symbol Producenta:
STN3NF06L RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9200 1,8500 1,4600 1,3300 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
120mOhm 4A 3,3W SOT223 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
STW70N60M2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTW70N60M2 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 || STW70N60M2 TO247
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW70N60M2 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 29,7800 27,9700 26,8300 26,2400 25,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW70N60M2 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnętrzny:
2140 szt.
Ilość szt. 90+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 25,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STW88N65M5 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSTW88N65M5 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 || STW88N65M5 TO247
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW88N65M5 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 55,0900 51,8900 51,0900 50,5100 50,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Producent:
ST Symbol Producenta:
STW88N65M5 Obudowa dokładna:
TO247  
Magazyn zewnętrzny:
5498 szt.
Ilość szt. 60+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 50,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
SUM90P10-19L-E3 Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TSUM90P10-19l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Producent:
Siliconix Symbol Producenta:
SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
cena netto (PLN) 13,5500 12,0400 11,1300 10,6800 10,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
96
Ilość (wielokrotność 1)
21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
28000 szt.
Ilość szt. 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 10,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
1    14  15  16  17  18  19  20  21  22    357