Tranzystory (wyszukane: 10564)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Typ tranzystora
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOTF9N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 9A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3410TR-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 20A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 20A | 41,7W | TO252 (DPACK) | CHIPNOBO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N2222
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 30V; 800mA; 250MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N2222-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
144 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 900 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 250MHz | 800mA | 30V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 250MHz | 800mA | 30V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 10A | 5W | TO252 (DPACK) | JGSEMI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3410TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 20A | 42W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N2222A CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A PBFREE; 2N2222A-CEN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
105 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3410TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3410
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
313 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
58000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
550000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3717TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717PBF; IRLR3717TRLPBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 120A | 90W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR3717
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TRPBF-VB; IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; VBE1202;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
260 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 120A | 89W | TO252 (DPACK) | VBsemi | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8743TRLPBF; IRLR8743TRPBF; IRLR8743PBF; IRLR8743PBF-GURT; IRLR8743;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
290 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
26900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLZ34N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34PBF; IRLZ34PBF-BE3; IRLZ34NPBF; SP001553290;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
172 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | UMW | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
2N2222A
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N2222A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6590 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N2222A Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
8900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
IRLZ34N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
65 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
43549 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
12330 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
LGE2304
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2304-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 3,3A | 350mW | SOT23 | LGE | 30V | 2,2V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
KSP2222ABU FAIRCHILD
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSP2222ABU (1K/BULK); KSP2222ATA (2K/AMMO); KSP2222ATF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | Fairchild | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MCM3400A-TP
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
38mOhm | 5A | 1,4W | DFN06 | MCC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
P2N2222 CBE pin configuration CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz P2N2222 ia a CBE pin configuration. (Collector - Base - Emitter)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8950 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | CDIL | 500mW | 300 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N2222A SLKOR
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1490 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSP149
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnętrzny:
8800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS123W
100V 200mA 3Ω@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF; BSS123W-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: BSS123W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 200mA | 150mW | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSS131 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
20Ohm | 110mA | 360mW | SOT23 | SLKOR | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 50V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
IRF3805SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3805STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
DIT050N06
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 50A | 85W | TO220 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DIT050N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
929 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
20mOhm | 50A | 85W | TO220 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138LT1G-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 115mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 115mA | 300mW | SOT23 | CHIPNOBO | 100V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2532 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS138LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
4500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
19194000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-08-14
Ilość szt.: 30000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SI2305CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5,8A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
65mOhm | 5,8A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||