Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3246)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Producent
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Moc strat
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TIP42C TO220 MOT
Tranzystor PNP; 75; 65W, 100V; 6A; 3MHz, -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | 75 | 3MHz | MOT | 6A | 100V | -65°C ~ 150°C | 65W | PNP | |||||||||||||
|
DTC143ECA SOT23 LGE
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Odpowiednik: DTC143ECA-YAN; DTC143ECA-LGE; DTC143ECAHZGT116;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: DTC143ECA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX56 SOT89 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1A; 180MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BCX56 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 HT SEMI
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT4401-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 300 | 250MHz | HT | 600mA | 40V | -55°C ~ 150°C | 300mW | NPN | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | 250 | 100MHz | Yangjie | 1A | 80V | -55°C ~ 150°C | 1,5W | NPN | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2030-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 250; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
FMMT593 SOT23 YFW
Tranzystor PNP; 300; 250mW, 100V; 1A; 50MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 300 | 50MHz | YFW | 1A | 100V | -55°C ~ 150°C | 250mW | PNP | |||||||||||||
|
YFW13003B TO92 YFW
Tranzystor NPN; 40; 900mW, 400V; 500mA; 8MHz, -55°C ~ 150°C; Podobny do: MPSA44; MPSA44-LGE; KSP44BU; LP395Z/NOPB; MPSA44BL;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | 40 | 8MHz | YFW | 500mA | 400V | -55°C ~ 150°C | 900mW | NPN | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 YFW
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: MMBT4401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16-7-F (DIODEZETEX); BC817-16LT1G (ONS); BC817-16 RF (TAIWANSEMI);
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 300; 40V; 300mW; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 300 | 250MHz | RealChip | 600mA | 40V | -55°C ~ 150°C | 300mW | NPN | |||||||||||||
|
BC857B SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 475 | 100MHz | RealChip | 100mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BC857C SOT23 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 800 | 100MHz | RealChip | 100mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
MPSA42 TO-92 REALCHIP
Tranzystor NPN; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MPSA42 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC858B SOT23-3(T/R) RealChip
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 475 | 100MHz | RealChip | 100mA | 30V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56-16,135; BCP56-16,115; BCP56-16 STM; BCP56-16TX; BCP56-16TR;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | 250 | 100MHz | RealChip | 1A | 80V | -65°C ~ 150°C | 1,5W | NPN | |||||||||||||
|
BCX51 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 45V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | 250 | 50MHz | RealChip | 1A | 45V | -65°C ~ 150°C | 1,3W | PNP | |||||||||||||
|
BCP55-16 SOT223 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 60V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP55-16,115; BCP55-16F; BCP55-16.115; BCP55-16;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | 250 | 100MHz | RealChip | 1A | 60V | -65°C ~ 150°C | 1,5W | NPN | |||||||||||||
|
BC857BS SOT363 RealChip
Tranzystor PNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | 630 | 200MHz | RealChip | 200mA | 45V | -55°C ~ 150°C | 300mW | PNP | |||||||||||||
|
MOT858C SOT23-3 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; PODOBNY DO: BC856B; MOT858C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 30 | 100MHz | MOT | 100mA | 30V | -55°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES
Tranzystor PNP; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25W,115; BC807-25W,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | 400 | 100MHz | DIODES | 500mA | 45V | -65°C ~ 150°C | 200mW | PNP | |||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) MOT
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846B.215; BC846B.235; BC846B SMD NXP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
FMMT593 SOT-23(T/R) FUXIN
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 100V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | 300 | 50MHz | FUXIN | 1A | 100V | -55°C ~ 150°C | 250mW | PNP | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT-23(T/R) FUXIN
Tranzystor NPN; 300; 300mW, 40V; 600mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 300 | 250MHz | FUXIN | 600mA | 40V | -55°C ~ 150°C | 300mW | NPN | |||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) FUXIN
Tranzystor NPN; 600; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | 600 | 150MHz | FUXIN | 100mA | 30V | -55°C ~ 150°C | 625mW | NPN | |||||||||||||
|
BD140-16 TO126 FUXIN
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | 250 | FUXIN | 1,5A | 80V | -55°C ~ 150°C | 1,25W | PNP | ||||||||||||||
|
PDTC143ZT SOT23 TECH PUBLIC
Tranzystor NPN; 80; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: PDTC143ZT RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | 80 | 250MHz | TECH PUBLIC | 100mA | 50V | -55°C ~ 150°C | 200mW | NPN | |||||||||||||
|
TIP35C TO-247S MOT
Tranzystor NPN; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: TIP35C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: TIP35C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT5401 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor PNP; 300; 300mW, 160V; 600mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; MMBT5401-LGE; MMBT5401-AU_R1_000A1; MMBT5401-YAN; MMBT5401-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MDD(Microdiode Electronics) Symbol Producenta: MMBT5401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 300 | 100MHz | MDD | 600mA | 160V | -55°C ~ 150°C | 300mW | PNP | |||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
32970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000