Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3221)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
860 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-06-15
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC847B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-06-15
Ilość szt.: 30000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC856C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 600 | 300mW | 45V | 100mA | SOT23 | HT | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
FMMT593 SOT23 HT SEMI
PNP 1A 100V 500mW 50MHz podobny do: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: FMMT593 RoHS 593 Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 250; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MPSA42 TO-92 REALCHIP
Tranzystor NPN; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MPSA42 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857CWH6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 420 | 250mW | 45V | 100mA | 250MHz | SOT323 | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
605 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP69 SOT223 RealChip
Tranzystor PNP; 375; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCP69 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC817-40 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 600; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC817-40 SOT23 Kingtronics
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
31000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
MOT846A SOT23 MOT
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: BC846A;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC846A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
MOT858C SOT23-3 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; PODOBNY DO: BC856B; MOT858C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 30 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
RCK3018W SOT323 REALCHIP
N-Channel MOSFET 0.1A 30V 8mΩ Podobny do: BSS138PW,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCK3018W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES
Tranzystor PNP; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25W,115; BC807-25W,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 400 | 200mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT323 | DIODES | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC860BW SOT23 NEXPERIA
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860BW,115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 475 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX53-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC817DS TSOP06 REALCHIP
Tranzystor NPN; 400; 600mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817DS RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC847BS SOT-363 REALCHIP
Tranzystor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 125°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847BS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW50P03AD TO-252 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: AOD417; YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
32970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | Yangjie | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2030-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
|
BC807-16 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-16,215; BC807-16,235; BC807-16LT1G; BC807-16LT3G; BC807-16E6327; BC807-16 RFG; BC807-16-7-F; BC807-16-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 600 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857A SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857A,215; BC857ALT1G; BC857AE6327HTSA1; BC857A RFG; BC857A-7-F; BC857A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856B SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000