Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3225)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP56-16 SOT223 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56-16,135; BCP56-16,115; BCP56-16 STM; BCP56-16TX; BCP56-16TR;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX51 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 45V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 1,3W | 45V | 1A | 50MHz | SOT89 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX51-10 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 160; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX51-10,115; BCX5110TA; BCX51-10-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 160 | 1,3W | 45V | 1A | 50MHz | SOT89 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP55-16 SOT223 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 60V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP55-16,115; BCP55-16F; BCP55-16.115; BCP55-16;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 60V | 1A | 100MHz | SOT223 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 80V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 1,3W | 80V | 1A | 50MHz | SOT89 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT-23-6L | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 300; 40V; 300mW; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 250MHz | SOT23 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857BS SOT363 RealChip
Tranzystor PNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 630 | 300mW | 45V | 200mA | 200MHz | SOT363 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817DS TSOP06 REALCHIP
Tranzystor 2xNPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xNPN | 400 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | TSOP06 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847C SOT23(T/R) RealChip
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MPSA44 TO92 RealChip
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 200 | 625mW | 400V | 300mA | TO92 | RealChip | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BC846B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 450 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858B SOT23-3(T/R) RealChip
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847A SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847ALT1G; BC847AMTF; BC847A RF; BC847A-TP; BC847AE6327HTSA1; BC847A SMD ONS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 220 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
YFW2302B SOT-23 YFW
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: BSS205NH6327; BSS214NH6327;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW2302B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846C SOT23(T/R) MOT
Tranzystor NPN; 800; 310mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: EVBC846C-S1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP41C TO220 REALCHIP
Tranzystor NPN; 2W; 100V; 6A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP41C-TU; TIP41C-ST; TIP41CTU; TIP41C-BP; TIP41CG; TIP41C-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
490 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 75 | 2W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX52 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 60V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 1,3W | 60V | 1A | 50MHz | SOT89 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-40 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC817-40 SOT23 Kingtronics
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
31000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 600 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857B SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
495 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857C SOT23 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC807-25 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 400 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857CWH6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 420 | 250mW | 45V | 100mA | 250MHz | SOT323 | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 YFW
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: MMBT4401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW2305B SOT23 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW2305B RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
860 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
FMMT593 SOT23 YFW
Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: FMMT593 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
2N3904 TO92 RealChip
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3904,412; 2N3904-BP; 2N3904BU; 2N3904G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: 2N3904 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000