Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3355)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCX41 SOT23(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 63; 330mW; 125V; 800mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX41E6327HTSA1; BCX41E6433HTMA1; BCX41TA; BCX41; BCX41E6327;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 330mW | 125V | 800mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMSS8050-H-TP
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R MMSS8050-H-TP; MMSS8050-H-TPS01;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMSS8050-H-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
490 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC807-16 SOT23(T/R) KEXIN
PNP 45V 500mA 300mW hFE=100-250
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2680 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2980 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | KEXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
RQ3L070ATTB
PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: RQ3L070ATTB RoHS Obudowa dokładna: HSMT8 (3.2x3) |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 28 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC817-25 SOT23(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25-DIO; BC817-25-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 400 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847B SOT23(T/R) HT SEMI
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) HT SEMI
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
SS8050-H-F2-0000HF
NPN TRANS 25V 1.5A SOT-23-3L Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: SS8050-H-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
SS8550-H YANGJIE TECHNOLOGY
Transistor: PNP; bipolar; 25V; 1.5A; 300mW; SOT23 SS8550-H-YAN
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: SS8550-H-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
SS8550-L YANGJIE TECHNOLOGY
Transistor: PNP; bipolar; 25V; 1.5A; 300mW; SOT23 SS8550-L-YAN
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: SS8550-L-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC547BBU TO92(bulk) ONSEMI
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Bag
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 800 | 500mW | 50V | 100mA | 300MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BC547BBU Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
NPN | 800 | 500mW | 50V | 100mA | 300MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC547BTA TO92-3(ammo,formed) ONSEMI
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 800 | 500mW | 50V | 100mA | 300MHz | TO92ammoformed | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC859C,215 SOT23 NXP
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R ODPOWIEDNIK: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R ODPOWIEDNIK: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
42000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,135 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC859C SOT23 MSKSEMI
Trans Bipolar (BJT) odpowiednik: BC859C-MS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MSK | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-40 SOT23(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 630; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857BS SOT-363-6 FUXINSEMI
Tranzystor 2xPNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2xPNP | 630 | 300mW | 45V | 200mA | 200MHz | SOT363 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Odpowiednik: BC63916-D27Z; BC63916D27Z;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 830mW | 80V | 1A | 100MHz | TO92 | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BC63916_D27Z Obudowa dokładna: TO92t/r |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
NPN | 250 | 830mW | 80V | 1A | 100MHz | TO92 | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BC63916-D27Z Obudowa dokładna: TO92t/r |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
NPN | 250 | 830mW | 80V | 1A | 100MHz | TO92 | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC63916-D74Z TO92(Fan-Fold) ONSEMI
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold ODPOWIEDNIK: BC63916_D74Z; BC63916D74Z;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 830mW | 80V | 1A | 100MHz | TO92ammoformed | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BC63916-D74Z Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
NPN | 250 | 830mW | 80V | 1A | 100MHz | TO92ammoformed | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BC63916-D74Z Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
5002 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
NPN | 250 | 830mW | 80V | 1A | 100MHz | TO92ammoformed | ONSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
2N4401 TO-92(BULK) CJ
40V 20@0.1mA,1V 625mW 600mA NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JSCJ Symbol Producenta: 2N4401 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
PDTD123YT-QR NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: PDTD123YT-QR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
STN851 SOT223 STMicroelectronics
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN851 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN851 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||||||||||||||||||||
|
2N5551 TO92 RoHS NPN 180V 600mA 625m
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: 2N5551 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 300 | 350mW | 160V | 600mA | 300MHz | TO92 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC846B SOT23 hFE200-450 250mW 65V FUXIN
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8470 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 250mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC848B SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: BC848B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 290 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCV47 SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor NPN; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCV47,215; BCV47,235; BCV47E6327HTSA1; BCV47E6327XT; BCV47E6433HTMA1; BCV47E6433XT; BCV47E6393HTSA1; BCV47TA;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: BCV47 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 2000 | 300mW | 60V | 500mA | 170MHz | SOT23 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MBT3904DW1T1G SOT363 FUXINSEMI
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS LRC LMBT3904DW1T1G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2xNPN | 300 | 150mW | 40V | 200mA | 300MHz | SC-88 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT5551 SOT23(T/R) FUXIN
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: MMBT5551 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 250 | 350mW | 160V | 600mA | 100MHz | SOT23 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847PN SOT363 HT SEMI
Tranzystor NPN/PNP; 450; 200mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847PNH6433XTMA1; BC847PNH6727XTSA1; BC847PNH6327XTSA1; SP000747288; SP000747296; SP000747292;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN/PNP | 450 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT363 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857S SOT363 HT SEMI
DUAL-PNP -100mA -45V 300mW 100MHz
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2xPNP | 630 | 300mW | 45V | 200mA | 200MHz | SOT363 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||