Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3142)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES
Tranzystor PNP; 400; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25W,115; BC807-25W,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC807-25W-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC807-25W-7 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
|
BC848C SOT23(T/R) REALCHIP
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC848C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP41C TO220 REALCHIP
Tranzystor NPN; 65W; 100V; 6A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP41C-TU; TIP41C-ST; TIP41CTU; TIP41C-BP; TIP41CG; TIP41C-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: TIP41C RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC337-40 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Stan magazynowy:
755 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC337-40 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
MOT817-40 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT-23 | MOT | Nie dotyczy | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
MOT847B SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 300MHz; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847B,215; BC847B,235; BC847BLT1G; BC847BLT3G; BC847BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: BC847B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 200 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | Nie dotyczy | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
MOT857B SOT23 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 220 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT-23 | MOT | Nie dotyczy | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
S8050 SOT23 YFW
300mW 25V 200@500mA,1V 500mA NPN SOT-23 Single Bipolar Transistors ROHS
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: S8050 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT5551 SOT23(T/R) CJ
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol Producenta: MMBT5551 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
2SD965-R SOT89(T/R) YFW
NPN 5000mA 22V 750mW 150MHz
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 950 | 750mW | 20V | 5A | 150MHz | SOT89 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
YFW60P03AD TO-252 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417; AOD403,
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW60P03AD RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC847BW SOT323(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BC847BW RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BD139-16 TO126 YFW
Tranzystor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 12,5W | 80V | 1,5A | TO126 | YFW | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BC546B TO92(bulk) YFW
Tranzystor NPN; 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC182; BC546B-BULK;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 500mW | 65V | 100mA | 200MHz | TO92 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC548-B TO92(bulk) YFW
Tranzystor NPN; 450; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BC548-B RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCP69 SOT223 YFW
PNP -1000mA -20V 625mW 140MHz
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 375 | 1,35W | 20V | 1A | 40MHz | SOT223 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-28
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||
|
BCX41 SOT23(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 63; 330mW; 125V; 800mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX41E6327HTSA1; BCX41E6433HTMA1; BCX41TA; BCX41; BCX41E6327;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 330mW | 125V | 800mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC807-16 SOT23(T/R) KEXIN
PNP 45V 500mA 300mW hFE=100-250
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2680 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2980 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | KEXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847B SOT23(T/R) HT SEMI
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC847 RoHS ..1F Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
23950 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-30
Ilość szt.: 45000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) HT SEMI
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2800 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-30
Ilość szt.: 30000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC859C,215 SOT23 NXP
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R ODPOWIEDNIK: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859C,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R ODPOWIEDNIK: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,135 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC859CW,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SC70-3 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC859C SOT23 MSKSEMI
Trans Bipolar (BJT) odpowiednik: BC859C-MS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 250mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MSK | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857BS SOT-363-6 FUXINSEMI
Tranzystor 2xPNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2xPNP | 630 | 300mW | 45V | 200mA | 200MHz | SOT363 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
PDTD123YT-QR NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: PDTD123YT-QR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23 hFE200-450 250mW 65V FUXIN
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
20470 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 250mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT5551 SOT23(T/R) FUXIN
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: MMBT5551 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 250 | 350mW | 160V | 600mA | 100MHz | SOT23 | FUXINSEMI | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC807-40 REALCHIP
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 300mW; SOT23 Odpowiednik: BC807-40-YAN; MOT807-40; BC807-40;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC807-40W smd REALCHIP
Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115; BC807-40W-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-40W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC817-25 REALCHIP
Tranzystor NPN; 400; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!