Tranzystory polowe (wyszukane: 6762)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | ||||||||||||
|
BSS138 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-HXY; BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 2Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS138 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
BSS138 SOT23 LGE
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1295 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 10V | 3,5Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | LGE | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6670 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 10V | 3,5Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | LGE | |||||||||||||
|
BSS138 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | SMD | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||||
|
BSS138 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1970 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
|
BSS138-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
24850 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS138-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
4686000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS138-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
736000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
|
BSS138A-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 1,6Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | |||||||||||||
|
BSS138BK,215 NEXPERIA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
7009 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/99000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,5Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
BSS138BKW NXP
Transistor N-MOSFET; 60V; -/+20V; 1,6Ohm; 320mA; 260mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS138BKW,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2790 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 1,6Ohm | 320mA | 260mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | ||||||||||||
|
BSS138K ONS (FAI)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 12V; 2,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138K-7; BSS138K-13;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 12V | 2,5Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138K Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 12V | 2,5Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138K Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
342000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 12V | 2,5Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138K Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
2631000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 12V | 2,5Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
BSS138P NEXPERIA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138P.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
46478 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/111000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
107717 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
564000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
|
BSS138PS NXP
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PS,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
7538 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
600000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
BSS138PS
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 1,9Ohm; 300mA; 0,35W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 60V | 20V | 1,9Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
BSS138PW JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | JGSEMI | |||||||||||||
|
BSS138PW,115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PW,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
955000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
1725000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1899 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 280mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS138WH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 280mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS138W-7-F Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138W-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3230 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
3021000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
1500000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
3036000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
BSS139H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 30Ohm; 100mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
50200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
510000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
309000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS159N HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS159N E6327; BSS159N E6906; BSS159NH6327XTSA1; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
156000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS169H6327 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635; BSS169; BSS169H6906XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS225H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 45Ohm; 90mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS225H6327FTSA1; BSS225H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
997 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 45Ohm | 90mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS225H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 45Ohm | 90mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS225H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 45Ohm | 90mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS306NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3413 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 93mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS306NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
159000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 93mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS306NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1092000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 93mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS314PEH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS314PEH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1875 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 230mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS314PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1245000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 230mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS314PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 230mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS606NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 3,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS606NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 3,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS606NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
195000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 3,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS606N-P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
470 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 62mOhm | 3,5A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89-3 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
|
BSS806NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1110000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
4458000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS806NEH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
962990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||