Tranzystory polowe (wyszukane: 6967)

1    21  22  23  24  25  26  27  28  29    233
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
AUIRF9Z34N International Rectifier Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TAUIRF9Z34n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRF9Z34N RoHS || AUIRF9Z34N International Rectifier TO220AB
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRF9Z34N RoHS Obudowa dokładna:
TO220AB
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3700 3,5900 3,3400 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 100mOhm 19A 68W THT -55°C ~ 175°C TO-220AB International Rectifier
AUIRFR4104 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 119A; 140W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TAUIRFR4104 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRFR4104 ROHS || AUIRFR4104 International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRFR4104 ROHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 5,0400 3,3400 2,7600 2,5100 2,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 5,5mOhm 119A 140W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRFR5305 International Rectifier Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
Symbol Micros: TAUIRFR5305 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
AUIRFR5305 RoHS || AUIRFR5305 International Rectifier DPAK
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
AUIRFR5305 RoHS Obudowa dokładna:
DPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
cena netto (PLN) 9,4200 7,4400 6,7000 6,3800 6,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 65mOhm 31A 110W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFR8401 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
Symbol Micros: TAUIRFR8401 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
AUIRFR8401 RoHS || AUIRFR8401 International Rectifier DPAK
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna:
DPAK t/r  
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,3400 3,7400 3,1800 2,9100 2,8100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
 
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna:
DPAK  
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFS8405 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
Symbol Micros: TAUIRFS8405 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRFS8405TRL RoHS || AUIRFS8405 International Rectifier TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRFS8405TRL RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,5200 4,9700 4,1200 3,6100 3,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 193A 163W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
AUIRLR014N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TAUIRLR014N info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRLR014N RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
187 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
cena netto (PLN) 2,6000 1,6500 1,2500 1,1800 1,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/225
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 210mOhm 10A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRLR3705Z International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
Symbol Micros: TAUIRLR3705Z info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRLR3705Z RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 8,9000 6,8300 6,0700 5,7300 5,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
BF1202WR Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBF1202wr info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Producent:
Philips Symbol Producenta:
BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT343R  
Stan magazynowy:
69 szt.
Ilość szt. 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7530 0,5690 0,5020 0,4790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
69
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 10V 6V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT343R NXP
BF998 smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
Symbol Micros: TBF998 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BF998 RoHS Obudowa dokładna:
SOT143 t/r  
Stan magazynowy:
2890 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9310 0,8400 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 12V 20V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT143 Infineon Technologies
BM3415E SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBM3415e BORN info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN Symbol Producenta:
BM3415E RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9190 0,4330 0,2410 0,1940 0,1670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Symbol Micros: TBS107 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS107P RoHS || BS107P DIODES TO92
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS107P RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1800 1,7200 1,5400 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS107P RoHS Obudowa dokładna:
TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1800 1,7200 1,5400 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170-D26Z (krępowane=forming) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
Symbol Micros: TBS170F info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BS170-D26Z RoHS || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna:
TO92formed t/r  
Stan magazynowy:
3720 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7810 0,6170 0,5600 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBS170sot23 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS170FTA RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
565 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9880 0,8910 0,8480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2403
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250FTA Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TBS250fta info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS250FTA RoHS || BS250FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS250FTA RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9320 0,8410 0,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
Symbol Micros: TBS270 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS270 RoHS || BS270 TO92
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta:
BS270 RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
cena netto (PLN) 1,5900 1,0300 0,7960 0,6750 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
494
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC010ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2800 4,0300 3,3400 2,9200 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N04LS G Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
Symbol Micros: TBSC016n04ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6200 4,2900 3,5500 3,1100 2,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N06NS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC016n06ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N06NS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
109 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,0500 7,9800 7,2100 6,8200 6,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt.
Ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC018ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC018NE2LS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9200 1,5900 1,4200 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N02KSG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
Symbol Micros: TBSC019n02ksg info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N02KSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,9300 4,1500 3,5300 3,2300 3,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 3mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC019n04ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,4700 8,8100 7,8300 7,3300 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC022N04LS6 Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
Symbol Micros: TBSC022n04ls6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,2mOhm 139A 79W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC024NE2LS INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC024ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Symbol Micros: TBSC027n04lsg info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1400 2,7500 2,2800 2,0500 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC030P03NS3G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
Symbol Micros: TBSC030p03ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC030P03NS3G RoHS || BSC030P03NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC030P03NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,6400 3,9500 3,2600 3,0100 2,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 4,6mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC040n08ns5 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,8100 3,3700 2,8600 2,6200 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnętrzny:
55000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC042N03LSGATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC042n03ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042N03LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8700 1,8000 1,5000 1,3300 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042N03LSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Symbol Micros: TBSC042ne7ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042NE7NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,1400 5,6600 4,8200 4,4200 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 75V 20V 4,2mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042NE7NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 75V 20V 4,2mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC070N10NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC070n10ns3 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4800 6,7700 5,7900 5,2000 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC076N06NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
Symbol Micros: TBSC076n06ns3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC076N06NS3GATMA1 RoHS || BSC076N06NS3GATMA1 || BSC076N06NS3 G TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 800+
cena netto (PLN) 3,8400 2,4300 1,9100 1,7400 1,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
255000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
1    21  22  23  24  25  26  27  28  29    233