Tranzystory polowe (wyszukane: 7020)

1    23  24  25  26  27  28  29  30  31    234
Produkt Koszyk
Obudowa
Producent
Maksymalny prąd drenu
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Maksymalna tracona moc
Montaż
Rezystancja otwartego kanału
Temperatura pracy (zakres)
Typ tranzystora
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Symbol Micros: TBSC027n04lsg info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSGATMA1 || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1400 2,7500 2,2800 2,0500 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 Infineon Technologies 100A 40V 20V 83W SMD 4,1mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnętrzny:
35000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		TDSON-8 Infineon Technologies 100A 40V 20V 83W SMD 4,1mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC030P03NS3G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
Symbol Micros: TBSC030p03ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC030P03NS3G RoHS || BSC030P03NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC030P03NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,6400 3,9500 3,2600 3,0100 2,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 30V 25V 125W SMD 4,6mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC040n08ns5 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,8100 3,3700 2,8600 2,6200 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2300
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 Infineon Technologies 100A 80V 20V 104W SMD 5,7mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC042N03LSGATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC042n03ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042N03LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8700 1,8000 1,5000 1,3300 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 93A 30V 20V 57W SMD 6,5mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Symbol Micros: TBSC042ne7ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042NE7NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,1400 5,6600 4,8200 4,4200 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 75V 20V 125W SMD 4,2mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC070N10NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC070n10ns3 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4800 6,7700 5,7900 5,2000 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 Infineon Technologies 90A 100V 20V 114W SMD 14mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC076N06NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
Symbol Micros: TBSC076n06ns3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC076N06NS3G RoHS || BSC076N06NS3GATMA1 || BSC076N06NS3 G TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC076N06NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7400 2,4900 2,0600 1,8600 1,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDFN08 INFINEON 75A 60V 20V 69W SMD 7,6mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		TDFN08 INFINEON 75A 60V 20V 69W SMD 7,6mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC0909NSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC0909ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9800 1,1000 0,8680 0,8180 0,7920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 44A 34V 20V 27W SMD 11,8mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,7920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		TDSON08 Infineon Technologies 44A 34V 20V 27W SMD 11,8mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC190N15NS3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC190n15ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4300 2,0100 1,7900 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 50A 150V 20V 125W SMD 20mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4300 2,0100 1,7900 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 50A 150V 20V 125W SMD 20mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,1041
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		TDSON08 Infineon Technologies 50A 150V 20V 125W SMD 20mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Symbol Micros: TBSC440n10ns3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,0200 4,2200 3,4800 3,2100 3,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 INFINEON 5,3A 100V 20V 29W SMD 44mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
BSD214SN Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
Symbol Micros: TBSD214sn info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SN Infineon SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8760 0,6450 0,5560 0,5170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
147
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 Infineon Technologies 1,5A 20V 12V 500mW SMD 250mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSD235CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSD235c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2535 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 Infineon Technologies 950mA 20V 12V 500mW SMD 2,1Ohm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnętrzny:
2700 szt.
Ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		SOT363 Infineon Technologies 950mA 20V 12V 500mW SMD 2,1Ohm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		SOT363 Infineon Technologies 950mA 20V 12V 500mW SMD 2,1Ohm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
BSD235NH6327XTSA1 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
Symbol Micros: TBSD235nh info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5690 0,3780 0,3160 0,2940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 INFINEON 950mA 20V 12V 500mW SMD 225mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSD314spe info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6110 0,4010 0,3620 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 Infineon Technologies 1,5A 30V 20V 500mW SMD 230mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSD840N Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
Symbol Micros: TBSD840n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD840NH6327XTSA1 RoHS || BSD840N SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5480 0,3320 0,2630 0,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 INFINEON 880mA 20V 8V 500mW SMD 400mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
BSH105 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8V; 375mOhm; 1,05A; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH105,215; BSH105,235;
Symbol Micros: TBSH105 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH105,215 RoHS || BSH105 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH105,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
636 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8000 0,9940 0,7820 0,7240 0,6940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 NXP 1,05A 20V 20V 8V 417mW SMD 375mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-12-31
Ilość szt.: 3000
                     
BSH108 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 240mOhm; 1,9A; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH108,215;
Symbol Micros: TBSH108 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH108 RoHS || BSH108 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1292 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5040 0,3340 0,2790 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 NXP 1,9A 30V 30V 20V 830mW SMD 240mOhm -65°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
360 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5020 0,3330 0,2770 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2180
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 NXP 1,9A 30V 30V 20V 830mW SMD 240mOhm -65°C ~ 150°C N-MOSFET
BSH111 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
Symbol Micros: TBSH111 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH111 RoHS || BSH111BKR || BSH111 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH111 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,1900 1,3200 1,0100 0,9080 0,8770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 NXP 335mA 55V 55V 10V 830mW SMD 8Ohm -65°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
180000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,8770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		SOT23 NXP 335mA 55V 55V 10V 830mW SMD 8Ohm -65°C ~ 150°C N-MOSFET
BSH114 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 1,15Ohm; 850mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH114,235; BSH114,215; BSH114-VB;
Symbol Micros: TBSH114 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH114,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
63 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 4,6200 3,0500 2,5100 2,2500 2,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/200
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23-3 NXP 850mA 100V 100V 20V 830mW SMD 1,15Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSH203 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 8V; 1,65Ohm; 470mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH203,215;
Symbol Micros: TBSH203 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH203,215 RoHS || BSH203 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH203,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
190 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7800 1,1700 0,8370 0,7320 0,6860
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23-3 NXP 470mA 30V 30V 8V 417mW SMD 1,65Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSH205 Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 12V; 8V; 750mOhm; 750mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
Symbol Micros: TBSH205 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH205G2 RoHS || BSH205 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH205G2 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3975 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8700 1,0300 0,8090 0,7490 0,7180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 NXP 750mA 12V 12V 8V 417mW SMD 750mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSL207SPH6327 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL207SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL207sph info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL207SPH6327 Pbf sPA || BSL207SPH6327 TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL207SPH6327 Pbf sPA Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
465 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3000 0,6930 0,5400 0,4880 0,4720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
TSOP06 NXP 6A 20V 12V 2W SMD 65mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSL211SPH6327 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL211SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL211sp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL211SPH6327 RoHS || BSL211SPH6327XTSA1 || BSL211SPH6327 Infineon TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL211SPH6327 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5700 1,0300 0,7380 0,6450 0,6050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
TSOP06 Infineon Technologies 4,7A 20V 12V 2W SMD 110mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL211SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,7718
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		TSOP06 Infineon Technologies 4,7A 20V 12V 2W SMD 110mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSL215CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327;
Symbol Micros: TBSL215c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL215CH6327XTSA1 RoHS || BSL215CH6327 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
TSOP06 Infineon Technologies 1,5A 20V 12V 500mW SMD 280mOhm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
TSOP06 Infineon Technologies 1,5A 20V 12V 500mW SMD 280mOhm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
BSL307SPH6327 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 74mOhm; 5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL307SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL307sp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS || BSL307SPH6327XTSA1 || BSL307SPH6327 Infineon TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
650 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7200 0,9480 0,7460 0,6900 0,6620
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
TSOP06 Infineon Technologies 5,5A 30V 20V 2W SMD 74mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL307SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,8603
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		TSOP06 Infineon Technologies 5,5A 30V 20V 2W SMD 74mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSN20 NXP Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSN20,215; BSN20,235;
Symbol Micros: TBSN20 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSN20 RoHS || BSN20 NXP SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSN20 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
2600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8550 0,4340 0,2630 0,2080 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 NXP 173mA 50V 50V 20V 830mW SMD 28Ohm -65°C ~ 150°C N-MOSFET
BSN20-7 Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSN20-7 Diodes info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSN20-7 RoHS || BSN20-7 SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
562 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5790 0,3850 0,3210 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 DIODES 500mA 50V 20V 600mW SMD 2Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSO080P03S Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSO080p03s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSO080P03S RoHS || BSO080P03S SOP08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO080P03S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
410 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,9400 3,4600 2,9400 2,6900 2,6000
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOP08 Infineon Technologies 14,9A 30V 25V 2,5W SMD 8mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO080P03S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,9100 4,1400 3,5200 3,2200 3,1100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1020
Ilość (wielokrotność 1)
SOP08 Infineon Technologies 14,9A 30V 25V 2,5W SMD 8mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSO220N03MDG INFINEON Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO220N03MDGXUMA1;
Symbol Micros: TBSO220n03mdg info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSO220N03MDG RoHS || BSO220N03MDG INFINEON SOIC08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO220N03MDG RoHS Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2600 1,2600 0,9910 0,9350 0,9050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
SOIC08 Infineon Technologies 7,7A 30V 20V 2W SMD 27mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
BSO613SPV G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3,44A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
Symbol Micros: TBSO613spv info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS0613SPV G RoHS || BSO613SPVGXUMA1 || BSO613SPV G Infineon SOIC08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BS0613SPV G RoHS Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3100 2,0800 1,7300 1,5400 1,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
SOIC08 Infineon Technologies 3,44A 60V 20V 2,5W SMD 130mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO613SPVGXUMA1 Obudowa dokładna:
SOIC08  
Magazyn zewnętrzny:
4659 szt.
Ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro. 		SOIC08 Infineon Technologies 3,44A 60V 20V 2,5W SMD 130mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
1    23  24  25  26  27  28  29  30  31    234