Tranzystory polowe (wyszukane: 6937)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRLR014N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
187 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/225 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | International Rectifier | 10A | 55V | 16V | 28W | SMD | 210mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRLR3705Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | International Rectifier | 89A | 55V | 16V | 130W | SMD | 12mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BF1202WR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Philips Symbol Producenta: BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna: SOT343R |
Stan magazynowy:
69 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 69 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT343R | NXP | 30mA | 10V | 6V | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | ||||||||||||||
|
BF998 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BF998 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r |
Stan magazynowy:
2790 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT143 | Infineon Technologies | 30mA | 12V | 20V | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||
|
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | 4,8A | 20V | 8V | 1,5W | SMD | 65mOhm | -50°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BS107P DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | DIODES | 120mA | 200V | 20V | 500mW | THT | 30Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | DIODES | 120mA | 200V | 20V | 500mW | THT | 30Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BS170-D26Z (krępowane=forming)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna: TO92formed t/r |
Stan magazynowy:
3720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | 500mA | 60V | 60V | 20V | 830mW | THT | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
BS170FTA smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
465 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2403 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | DIODES | 0,15mA | 60V | 20V | 330mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BS250FTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | DIODES | 90mA | 45V | 20V | 330mW | SMD | 14Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
494 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 494 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ONSEMI | 400mA | 60V | 20V | 625mW | THT | 2Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC010NE2LSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 25V | 20V | 96W | SMD | 1,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC016N04LS G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 40V | 20V | 139W | SMD | 2,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC016N06NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
109 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 60V | 20V | 139W | SMD | 2,9mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC018NE2LS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 25V | 20V | 69W | SMD | 2,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC019N02KSG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 20V | 12V | 104W | SMD | 3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC019N04NSGATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 40V | 20V | 125W | SMD | 1,9mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC022N04LS6
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 139A | 40V | 20V | 79W | SMD | 3,2mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC024NE2LS INFINEON
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 510 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 25V | 20V | 48W | SMD | 3,4mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC027N04LSG
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
81 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON-8 | Infineon Technologies | 100A | 40V | 20V | 83W | SMD | 4,1mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC030P03NS3G Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 30V | 25V | 125W | SMD | 4,6mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2300 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON-8 | Infineon Technologies | 100A | 80V | 20V | 104W | SMD | 5,7mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC042N03LSGATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
67 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 93A | 30V | 20V | 57W | SMD | 6,5mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 75V | 20V | 125W | SMD | 4,2mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC070N10NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON-8 | Infineon Technologies | 90A | 100V | 20V | 114W | SMD | 14mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC076N06NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDFN08 | INFINEON | 75A | 60V | 20V | 69W | SMD | 7,6mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC0909NSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 44A | 34V | 20V | 27W | SMD | 11,8mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC190N15NS3G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 50A | 150V | 20V | 125W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 50A | 150V | 20V | 125W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC440N10NS3GATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON-8 | INFINEON | 5,3A | 100V | 20V | 29W | SMD | 44mOhm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | |||||||||||||
|
BSD214SN Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 147 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | Infineon Technologies | 1,5A | 20V | 12V | 500mW | SMD | 250mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSD235CH6327XTSA1
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3635 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | Infineon Technologies | 950mA | 20V | 12V | 500mW | SMD | 2,1Ohm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||