Tranzystory polowe (wyszukane: 6967)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP295
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
12725 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
177000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
BSP296NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 800mOhm; 1,2A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1136 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 800mOhm | 1,2A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-4 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 800mOhm | 1,2A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-4 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnętrzny:
93000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 800mOhm | 1,2A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-4 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnętrzny:
1900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 800mOhm | 1,2A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-4 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP297
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
19000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
7725 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP299H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 4Ohm | 400mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-4 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP315P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,4Ohm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnętrzny:
124000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnętrzny:
7825 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
BSP315P JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 230mOhm | 2A | 2W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT223 | JGSEMI | |||||||||||||
|
BSP315P SOT223 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
493 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 493 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -60V | 20V | 130mOhm | -3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1467 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -60V | 20V | 130mOhm | -3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
BSP315P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 95mOhm | 1,17A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | UMW | |||||||||||||
|
BSP322P Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1Ohm | 1A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP322PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1Ohm | 1A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP322PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1Ohm | 1A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP372
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
366800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP76E6433HUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 42V; 12V; 200mOhm; 1.4A; 3.8W; -40°C~150°C; Odpowiednik: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 42V | 12V | 200mOhm | 1,4A | 3,8W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
14840 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 42V | 12V | 200mOhm | 1,4A | 3,8W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 42V | 12V | 200mOhm | 1,4A | 3,8W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||||||||||
|
BSP88H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 15Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 15Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 15Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
675 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 15Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP89H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
8225 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSR606NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC59 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSR802NL INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 3,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-59 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
BSS119NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2540 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
48000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
5700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS123 CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | CHIPNOBO | |||||||||||||
|
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | |||||||||||||
|
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | ||||||||||||
|
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
|
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4550 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
BSS123LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9651000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS123 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
5073000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
713780 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000mΩ; BSS123-YAN
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | YFW | |||||||||||||
|
BSS123 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Fairchild | |||||||||||||
|
BSS123 SA SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
11990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 10V | 20V | 10Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | ||||||||||||
|
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | |||||||||||||
|
BSS123-7-F DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123-13-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||