Tranzystory polowe (wyszukane: 6937)

1    23  24  25  26  27  28  29  30  31    232
Produkt Koszyk
Obudowa
Producent
Maksymalny prąd drenu
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Maksymalna tracona moc
Montaż
Rezystancja otwartego kanału
Temperatura pracy (zakres)
Typ tranzystora
AUIRLR014N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRLR014N RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
187 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
cena netto (PLN) 2,6000 1,6500 1,2500 1,1800 1,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/225
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 (DPACK) International Rectifier 10A 55V 16V 28W SMD 210mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
AUIRLR3705Z International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRLR3705Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 8,9000 6,8300 6,0700 5,7300 5,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 (DPACK) International Rectifier 89A 55V 16V 130W SMD 12mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
BF1202WR Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Producent:
Philips
Symbol Producenta:
BR1202WR 115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT343R
 
Stan magazynowy:
69 szt.
Ilość szt. 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7530 0,5690 0,5020 0,4790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
69
Ilość (wielokrotność 1)
SOT343R NXP 30mA 10V 6V 200mW SMD -65°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
BF998 smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BF998 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT143 t/r
 
Stan magazynowy:
2790 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9310 0,8400 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT143 Infineon Technologies 30mA 12V 20V 200mW SMD -65°C ~ 150°C N-MOSFET
BM3415E SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN
Symbol Producenta:
BM3415E RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9190 0,4330 0,2410 0,1940 0,1670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 BORN 4,8A 20V 8V 1,5W SMD 65mOhm -50°C ~ 150°C P-MOSFET
BS107P DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
BS107P RoHS || BS107P DIODES TO92
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1800 1,7200 1,5400 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
TO92 DIODES 120mA 200V 20V 500mW THT 30Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1800 1,7200 1,5400 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
TO92 DIODES 120mA 200V 20V 500mW THT 30Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BS170-D26Z (krępowane=forming) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
BS170-D26Z RoHS || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol Producenta:
BS170-D26Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO92formed t/r
 
Stan magazynowy:
3720 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5710 0,4450 0,4020 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
TO92formed ON SEMICONDUCTOR 500mA 60V 60V 20V 830mW THT 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BS170FTA smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
465 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9880 0,8910 0,8480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2403
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 DIODES 0,15mA 60V 20V 330mW SMD 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BS250FTA Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
BS250FTA RoHS || BS250FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9320 0,8410 0,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 DIODES 90mA 45V 20V 330mW SMD 14Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
BS270 RoHS || BS270 TO92
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol Producenta:
BS270 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
cena netto (PLN) 1,5900 1,0300 0,7960 0,6750 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
494
Ilość (wielokrotność 1)
TO92 ONSEMI 400mA 60V 20V 625mW THT 2Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2800 4,0300 3,3400 2,9200 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 25V 20V 96W SMD 1,3mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC016N04LS G Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6200 4,2900 3,5500 3,1100 2,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 40V 20V 139W SMD 2,3mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC016N06NS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NS TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N06NS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
109 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,0500 7,9800 7,2100 6,8200 6,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 60V 20V 139W SMD 2,9mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC018NE2LS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC018NE2LS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9200 1,5900 1,4200 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 25V 20V 69W SMD 2,3mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC019N02KSG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N02KSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,9300 4,1500 3,5300 3,2300 3,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 20V 12V 104W SMD 3mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC019N04NSGATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,4700 8,8100 7,8300 7,3300 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 40V 20V 125W SMD 1,9mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC022N04LS6 Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 139A 40V 20V 79W SMD 3,2mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
BSC024NE2LS INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 25V 20V 48W SMD 3,4mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1400 2,7500 2,2800 2,0500 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 Infineon Technologies 100A 40V 20V 83W SMD 4,1mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC030P03NS3G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
BSC030P03NS3G RoHS || BSC030P03NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC030P03NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,6400 3,9500 3,2600 3,0100 2,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 30V 25V 125W SMD 4,6mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,8100 3,3700 2,8600 2,6200 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2300
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 Infineon Technologies 100A 80V 20V 104W SMD 5,7mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC042N03LSGATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC042N03LSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8700 1,8000 1,5000 1,3300 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 93A 30V 20V 57W SMD 6,5mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC042NE7NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,1400 5,6600 4,8200 4,4200 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 100A 75V 20V 125W SMD 4,2mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC070N10NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC070N10NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4800 6,7700 5,7900 5,2000 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 Infineon Technologies 90A 100V 20V 114W SMD 14mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC076N06NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
BSC076N06NS3G RoHS || BSC076N06NS3 G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC076N06NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7400 2,4900 2,0600 1,8600 1,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDFN08 INFINEON 75A 60V 20V 69W SMD 7,6mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC0909NSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0909NS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9800 1,1000 0,8680 0,8180 0,7920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 44A 34V 20V 27W SMD 11,8mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC190N15NS3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4300 2,0100 1,7900 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 50A 150V 20V 125W SMD 20mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4300 2,0100 1,7900 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON08 Infineon Technologies 50A 150V 20V 125W SMD 20mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,0200 4,2200 3,4800 3,2100 3,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
TDSON-8 INFINEON 5,3A 100V 20V 29W SMD 44mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
BSD214SN Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SN Infineon SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8760 0,6450 0,5560 0,5170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
147
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 Infineon Technologies 1,5A 20V 12V 500mW SMD 250mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSD235CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3635 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 Infineon Technologies 950mA 20V 12V 500mW SMD 2,1Ohm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
1    23  24  25  26  27  28  29  30  31    232