Tranzystory polowe (wyszukane: 3038)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPB010N06NATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 1mOhm | 180A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB010N06NATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 1mOhm | 180A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | INFINEON | |||||||||||||
IPB107N20N3G INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 11mOhm | 88A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB107N20N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 11mOhm | 88A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPD090N03LG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD090N03LGATMA1; zamiennik dla IRLR8729TRPBF; IPD090N03LG; IPD090N03LG-VB; HSU3004; HSU80N03;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13,5mOhm | 40A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD090N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
60064 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13,5mOhm | 40A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPD100N06S403ATMA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 60V | 20V | 10V | 3,5mOhm | 100A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO-252-3 | INFINEON | ||||||||||||
IPD50P04P4L11ATMA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 10V | 10,6mOhm | 50A | 58W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | |||||||||||||
IDP78CN10NG TO252-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD78CN10NGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 80mOhm | 13A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD78CN10NGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 80mOhm | 13A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPD90P04P4L-04
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD90P04P4L04ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 16V | 6,6mOhm | 90A | 125W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPI80N06S407AKSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,4mOhm; 80A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,4mOhm | 80A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPP032N06N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP032N06N3GXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP032N06N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPP045N10N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP045N10N3GXKSA1; IPP045N10N3GHKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7,7mOhm | 100A | 214W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP045N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2710 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7,7mOhm | 100A | 214W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPP060N06N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 45A; 83W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP060N06NAKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9mOhm | 45A | 83W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 190mOhm | 18,5A | 127W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP50R190CEXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
14276 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 190mOhm | 18,5A | 127W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
IPP60R090CFD7 INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 4V; 90mOhm; 25A; 125W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP60R090CFD7XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 600V | 4V | 3,5V | 90mOhm | 25A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | INFINEON | ||||||||||||
IPS60R1K0PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 26W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R1K0PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,978Ohm | 4,7A | 26W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPS60R210PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 386mOhm; 16A; 64W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R210PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 386mOhm | 16A | 64W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPS60R280PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R280PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 549mOhm | 12A | 51W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPS60R360PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 714mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R360PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 714mOhm | 10A | 43W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPS60R600PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R600PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,219Ohm | 6A | 31W | THT | -40°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPW60R125P6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 293mOhm; 30A; 219W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R125P6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 293mOhm | 30A | 219W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R125P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 293mOhm | 30A | 219W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPW90R120C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW90R120C3FKSA1; IPW90R120C3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 270mOhm | 36A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW90R120C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
2730 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 270mOhm | 36A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRF100B201 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF100B201; SP001561498;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,2mOhm | 192A | 441W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRF1010E JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF; SP001569818;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 8,5mOhm | 85A | 200W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF1010Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010ZPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 94A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF1018EPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; SP001574502;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 80A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF1104
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 9mOhm | 100A | 170W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1104PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
883 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 9mOhm | 100A | 170W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF1310NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF; SP001553864;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 40mOhm | 30A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF1312
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 95A; 210W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 10mOhm | 95A | 210W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRF1324
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF; Discontinued IRF1324PBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 24V | 20V | 1,5mOhm | 353A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF1324S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,65mOhm; 340A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 24V | 20V | 1,65mOhm | 340A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF1404 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF; SP001561374;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF1404PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 230A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO |