Tranzystory polowe (wyszukane: 6762)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS816NWH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 240mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS816NWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1050 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 240mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 240mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS816NWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
540000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 240mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS816NWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
324000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 240mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS83P JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 10Ohm | 330mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5840 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS83PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
114000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS83PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
76200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS83PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
684000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS84,215-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1917 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | CHIPNOBO | |||||||||||||
|
BSS84 GALAXY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 12V | 10Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | |||||||||||||
|
BSS84 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 130mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS84 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2997 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 130mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS84 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
BSS84 MERRY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; --50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5997 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MERRY | |||||||||||||
|
BSS84 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 130mA | SMD | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||||
|
BSS84 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1580 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
|
BSS84 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
BSS84
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
239 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1222978 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2712000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3093000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
BSS84-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3797 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-13-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
4485000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
867000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
|
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-F2-0000HF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 9,9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 9,9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
|
BSS8402DW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnętrzny:
435000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnętrzny:
210000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
|
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LBSS8402DW1T3G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
445 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 380mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | LRC | |||||||||||||
|
BSS84AKS NXP
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 160mA; 320mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKS,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 160mA | 320mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 160mA | 320mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 160mA | 320mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 160mA | 320mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
BSS84AKW,115
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 150mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 150mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
348000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 150mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
BSS84DW-7-F Diodes
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3380 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2600 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
87000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
|
LBSS84DW1T1G SC-88 LRC
Tranzystor 2xP-MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84DW-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 380mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | LRC | |||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
37301 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH7894XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
171800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS84P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84E (60V); BSS84 (50V); Zamiennik za BSS84PH6327XTSA2;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
216 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 216 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 10V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1684 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2784 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 10V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
|
BSS84PWH Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15730 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
12600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
2517000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
813000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS84W-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
345000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
417000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
174000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
|
BSS84W
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84W-F2-0000HF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 9,9Ohm | 170mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
|
BSS87
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 7Ohm; 700mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 770 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 7Ohm | 700mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | NXP | |||||||||||||
|
BSS87H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 260mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
237 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
216000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BST82
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST82.215; BST82,235;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
308 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BUK6D120-60PX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 120mOhm | 8A | 15W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN06 | NXP | |||||||||||||