Tranzystory polowe (wyszukane: 7020)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9962GH-HF-3TR;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 32A | 40V | 20V | 27,8W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta: AP9971GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 25A | 60V | 20V | 39W | SMD | 50mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 125mOhm; 11A; 21W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 11A | 60V | 25V | 21W | SMD | 125mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 3,2A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
235 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 3,2A | 100V | 20V | 2,8W | SMD | 200mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRF1404 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRF1404 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220AB | International Rectifier | 202A | 40V | 20V | 333W | THT | 4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRF4905S International Rectifier
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
D2PAK | International Rectifier | 70A | 55V | 20V | 170W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRF7416QTR International Rectifier
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
SOIC08 | International Rectifier | 10A | 30V | 20V | 2,5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRF9540N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
36 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 23A | 100V | 20V | 140W | THT | 117mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRF9Z34N International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO-220AB | International Rectifier | 19A | 55V | 20V | 68W | THT | 100mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRFR4104 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 119A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | International Rectifier | 119A | 40V | 20V | 140W | SMD | 5,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRFR5305 International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | International Rectifier | 31A | 55V | 20V | 110W | SMD | 65mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRFR8401 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | International Rectifier | 100A | 40V | 20V | 79W | SMD | 4,25mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | International Rectifier | 100A | 40V | 20V | 79W | SMD | 4,25mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRLR014N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
187 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/225 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | International Rectifier | 10A | 55V | 16V | 28W | SMD | 210mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRLR3705Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | International Rectifier | 89A | 55V | 16V | 130W | SMD | 12mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BF1202WR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Philips Symbol Producenta: BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna: SOT343R |
Stan magazynowy:
69 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 69 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT343R | NXP | 30mA | 10V | 6V | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | ||||||||||||||
|
BF998 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BF998 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r |
Stan magazynowy:
2590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT143 | Infineon Technologies | 30mA | 12V | 20V | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||
|
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | 4,8A | 20V | 8V | 1,5W | SMD | 65mOhm | -50°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BS107P DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | DIODES | 120mA | 200V | 20V | 500mW | THT | 30Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | DIODES | 120mA | 200V | 20V | 500mW | THT | 30Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BS170-D26Z (krępowane=forming)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna: TO92formed t/r |
Stan magazynowy:
3720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | 500mA | 60V | 60V | 20V | 830mW | THT | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
BS170FTA smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
465 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2403 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | DIODES | 0,15mA | 60V | 20V | 330mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BS250FTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | DIODES | 90mA | 45V | 20V | 330mW | SMD | 14Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
494 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 494 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ONSEMI | 400mA | 60V | 20V | 625mW | THT | 2Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC010NE2LSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 25V | 20V | 96W | SMD | 1,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC016N04LS G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 40V | 20V | 139W | SMD | 2,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC016N06NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
59 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 60V | 20V | 139W | SMD | 2,9mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 60V | 20V | 139W | SMD | 2,9mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC018NE2LS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 25V | 20V | 69W | SMD | 2,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC018NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 25V | 20V | 69W | SMD | 2,3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC019N02KSG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 20V | 12V | 104W | SMD | 3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC019N04NSGATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 40V | 20V | 125W | SMD | 1,9mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC022N04LS6
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 139A | 40V | 20V | 79W | SMD | 3,2mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSC024NE2LS INFINEON
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 510 Ilość (wielokrotność 1) |
TDSON08 | Infineon Technologies | 100A | 25V | 20V | 48W | SMD | 3,4mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||