Tranzystory polowe (wyszukane: 7019)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA60R380P6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R380P6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Infineon Technologies | 10,6A | 650V | 30V | 83W | THT | 889mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R380P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | Infineon Technologies | 10,6A | 650V | 30V | 83W | THT | 889mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA60R950C6XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 2,22Ohm; 4,4A; 26W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 4,4A | 650V | 30V | 26W | THT | 2,22Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA65R225C7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 478mOhm; 7A; 29W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 7A | 700V | 30V | 29W | THT | 478mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA80R1K2P7 Infineon Technologies
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA80R1K2P7XKSA1; IPA80R1K2P7XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
47 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Infineon Technologies | 4,5A | 800V | 30V | 25W | THT | 2,7Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPAN70R900P7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPAN70R900P7SXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | INFINEON | 6A | 10V | 700V | 30V | 17W | THT | 900mOhm | -40°C ~ 150°C | MOSFET | ||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
D2PAK | INFINEON | 180A | 60V | 20V | 300W | SMD | 1mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPB072N15N3G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263/3 | Infineon Technologies | 100A | 150V | 20V | 300W | SMD | 7,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263/3 | Infineon Technologies | 100A | 150V | 20V | 300W | SMD | 7,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB072N15N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnętrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263/3 | Infineon Technologies | 100A | 150V | 20V | 300W | SMD | 7,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPB090N06N3G INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 50A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB090N06N3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
126 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263/3 | Infineon Technologies | 50A | 60V | 20V | 71W | SMD | 9,3mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB090N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263/3 | Infineon Technologies | 50A | 60V | 20V | 71W | SMD | 9,3mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPB107N20N3G INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263/3 | Infineon Technologies | 88A | 200V | 20V | 300W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPD090N03LG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD090N03LGATMA1; zamiennik dla IRLR8729TRPBF; IPD090N03LG; IPD090N03LG-VB; HSU3004; HSU80N03;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 40A | 30V | 20V | 42W | SMD | 13,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD090N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
15064 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 40A | 30V | 20V | 42W | SMD | 13,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPD100N06S403ATMA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO-252-3 | INFINEON | 100A | 20V | 60V | 10V | 150W | SMD | 3,5mOhm | -55°C ~ 175°C | MOSFET | ||||||||||||
|
IPD50P04P4L11ATMA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | INFINEON | 50A | 40V | 10V | 58W | SMD | 10,6mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
DMP3068L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R DMP3068L-13
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2640 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | DIODES/ZETEX | -3,9A | -30V | 12V | 700mW | SMD | 72mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3068L-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIODES/ZETEX | -3,9A | -30V | 12V | 700mW | SMD | 72mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IPD70R360P7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | INFINEON | 12,5A | 700V | 30V | 59,5W | SMD | 360mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
DMP4047SK3-13
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 55mOhm; 20A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: PTD40P20;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | DIODES | 20A | 40V | 20V | 1,6W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IDP78CN10NG TO252-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD78CN10NGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 13A | 100V | 20V | 31W | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD78CN10NGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 13A | 100V | 20V | 31W | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPD90P04P4L-04
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD90P04P4L04ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 90A | 40V | 16V | 125W | SMD | 6,6mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IPD90R1K2C3 INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5,1A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD90R1K2C3ATMA1; IPD90R1K2C3BTMA1; IPD90R1K2C3ATMA2;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | Infineon Technologies | 5,1A | 900V | 30V | 83W | SMD | 2,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPI80N06S407AKSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,4mOhm; 80A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
34 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO262 | Infineon Technologies | 80A | 60V | 20V | 79W | THT | 7,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPN60R600P7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,145Ohm; 6A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R600P7SATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 6A | 650V | 30V | 7W | SMD | 1,145mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP032N06N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP032N06N3GXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 120A | 60V | 20V | 188W | THT | 3,2mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP041N12N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 4,1mOhm; 120A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 120A | 120V | 20V | 300W | THT | 4,1mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP041N12N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4108 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon Technologies | 120A | 120V | 20V | 300W | THT | 4,1mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP045N10N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP045N10N3GXKSA1; IPP045N10N3GHKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 100A | 100V | 20V | 214W | THT | 7,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP045N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
6190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon Technologies | 100A | 100V | 20V | 214W | THT | 7,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP060N06N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 45A; 83W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP060N06NAKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 45A | 60V | 20V | 83W | THT | 9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP110N20N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP110N20N3GXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 16 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 88A | 200V | 20V | 300W | THT | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP120N20NFDA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 12mOhm; 84A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP120N20NFDAKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 84A | 200V | 20V | 300W | THT | 12mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | INFINEON | 18,5A | 500V | 20V | 127W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP50R190CEXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
23516 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | INFINEON | 18,5A | 500V | 20V | 127W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP60R090CFD7 INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 4V; 90mOhm; 25A; 125W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP60R090CFD7XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | INFINEON | 25A | 4V | 600V | 3,5V | 125W | THT | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | ||||||||||||
|
IPP60R190C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP06R190C6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 20,2A | 650V | 30V | 151W | THT | 440mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
448 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon Technologies | 20,2A | 650V | 30V | 151W | THT | 440mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R190P6XKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | INFINEON | 20,2A | 600V | 20V | 151W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R190P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1286 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | INFINEON | 20,2A | 600V | 20V | 151W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R190P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
453 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | INFINEON | 20,2A | 600V | 20V | 151W | THT | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||