Tranzystory polowe (wyszukane: 6774)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9540N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9540; IRF9540NPBF; IRF9540PBF; IRF 9540 N PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1223 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
27347 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1528 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1685 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IRF9540NLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 110W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9540NSPBF; IRF9540NSTRLPBF; IRF9540NSTRRPBF; IRF9540NSPBF-GURT; IRF9540NSTRR; IRF9540NS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
125 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1940 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRRPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
82350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF9610
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9610PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9610PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 1,8A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4352 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 1,8A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 1,8A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
14550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 1,8A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF9630PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9630PBF; IRF9630PBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF9630PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 420mOhm | 10A | 78W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
|
IRF9630SPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 6,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9630SPBF; IRF9630STRLPBF; IRF9630STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9630S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9630SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
6900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9630SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF9640PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640PBF; IRF9640;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF9640 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-04-30
Ilość szt.: 250
|
|||||||||||||||||||||||
|
IRF9640S
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640SPBF; IRF9640STRLPBF; IRF9640STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9640S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF9910
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 20V; 18,3mOhm/11,3mOhm; 10A/12A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9910PBF; IRF9910TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
97 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 20V | 18,3mOhm | 12A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF9910TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TRPBF-VB; VBsemi: VBA3211;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 1,3Ohm | 10A | 2,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBS | |||||||||||||
|
IRF9953
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 2,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF9956TRPBF JGSEMI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 38mOhm; 8,5A; 3,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956PBF; IRF9956TRPBF; SP001565670; SP001565688;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 38mOhm | 8,5A | 3,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JGSEMI | |||||||||||||
|
IRF9956TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956PBF; IRF9956TRPBF; SP001565670; SP001565688;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
|
IRF9956 smd
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF9Z24PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 11A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9Z24 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 11A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9Z24PBF; IRF9Z24PBF-BE3; IRF9Z24NPBF; SP001555934;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 85mOhm | 20A | 90W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
|
IRF9Z24N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
185 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
9937 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF9Z24NS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NSPBF; IRF9Z24NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF9Z34
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 140mOhm; 18A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9Z34 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 18A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF; IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
93 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 102mOhm | 20A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
|
IRF9Z34N UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF; IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF9Z34N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
47 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/400 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9Z34PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
947 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
5960 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
23111 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NS; IRF9Z34NSPBF; IRF9Z34NSTRRPBF; IRF9Z34NSTRLPBF; IRF9Z34NSPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NSTR RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
345 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
7200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFB11N50A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 11A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB11N50APBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFB11N50APBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
455 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFB260NPBF Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 40mOhm | 56A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB260NPBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnętrzny:
760 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 40mOhm | 56A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
IRFB3006
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3006PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
22 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
440 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006GPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
925 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFB3206 TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 210A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 210A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 210A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
23899 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 210A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFB3207Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3207ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,1mOhm | 170A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3207ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
210 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,1mOhm | 170A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3207ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1266 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,1mOhm | 170A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRFB3306
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3306PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3306PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
710 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3306PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
737 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-12-18
Ilość szt.: 1500
|
|||||||||||||||||||||||
|
IRFB3607
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3607PBF; SP001551746;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
570 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
8067 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2070 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||