Tranzystory polowe (wyszukane: 7019)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF8N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 8A | 800V | 30V | 59W | THT | 1,55Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-12-31
Ilość szt.: 50
|
|||||||||||||||||||||||
|
FQPF9N50CF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 850mOhm; 9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 12 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 9A | 500V | 30V | 44W | SMD | 850mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 38 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 9A | 500V | 30V | 44W | SMD | 850mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FQS4903TF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 6,2Ohm; 370mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQS4903TF RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 370mA | 500V | 25V | 2W | SMD | 6,2Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FQT4N20LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,4Ohm; 850mA; 2,2W; -55°C ~ 150°C; FQT4N20LTF-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT4N20LTF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 850mA | 200V | 20V | 2,2W | SMD | 1,4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FQT5P10TF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 1,05Ohm; 1A; 2W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: FQT5P10TF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1A | 100V | 30V | 2W | SMD | 1,05Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT5P10TF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1A | 100V | 30V | 2W | SMD | 1,05Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FQT5P10TF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | VBSEMI ELEC | 3A | 100V | 20V | 6,5W | SMD | 230mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FQT7N10LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 380mOhm; 1,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,7A | 100V | 20V | 2W | SMD | 380mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FQU11P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FQU11P06TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 9,4A | 60V | 30V | 38W | THT | 185mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FQU17P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 135mOhm; 12A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
IPAK | ON SEMICONDUCTOR | 12A | 60V | 25V | 44W | THT | 135mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
IPAK | ON SEMICONDUCTOR | 12A | 60V | 25V | 44W | THT | 135mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FQU2N100TU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N100TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 1,6A | 1000V | 30V | 50W | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FQU2N60CTU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N60CTU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70/3570 Ilość (wielokrotność 1) |
IPAK | ON SEMICONDUCTOR | 1,9A | 600V | 30V | 44W | THT | 4,7Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
GAN063-650WSAQ
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | NXP | 34,5A | 650V | 20V | 143W | THT | 120mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HUF75321P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 34mOhm; 35A; 93W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75321S3S; HUF75321D3S;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF75321P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 35A | 55V | 55V | 20V | 93W | THT | 34mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
HUF75332P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 19mOhm; 60A; 145W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75332S3ST;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF75332P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220AB | Fairchild | 60A | 55V | 55V | 20V | 145W | THT | 19mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
HUF75344G3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: HUF75344G3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 75A | 55V | 55V | 20V | 285W | THT | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: HUF75344G3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
2856 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 75A | 55V | 55V | 20V | 285W | THT | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
HUF75345P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 75A | 55V | 55V | 20V | 325W | THT | 7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: HUF75345P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 75A | 55V | 55V | 20V | 325W | THT | 7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
HUF75645P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 75A | 100V | 100V | 20V | 310W | THT | 14mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
HUF76423P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 38mOhm; 33A; 85W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF76423P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 33A | 60V | 60V | 16V | 85W | THT | 38mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: HUF76423P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 33A | 60V | 60V | 16V | 85W | THT | 38mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
HUF76439S3S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 15mOhm; 75A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF76439S3ST (T&R); HUF76439P3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | 75A | 60V | 60V | 16V | 180W | THT | 15mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
HYG013N03LS1C2 HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
PDFN08(6x5) | HUAYI | 150A | 30V | 20V | 65W | SMD | 2,8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG020N04NR1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 200A | 40V | 25V | 200W | THT | 2,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG023N04LS1B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 170A; 3,5mOhm; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | HUAYI | 170A | 40V | 20V | 150W | SMD | 3,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG028N10NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 230A | 100V | 20V | 300W | THT | 3,3mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG035N10NS2B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | HUAYI | 180A | 100V | 20V | 220W | SMD | 4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG035N10NS2P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 180A | 100V | 20V | 220W | THT | 4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG038N03LR1C2 HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 84A; 6,6mOhm; 53W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
PDFN08(6x5) | HUAYI | 84A | 30V | 20V | 53W | SMD | 6,6mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG038N03LR1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78A; 6,3mOhm; 47W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | HUAYI | 78A | 30V | 20V | 47W | SMD | 6,3mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG042N10NS1B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | HUAYI | 160A | 100V | 20V | 200W | SMD | 4,2mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG043N10NS2B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | HUAYI | 164A | 100V | 20V | 258,6W | SMD | 4,8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG053N10NS1B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | HUAYI | 120A | 100V | 20V | 187,5W | SMD | 5,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||