Tranzystory polowe (wyszukane: 7019)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPS60R1K0PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 26W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R1K0PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | 4,7A | 650V | 20V | 26W | THT | 1,978Ohm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPS60R210PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 386mOhm; 16A; 64W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R210PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | 16A | 650V | 20V | 64W | THT | 386mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPS60R280PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R280PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | 12A | 650V | 20V | 51W | THT | 549mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPS60R360PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 714mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R360PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | 10A | 650V | 20V | 43W | THT | 714mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPS60R600PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPS60R600PFD7SAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO251 (IPACK) | Infineon Technologies | 6A | 650V | 20V | 31W | THT | 1,219Ohm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | INFINEON | 76A | 650V | 20V | 255W | THT | 37mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R037P7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
11496 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO247 | INFINEON | 76A | 650V | 20V | 255W | THT | 37mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPW60R041C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R041C6FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | Infineon Technologies | 77,5A | 650V | 30V | 481W | THT | 96mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R041C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
204 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO 3P | Infineon Technologies | 77,5A | 650V | 30V | 481W | THT | 96mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R041C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
294 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO 3P | Infineon Technologies | 77,5A | 650V | 30V | 481W | THT | 96mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPW60R099C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R099C6FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | Infineon Technologies | 37,9A | 650V | 30V | 278W | THT | 230mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
77 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO 3P | Infineon Technologies | 37,9A | 650V | 30V | 278W | THT | 230mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
690 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO 3P | Infineon Technologies | 37,9A | 650V | 30V | 278W | THT | 230mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPW60R125P6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 293mOhm; 30A; 219W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R125P6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | Infineon Technologies | 30A | 650V | 30V | 219W | THT | 293mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R125P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO 3P | Infineon Technologies | 30A | 650V | 30V | 219W | THT | 293mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPW60R160C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R160C6FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | Infineon Technologies | 23,8A | 650V | 30V | 176W | THT | 370mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R160C6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
21 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO 3P | Infineon Technologies | 23,8A | 650V | 30V | 176W | THT | 370mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPW60R190E6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | Infineon Technologies | 20,2A | 650V | 30V | 151W | THT | 440mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R190E6FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
101 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO 3P | Infineon Technologies | 20,2A | 650V | 30V | 151W | THT | 440mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPW90R120C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW90R120C3FKSA1; IPW90R120C3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | Infineon Technologies | 36A | 900V | 30V | 417W | THT | 270mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF100B201 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF100B201; SP001561498;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | UMW | 192A | 100V | 20V | 441W | THT | 4,2mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1010E JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF; SP001569818;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | JSMICRO | 85A | 60V | 25V | 200W | THT | 8,5mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1010NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF1010NS RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 85A | 55V | 20V | 180W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 85A | 55V | 20V | 180W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
46400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 85A | 55V | 20V | 180W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1010Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010ZPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 94A | 55V | 20V | 140W | THT | 7,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1018EPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; SP001574502;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | MOSLEADER | 80A | 60V | 20V | 104W | THT | 12mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1018EPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; IRF1018E;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 79A | 60V | 20V | 110W | THT | 8,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
18229 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 79A | 60V | 20V | 110W | THT | 8,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
760 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 79A | 60V | 20V | 110W | THT | 8,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1018ES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1018ESPBF; IRF1018ESPBF-GURT; IRF1018ESTRLPBF; Discontinued IRF1018ESTRLPBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPB057N06NATMA1; coming soon
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | 79A | 60V | 20V | 110W | SMD | 8,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1104
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 100A | 40V | 20V | 170W | THT | 9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1310NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF; SP001553864;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | MOSLEADER | 30A | 100V | 20V | 125W | THT | 40mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1310
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 42A | 100V | 20V | 160W | THT | 36mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 42A | 100V | 20V | 160W | THT | 36mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
26839 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 42A | 100V | 20V | 160W | THT | 36mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1312
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 95A; 210W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 95A | 80V | 20V | 210W | THT | 10mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1324
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF; Discontinued IRF1324PBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon (IRF) | 353A | 24V | 20V | 300W | THT | 1,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1324PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
731 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 353A | 24V | 20V | 300W | THT | 1,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1324S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,65mOhm; 340A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | 340A | 24V | 20V | 300W | SMD | 1,65mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1404PBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF; SP001561374;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CHIPNOBO | 130A | 40V | 20V | 190W | THT | 6,6mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1404 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF; SP001561374;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | JSMICRO | 230A | 40V | 20V | 285W | THT | 4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1404PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF; SP001561374;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | MOSLEADER | 120A | 40V | 20V | 123W | THT | 6,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1404S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404SPBF; IRF1404STRLPBF; IRF1404STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
26 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 162A | 40V | 20V | 200W | SMD | 4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1230 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 162A | 40V | 20V | 200W | SMD | 4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
5600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 162A | 40V | 20V | 200W | SMD | 4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1404ZPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 190A; 220W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404ZPBF; IRF1404ZGPBF; IRF1404ZLPBF; IRF1404Z;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon (IRF) | 190A | 40V | 20V | 220W | THT | 3,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 190A | 40V | 20V | 220W | THT | 3,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||