Tranzystory polowe (wyszukane: 7019)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HYG053N10NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 120A | 100V | 20V | 187,5W | THT | 5,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG054N10NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 120A | 100V | 20V | 194,8W | THT | 6,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG055N08NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 120A | 80V | 20V | 187,5W | THT | 6,8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG060N08NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 105A | 80V | 20V | 125W | THT | 6mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG065N03LR1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | HUAYI | 55A | 30V | 20V | 42W | SMD | 10,9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG065N07NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF3205PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 100A | 70V | 20V | 125W | THT | 6,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG065N15NS1W HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10/30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | HUAYI | 165A | 150V | 20V | 375W | THT | 7,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG101N10LA1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | HUAYI | 15A | 100V | 20V | 51,7W | SMD | 125mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG170C03LR1S HUAYI
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9.5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | HUAYI | 9,5A | 30V | 20V | 3W | SMD | 19,3mOhm | -55°C ~ 175°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG180N10LS1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | HUAYI | 45A | 100V | 20V | 71,4W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG180N10LS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF540PBF; IRF540NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 50A | 100V | 20V | 93,7W | THT | 34mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG180N10LS1S HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | HUAYI | 9A | 100V | 20V | 4,6W | SMD | 26mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG210N06LA1S HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | HUAYI | 9A | 60V | 20V | 3W | SMD | 23mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG210P06LQ1D HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
125 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | HUAYI | 40A | 60V | 20V | 60W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG210P06LQ1P HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF4905PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | HUAYI | 45A | 60V | 20V | 107W | THT | 34mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG260P03LR1S HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | HUAYI | 8A | 30V | 20V | 3W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
HYG450P06LA1D HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
248 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | HUAYI | 20A | 60V | 20V | 37,5W | SMD | 62mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA045N10N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 64A; 39W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 64A | 100V | 20V | 39W | THT | 7,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA057N06N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,7mOhm; 60A; 38W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 60A | 60V | 20V | 38W | THT | 5,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA075N15N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,9mOhm; 43A; 39W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon (IRF) | 43A | 150V | 20V | 39W | THT | 7,9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA075N15N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220FP | Infineon (IRF) | 43A | 150V | 20V | 39W | THT | 7,9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA083N10N5XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 44A | 100V | 20V | 36W | THT | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA083N10N5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
488 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220FP | Infineon Technologies | 44A | 100V | 20V | 36W | THT | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA086N10N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15,4mOhm; 45A; 37,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 45A | 100V | 20V | 37,5W | THT | 15,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA086N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
4494 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220FP | Infineon Technologies | 45A | 100V | 20V | 37,5W | THT | 15,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA105N15N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11,1mOhm; 37A; 40,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 37A | 150V | 20V | 40,5W | THT | 11,1mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA180N10N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 28A | 100V | 20V | 30W | THT | 33mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA50R140CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Infineon Technologies | 23A | 550V | 30V | 34W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R140CPXKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
8500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | Infineon Technologies | 23A | 550V | 30V | 34W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA50R199CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 450mOhm; 17A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R199CPXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Infineon Technologies | 17A | 550V | 30V | 139W | THT | 450mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA60R060C7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 16A | 650V | 20V | 34W | THT | 115mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA60R190C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R190C6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Infineon Technologies | 20,2A | 650V | 30V | 151W | THT | 440mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
122 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | Infineon Technologies | 20,2A | 650V | 30V | 151W | THT | 440mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
766 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | Infineon Technologies | 20,2A | 650V | 30V | 151W | THT | 440mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA60R280C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 660mOhm; 13,8A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R280C6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Infineon Technologies | 13,8A | 650V | 30V | 104W | THT | 660mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IPA60R280E6XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 660mOhm; 13,8A; 32W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220FP | Infineon Technologies | 13,8A | 650V | 30V | 32W | THT | 660mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||