Tranzystory polowe (wyszukane: 6775)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF610S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,3A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF610STRLPBF; IRF610STRRPBF; IRF610SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF610S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF610SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
5250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF620PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF620PBF; IRF620;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF620 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1396 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF620S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF620STRRPBF IRF620STRLPBF
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF620S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF6217 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 150V; 20V; 2,4Ohm; 700mA; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF6217PBF; IRF6217TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 150V | 20V | 2,4Ohm | 700mA | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF630 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 400mOhm | 9A | 72W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
|
IRF630NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
|
IRF630
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF630PBF; IRF630NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF630 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
155 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/450 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | THT | -65°C ~ 150°C | TO220 | Inchange Semiconductors | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF630PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
525 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | THT | -65°C ~ 150°C | TO220 | Inchange Semiconductors | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF630NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
84750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | THT | -65°C ~ 150°C | TO220 | Inchange Semiconductors | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF630NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
26969 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | THT | -65°C ~ 150°C | TO220 | Inchange Semiconductors | |||||||||||||
|
IRF630N TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
230 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF630NS smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NSPBF; IRF630NSTRRPBF; IRF630NSTRLPBF; IRF630NSPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF630S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF630SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF634
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 450mOhm; 8,1A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF634PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF634 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 450mOhm | 8,1A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 450mOhm | 8,1A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF634PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
225 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 450mOhm | 8,1A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
DH640 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Donghai | |||||||||||||
|
IRF640NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
73 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 145mOhm | 18A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
IRF640NPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
|
IRF640NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
|
IRF640 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
56 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | SLKOR | |||||||||||||
|
IRF640NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NPBF; IRF 640 N; IRF 640 N PBF; IRF640N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF640NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
168 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2130 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
145864 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
47400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF640NLPBF IR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF640NS smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF640NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF640NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
3200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF640NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF640S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640STRLPBF; IRF640SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF640S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 130W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF640SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 130W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF640SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1490 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 130W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF644S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 280mOhm; 14A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF644SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF644S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
134 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 14A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF6645 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 35mOhm; 5,7A; 2,2W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF6645TRPBF; IRF6645PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 35mOhm | 5,7A | 2,2W | SMD | -40°C ~ 150°C | DirectFET | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF6645TR RoHS Obudowa dokładna: DirectFET |
Stan magazynowy:
46 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 35mOhm | 5,7A | 2,2W | SMD | -40°C ~ 150°C | DirectFET | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF6645TRPBF Obudowa dokładna: DirectFET |
Magazyn zewnętrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 35mOhm | 5,7A | 2,2W | SMD | -40°C ~ 150°C | DirectFET | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRF710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 3,6Ohm; 2A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF710PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF710 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 3,6Ohm | 2A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF710PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 3,6Ohm | 2A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF710PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 3,6Ohm | 2A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRF7104TR UMW
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7104PBF; IRF7104TRPBF; SP001565336; SP001564756;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 12V | 400mOhm | 2,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
|
IRF7105TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/77mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7105PBF; IRF7105TRPBF; SP001561994; SP001577206;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 77mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7105TRPBF JSMICRO
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/58mOhm; 7,2A/6,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7105PBF; IRF7105TRPBF; SP001561994; SP001577206;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF7105TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 58mOhm | 7,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO | |||||||||||||
|
IRF7105TR UMW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7105PBF; IRF7105TRPBF; SP001561994; SP001577206;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 25V | 20V | 400mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
|
IRF720
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 3,3A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF720PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF720 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
370 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,3A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF720PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,3A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF720PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,3A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF720PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,3A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFI720G iso
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 2,6A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 2,6A | 30W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRF7204TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7204PBF; IRF7204TRPBF; SP001574762; SP001551198;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 5,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||