Tranzystory polowe (wyszukane: 6261)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI644GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 280mOhm; 7,9A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 7,9A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI644GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 7,9A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI730GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1Ohm; 3,7A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1Ohm | 3,7A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI830GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 3,1A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI830GPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 1,5Ohm | 3,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI840
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 850mOhm; 4,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFI840GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI840G RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI840GLCPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
465 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI840GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
8050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI840GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
IRFI840GLCPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 850mOhm; 4,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI840GLCPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 4,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9520GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 5,2A; 37W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 5,2A | 37W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9530G
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 7,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI9530GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 7,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9530GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
31550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 7,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9530GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
4400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 7,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9540GPBF
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 11A; 48W; -55°C ~ 175°C; IRFI9540G; IRFI9540GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI9540GPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 11A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9540GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1186 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 11A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9630GPBF VISHAY
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,3A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,3A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | International Rectifier | |||||||||||||
IRFI9634GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 250V; 20V; 1Ohm; 4,1A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
43 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 250V | 20V | 1Ohm | 4,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9640GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 6,1A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 6,1A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9Z34GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 140mOhm; 12A; 42W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI9Z34G RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 12A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9Z34GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 12A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIB41N15DPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 45mOhm; 41A; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 45mOhm | 41A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFIB6N60APBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 5,5A; 60W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 5,5A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIB7N50APBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 6,6A; 60W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 6,6A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBC20GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 1,7A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 4,4Ohm | 1,7A | 30W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBC30GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 2,2Ohm; 2,5A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 2,2Ohm | 2,5A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBC40GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 1,2Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBC40GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
472 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBE30GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 2,1A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 2,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBE30GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 2,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBE30GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 2,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBF30GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 20V; 3,7Ohm; 1,9A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 1,9A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIZ24NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 70mOhm; 14A; 29W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 14A | 29W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFIZ24NPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 14A | 29W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFIZ34GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFIZ34EPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFIZ34G RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
23 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 20A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIZ34NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 21A; 37W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFIZ34NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 21A | 37W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | International Rectifier | |||||||||||||
IRFIZ44NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 24mOhm; 31A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFIZ44N;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFIZ44N RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 24mOhm | 31A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFIZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
2050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 24mOhm | 31A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFIZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
2030 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 24mOhm | 31A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFIZ46NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 33A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 33A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFIZ48GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 37A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFIZ48GPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 37A | 50W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIZ48GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
570 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 37A | 50W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIZ48GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
5250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 37A | 50W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFL014
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFL014TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
IRFL014NTRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3; IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 110mOhm | 5A | 1,79W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT223 | JGSEMI | |||||||||||||
IRFL014N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 160mOhm | 2,7A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 160mOhm | 2,7A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 160mOhm | 2,7A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 160mOhm | 2,7A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFL024N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL024NTRPBF; IRFL024NPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 4A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL024NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 4A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies |