Tranzystory polowe (wyszukane: 6778)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBE30
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBE30PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBE30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
58 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
3700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
503 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFBF30
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 20V; 3,7Ohm; 3,6A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBF30PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBF30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
915 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFBG20
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG20PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 11Ohm | 1,4A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2862 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 11Ohm | 1,4A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
375 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 11Ohm | 1,4A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFBG30
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG30PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
93 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 5Ohm | 3,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 5Ohm | 3,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD014
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,7A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD014PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD014 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 1,7A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD024
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD024PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 2,5A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD110
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD110PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD110PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 1A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD120
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD120PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD120 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,3A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD123
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,3A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD123PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
68 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,3A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD420
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 370mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD420PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD420 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
21 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 370mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD9110
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 700mA; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD9110PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD9110 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,2Ohm | 700mA | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD9120
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD9120PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFD9120PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 1A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD9120PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/600 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 1A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD9210
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 400mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 400mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD9210PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnętrzny:
3050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 400mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFD9220
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 560mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD9220PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 560mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFH3702TRPBF
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2PBF
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFH3702TRPBF RoHS Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 7,1mOhm | 42A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN8 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRFH708TRPBF International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3,6mOhm; 147A; 156W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,6mOhm | 147A | 156W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN6 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH7085TRPBF Obudowa dokładna: PQFN6 |
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,6mOhm | 147A | 156W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN6 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFH7932TRPBF International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 25A; 3,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
37 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 25A | 3,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN56 (5x6mm) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFH8321
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 21A; 3,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFH8321TRPBF; IRFH8321PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 21A | 3,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | QFN-08 | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRFI1010NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 49A; 58W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 12mOhm | 49A | 58W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFI1310N
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 24A; 56W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI1310NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 24A | 56W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI1310NPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
31377 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 24A | 56W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFI3205
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 64A; 63W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI3205PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 8mOhm | 64A | 63W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI3205PBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 8mOhm | 64A | 63W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI3205PBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
5555 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 8mOhm | 64A | 63W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFI4020H-117P TO220/5Qiso
Tranzystor 2xN-MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 9,1A; 21W; -55°C ~ 150°C; IRFI4020H-117PXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 200V | 20V | 100mOhm | 9,1A | 21W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220/5Q iso | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRFI4024H-117P TO220/5Qiso
Tranzystor 2xN-MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 11A; 14W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 11A | 14W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220/5Q iso | International Rectifier | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 11A | 14W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220/5Q iso | International Rectifier | |||||||||||||
|
IRFI4227PBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 25mOhm; 26A; 46W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
36 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 25mOhm | 26A | 46W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 38 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 25mOhm | 26A | 46W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI4227PBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 25mOhm | 26A | 46W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFI4229PBF
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 30V; 46mOhm; 19A; 46W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 30V | 46mOhm | 19A | 46W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFI4321PBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFI4321PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 16mOhm | 34A | 46W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI4321PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnętrzny:
1240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 16mOhm | 34A | 46W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFI520GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 7,2A; 37W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 7,2A | 37W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFI520N
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 7,6A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
270 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 7,6A | 30W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRFI530GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 9,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI530GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 9,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
|
IRFI530N
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 12A; 41W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI530NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
189 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 12A | 41W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFI530NPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 12A | 41W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | |||||||||||||