Tranzystory (wyszukane: 9622)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRF9540N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
46 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
117mOhm | 23A | 140W | TO220 | International Rectifier | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRF9Z34N International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 19A | 68W | TO-220AB | International Rectifier | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRFR4104 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 119A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 119A | 140W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRFR5305 International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 31A | 110W | DPAK | International Rectifier | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRFR8401 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4,25mOhm | 100A | 79W | DPAK | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
4,25mOhm | 100A | 79W | DPAK | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC3263
Tranzystor NPN; 140; 130W; 230V; 15A; 60MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SC3263 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10/30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | 130W | 140 | 60MHz | 15A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2SC3284
Tranzystor NPN; 50; 125W; 150V; 14A; 60MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SC3284 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
36 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
TO-3P | PMC-Sierra | 125W | 50 | 60MHz | 14A | 150V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC3298
Tranzystor NPN; 240; 20W; 200V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do: 2SC3298 SPTECH;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SC3298 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | PMC-Sierra | 20W | 240 | 100MHz | 1,5A | 200V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC3356R
Tranzystor NPN; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356G-B-AE3-R;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: 2SC3356-S RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HOTTECH | 200mW | 160 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HOTTECH | 200mW | 160 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AUIRFS8405 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3mOhm | 193A | 163W | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC3356 R25 SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | SLKOR | 200mW | 260 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AUIRFZ44N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
17,5mOhm | 49A | 94W | TO220AB | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRLR014N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
212 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/225 Ilość (wielokrotność 1) |
210mOhm | 10A | 28W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC3519
Tranzystor NPN; 50; 130W; 160V; 15A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Sanken Symbol Producenta: 2SC3519 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | PMC-Sierra | 130W | 50 | 50MHz | 15A | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IKD04N60R
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 27nC | 75W | 8A | 12A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKD04N60RATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 27nC | 75W | 8A | 12A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
AUIRLR3705Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 89A | 130W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BF1202WR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Philips Symbol Producenta: BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna: SOT343R |
Stan magazynowy:
69 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 69 Ilość (wielokrotność 1) |
30mA | 200mW | SOT343R | NXP | 10V | 2xN-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 6V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
IKD06N60RF
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKD06N60RFAATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
26 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 48nC | 100W | 12A | 18A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BF998 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BF998 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
30mA | 200mW | SOT143 | Infineon Technologies | 12V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2SC3838KT146P
Tranzystor NPN; 180; 200mW; 11V; 50mA; 3,2GHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC3838KT146N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-59 | ROHM | 200mW | 180 | 3,2GHz | 50mA | 11V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC3856 TO-3P
Tranzystor NPN; 50; 130W; 180V; 15A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCSC3856; SPTECH 2SC3856; SPS 2SC3856T4TL; INCHANGE 2SC3856;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
SPTECH Symbol Producenta: 2SC3856 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 16 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | Sanken | 130W | 50 | 20MHz | 15A | 180V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-30
Ilość szt.: 120
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC4102
Tranzystor NPN; 390; 200mW; 120V; 50mA; 140MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC4102T106R;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | ROHM | 200mW | 390 | 140MHz | 50mA | 120V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 4,8A | 1,5W | SOT23 | BORN | 20V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BS107P DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
30Ohm | 120mA | 500mW | TO92 | DIODES | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
30Ohm | 120mA | 500mW | TO92 | DIODES | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BS170-D26Z (krępowane=forming)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna: TO92formed t/r |
Stan magazynowy:
3720 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
BS170FTA smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
565 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2403 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 0,15mA | 330mW | SOT23 | DIODES | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BS250FTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
14Ohm | 90mA | 330mW | SOT23 | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14Ohm | 90mA | 330mW | SOT23 | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
494 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 494 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 400mA | 625mW | TO92 | ONSEMI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IKP15N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 87nC | 130W | 26A | 45A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP15N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2452 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | Infineon Technologies | 87nC | 130W | 26A | 45A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BSC010NE2LSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3mOhm | 100A | 96W | TDSON08 | Infineon Technologies | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |