Tranzystory (wyszukane: 9780)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSH202
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 1,35Ohm; 520mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH202,215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSH202 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
1,35Ohm | 520mA | 417mW | SOT23 | NXP | 30V | P-MOSFET | 30V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSH203
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 8V; 1,65Ohm; 470mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH203,215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
1,65Ohm | 470mA | 417mW | SOT23-3 | NXP | 30V | P-MOSFET | 30V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH203,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,65Ohm | 470mA | 417mW | SOT23-3 | NXP | 30V | P-MOSFET | 30V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH203,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,65Ohm | 470mA | 417mW | SOT23-3 | NXP | 30V | P-MOSFET | 30V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSH205
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 12V; 8V; 750mOhm; 750mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSH205G2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5265 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 750mA | 417mW | SOT23 | NXP | 12V | P-MOSFET | 12V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH205G2R Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 750mA | 417mW | SOT23 | NXP | 12V | P-MOSFET | 12V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH205G2VL Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 750mA | 417mW | SOT23 | NXP | 12V | P-MOSFET | 12V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH205G2R Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 750mA | 417mW | SOT23 | NXP | 12V | P-MOSFET | 12V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2SC4382Y
Tranzystor NPN; 60; 25W; 200V; 2A; 15MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1668Y;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: 2SC4382 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
115 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | 25W | 60 | 15MHz | 2A | 200V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BSL207SPH6327
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL207SPH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
465 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 6A | 2W | TSOP06 | NXP | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL207SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 6A | 2W | TSOP06 | NXP | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSL211SPH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL211SPH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
110mOhm | 4,7A | 2W | TSOP06 | Infineon Technologies | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL211SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
110mOhm | 4,7A | 2W | TSOP06 | Infineon Technologies | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL211SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
110mOhm | 4,7A | 2W | TSOP06 | Infineon Technologies | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSL215CH6327XTSA1
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
280mOhm | 1,5A | 500mW | TSOP06 | Infineon Technologies | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4260 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
280mOhm | 1,5A | 500mW | TSOP06 | Infineon Technologies | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL215CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,5A | 500mW | TSOP06 | Infineon Technologies | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSL307SPH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 74mOhm; 5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL307SPH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
74mOhm | 5,5A | 2W | TSOP06 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL307SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
74mOhm | 5,5A | 2W | TSOP06 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSN20 NXP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSN20,215; BSN20,235;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSN20 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
28Ohm | 173mA | 830mW | SOT23 | NXP | 50V | N-MOSFET | 50V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSN20-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2215 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 500mA | 600mW | SOT23 | DIODES | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSN20-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 500mA | 600mW | SOT23 | DIODES | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSN20-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 500mA | 600mW | SOT23 | DIODES | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSN20-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 500mA | 600mW | SOT23 | DIODES | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC4466-Y
Tranzystor NPN; 180; 60W; 80V; 6A; 20MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: 2SC4466Y RoHS Obudowa dokładna: TO3PFM |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO3PFM | Inchange Semiconductors | 60W | 180 | 20MHz | 6A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BSO080P03S
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
410 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 14,9A | 2,5W | SOP08 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1020 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 14,9A | 2,5W | SOP08 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC4467
Tranzystor NPN; 140; 80W; 120V; 8A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC4467-P; 2SC4467L-O-T3P-T; 2SC4467L-P-T3P-T; 2SC4467L-Y-T3P-T; 2SC4467G-O-T3P-T; 2SC4467G-P-T3P-T; 2SC4467G-Y-T3P-T;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
UTC Symbol Producenta: 2SC4467L RoHS Obudowa dokładna: TO3PFM |
Stan magazynowy:
21 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO3PFM | Inchange Semiconductors | 80W | 140 | 20MHz | 8A | 120V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC4468
Tranzystor NPN; 180; 100W; 140V; 10A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1695;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | 100W | 180 | 20MHz | 10A | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BSO220N03MDG INFINEON
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO220N03MDGXUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
27mOhm | 7,7A | 2W | SOIC08 | Infineon Technologies | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO220N03MDGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 7,7A | 2W | SOIC08 | Infineon Technologies | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSO613SPV G Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3,44A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | 3,44A | 2,5W | SOIC08 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP125
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
60Ohm | 120mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP125H6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60Ohm | 120mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
20Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon (IRF) | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1755 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
20Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon (IRF) | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon (IRF) | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon (IRF) | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
4375 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon (IRF) | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP135
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
60Ohm | 120mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60Ohm | 120mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60Ohm | 120mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
124604 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60Ohm | 120mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP170P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
8250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
300mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
74000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
300mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
219000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
300mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP171P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1530 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
450mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP171PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
25525 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
450mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP171PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
85000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
450mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP171PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
190459 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
450mOhm | 1,9A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP250
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 3A; 5W; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP250,115; BSP250,135;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSP250,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
285 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
400mOhm | 3A | 5W | SOT223 | NXP | 30V | P-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP250,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
47000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 3A | 5W | SOT223 | NXP | 30V | P-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP250,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
34000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 3A | 5W | SOT223 | NXP | 30V | P-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP250,135 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
400mOhm | 3A | 5W | SOT223 | NXP | 30V | P-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP295
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
500mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
16075 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
440000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon (IRF) | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 800mOhm; 1,2A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP296NH6433XTMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1136 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
800mOhm | 1,2A | 1,8W | SOT223-4 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
800mOhm | 1,2A | 1,8W | SOT223-4 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
202000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
800mOhm | 1,2A | 1,8W | SOT223-4 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
800mOhm | 1,2A | 1,8W | SOT223-4 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP297
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
10350 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3981 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP299H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4Ohm | 400mA | 1,8W | SOT223-4 | Infineon Technologies | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,4Ohm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SOT223t/r | Infineon (IRF) | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnetrzny:
10100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SOT223t/r | Infineon (IRF) | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnetrzny:
140000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SOT223t/r | Infineon (IRF) | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
230mOhm | 2A | 2W | SOT223 | JGSEMI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P SOT223 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
493 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 493 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | -3A | 2W | SOT223 | TECH PUBLIC | -60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1967 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | -3A | 2W | SOT223 | TECH PUBLIC | -60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 1,17A | 1,8W | SOT223 | UMW | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |