Tranzystory (wyszukane: 8519)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP299H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4Ohm | 400mA | 1,8W | SOT223-4 | Infineon Technologies | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,4Ohm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SOT223t/r | Infineon (IRF) | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnetrzny:
95000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SOT223t/r | Infineon (IRF) | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnetrzny:
10175 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,4Ohm | 1,17A | 1,8W | SOT223t/r | Infineon (IRF) | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
230mOhm | 2A | 2W | SOT223 | JGSEMI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P SOT223 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | -3A | 2W | SOT223 | TECH PUBLIC | -60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 7 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | -3A | 2W | SOT223 | TECH PUBLIC | -60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
493 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 493 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | -3A | 2W | SOT223 | TECH PUBLIC | -60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 1,17A | 1,8W | SOT223 | UMW | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP322P Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
1Ohm | 1A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP322PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1Ohm | 1A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP372
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
501000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
224000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP76E6433HUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 42V; 12V; 200mOhm; 1.4A; 3.8W; -40°C~150°C; Odpowiednik: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 1,4A | 3,8W | SOT223 | INFINEON | 42V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
16840 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 1,4A | 3,8W | SOT223 | INFINEON | 42V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 15Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
15Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP89,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP89,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP89H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSR606NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 2,3A | 500mW | SC59 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSR802NL INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 3,7A | 500mW | SC-59 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSR802NL6327HTSA1 Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
32mOhm | 3,7A | 500mW | SC-59 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS119NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2540 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 190mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 190mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 190mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12240 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1518000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1125000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
681000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123
N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000mΩ BSS123-YAN
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 170mA | 360mW | SOT-23 | YFW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS123 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS123-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2502000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | GALAXY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 SA SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | HT | 100V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
9Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | JUXING | 100V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 300mW | SOT23 | SHIKUES | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | SLKOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
5,5Ohm | 200mA | 350mW | SOT23 | YY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123-7-F DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 170mA | 300mW | SOT23-3 | DIODES | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1396670 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 170mA | 300mW | SOT23-3 | DIODES | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
894000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 170mA | 300mW | SOT23-3 | DIODES | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 170mA | 300mW | SOT23-3 | DIODES | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC4793
Tranzystor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793-O;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
OSEN Symbol Producenta: 2SC4793 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | 2W | 320 | 100MHz | 1A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: 2SC4793-O RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | 2W | 320 | 100MHz | 1A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
CSC4793
Tranzystor PNP; Bipolar; 320; 230V; 5V; 70MHz; 1A; 20W; -55°C~150°C; Podobny do: 2SC4793;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220F | CDIL | 20W | 320 | 70MHz | 1A | 230V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BSS123W-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123W; BSS123W-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2875 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 170mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
597000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 170mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
177000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 170mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 170mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2SC4793
Tranzystor PNP/NPN; Bipolar; 320; 230V; 5V; 100MHz; 1A; 20W; -55°C~125°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | OSEN | 20W | 320 | 100MHz | 1A | 230V | NPN/PNP | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
BSS126H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 21mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS126H6327XTSA2; BSS126 H6327; BSS126H6327XT; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126 H6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
700Ohm | 21mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS126H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
480000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
700Ohm | 21mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS126H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
700Ohm | 21mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.