Tranzystory (wyszukane: 9622)

1    22  23  24  25  26  27  28  29  30    321
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
BSC016N04LS G Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
Symbol Micros: TBSC016n04ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6200 4,2900 3,5500 3,1100 2,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
2,3mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC016N06NS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC016n06ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N06NS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
39 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,0300 8,7500 7,9100 7,4800 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2,9mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,9mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC018NE2LS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC018ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC018NE2LS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3600 2,1100 1,7500 1,5600 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC018NE2LSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC019N02KSG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
Symbol Micros: TBSC019n02ksg info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N02KSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,5200 4,5600 3,8800 3,5500 3,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
3mOhm 100A 104W TDSON08 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSC019N04NSGATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC019n04ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,4700 8,8100 7,8300 7,3300 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC022N04LS6 Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
Symbol Micros: TBSC022n04ls6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
3,2mOhm 139A 79W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BSC024NE2LS INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC024ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Ilość (wielokrotność 1)
3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Symbol Micros: TBSC027n04lsg info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSGATMA1 || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,5600 3,0300 2,5100 2,2600 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4213-B Tranzystor NPN; 1200; 100mW; 20V; 300mA; 30MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SC4213BTE85LF;
Symbol Micros: T2SC4213b info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC4213-B RoHS || 2SC4213-B(TE85L,F) || 2SC4213-B SOT323
Producent:
Toshiba Symbol Producenta:
2SC4213-B RoHS Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,7110 0,4980 0,4330 0,4050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
SOT323 TOSHIBA 100mW 1200 30MHz 300mA 20V NPN -55°C ~ 125°C
 
Producent:
Toshiba Symbol Producenta:
2SC4213-B(TE85L,F) Obudowa dokładna:
SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SOT323 TOSHIBA 100mW 1200 30MHz 300mA 20V NPN -55°C ~ 125°C
IKP20N60T Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKP20N60TXKSA1;
Symbol Micros: TIKP20n60t info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IKP20N60T RoHS || IKP20N60TXKSA1 || IKP20N60T TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IKP20N60T RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,7300 8,5100 7,4200 7,2800 7,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
TO220 Infineon Technologies 120nC 166W 41A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IKP20N60TXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
70 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO220 Infineon Technologies 120nC 166W 41A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IKP20N60TXKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
405 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO220 Infineon Technologies 120nC 166W 41A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC040n08ns5 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2300
Ilość (wielokrotność 1)
5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042N03LSGATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC042n03ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042N03LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1500 1,9800 1,6400 1,4600 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042N03LSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Symbol Micros: TBSC042ne7ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042NE7NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,8400 6,2100 5,2900 4,8600 4,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
4,2mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 75V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC070N10NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC070n10ns3 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,2200 6,9000 6,1300 5,6600 5,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4382Y Tranzystor NPN; 60; 25W; 200V; 2A; 15MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1668Y;
Symbol Micros: T2SC4382 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC4382 RoHS || 2SC4382Y TO220iso
Producent:
import Symbol Producenta:
2SC4382 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso  
Stan magazynowy:
115 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
cena netto (PLN) 6,1000 4,2600 3,6200 3,4000 3,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/300
Ilość (wielokrotność 1)
TO220iso 25W 60 15MHz 2A 200V NPN -55°C ~ 150°C
BSC0909NSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC0909ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1800 1,2100 0,9530 0,8990 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
11,8mOhm 44A 27W TDSON08 Infineon Technologies 34V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		11,8mOhm 44A 27W TDSON08 Infineon Technologies 34V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC190N15NS3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC190n15ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0100 6,3600 5,7500 5,4400 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
20mOhm 50A 125W TDSON08 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		20mOhm 50A 125W TDSON08 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Symbol Micros: TBSC440n10ns3 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,6300 4,6400 3,8300 3,5400 3,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
44mOhm 5,3A 29W TDSON-8 INFINEON 100V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4466-Y Tranzystor NPN; 180; 60W; 80V; 6A; 20MHz; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: T2SC4466 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
2SC4466Y RoHS || 2SC4466-Y TO3PFM
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta:
2SC4466Y RoHS Obudowa dokładna:
TO3PFM  
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8600 3,7100 3,0700 2,6900 2,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TO3PFM Inchange Semiconductors 60W 180 20MHz 6A 80V NPN -55°C ~ 150°C
2SC4467 Tranzystor NPN; 140; 80W; 120V; 8A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC4467-P; 2SC4467L-O-T3P-T; 2SC4467L-P-T3P-T; 2SC4467L-Y-T3P-T; 2SC4467G-O-T3P-T; 2SC4467G-P-T3P-T; 2SC4467G-Y-T3P-T;
Symbol Micros: T2SC4467 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
2SC4467L RoHS || 2SC4467 TO3PFM
Producent:
UTC Symbol Producenta:
2SC4467L RoHS Obudowa dokładna:
TO3PFM  
Stan magazynowy:
21 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,9700 5,9100 5,0400 4,7500 4,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO3PFM Inchange Semiconductors 80W 140 20MHz 8A 120V NPN -55°C ~ 150°C
2SC4468 Tranzystor NPN; 180; 100W; 140V; 10A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1695;
Symbol Micros: T2SC4468 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2SC4468 RoHS || 2SC4468 TO 3P
Producent:
Sanken Symbol Producenta:
2SC4468 RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,4000 6,6700 5,9200 5,6600 5,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3P 100W 180 20MHz 10A 140V NPN -55°C ~ 150°C
BSD214SN Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
Symbol Micros: TBSD214sn info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SNH6327XTSA1 || BSD214SN Infineon SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
cena netto (PLN) 1,4800 0,9630 0,7090 0,6110 0,5680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
147
Ilość (wielokrotność 1)
250mOhm 1,5A 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		250mOhm 1,5A 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD235CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSD235c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3635 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
237000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD235NH6327XTSA1 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
Symbol Micros: TBSD235nh info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6180 0,4100 0,3430 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
165000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
144000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSD314spe info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6110 0,4010 0,3620 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
230mOhm 1,5A 500mW SOT363 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSD840N Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
Symbol Micros: TBSD840n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD840NH6327XTSA1 RoHS || BSD840NH6327XTSA1 || BSD840N SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9450 0,5230 0,3470 0,2900 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
405000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
687000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH103,215 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 600mOhm; 850mA; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH103,215; BSH103,235; BSH103.215;
Symbol Micros: TBSH103 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH103 RoHS || BSH103,235 || BSH103,215 || BSH103,215 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH103 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3890 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
600mOhm 850mA 750mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH103,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		600mOhm 850mA 750mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH103,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		600mOhm 850mA 750mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH103,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		600mOhm 850mA 750mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH105 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8V; 375mOhm; 1,05A; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH105,215; BSH105,235;
Symbol Micros: TBSH105 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH105,215 RoHS || BSH105,235 || BSH105,215 || BSH105 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH105,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
4144 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7790 0,6130 0,5670 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
375mOhm 1,05A 417mW SOT23 NXP 20V N-MOSFET 20V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		375mOhm 1,05A 417mW SOT23 NXP 20V N-MOSFET 20V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		375mOhm 1,05A 417mW SOT23 NXP 20V N-MOSFET 20V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		375mOhm 1,05A 417mW SOT23 NXP 20V N-MOSFET 20V -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH108 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 240mOhm; 1,9A; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH108,215;
Symbol Micros: TBSH108 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH108 RoHS || BSH108,215 || BSH108 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
360 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5020 0,3330 0,2770 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2180
Ilość (wielokrotność 1)
240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET 30V -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5040 0,3340 0,2790 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET 30V -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH108,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
606000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3047
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET 30V -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH108,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
246000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3231
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET 30V -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH108,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+
cena netto (PLN) 0,3295
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET 30V -65°C ~ 150°C 20V SMD
BSH111 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
Symbol Micros: TBSH111 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH111 RoHS || BSH111BKR || BSH111 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH111 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,4100 1,4500 1,1100 0,9970 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
306000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
1    22  23  24  25  26  27  28  29  30    321