Tranzystory (wyszukane: 8635)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DH100P20 DONGHAI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 95mOhm; 20A; 70W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRF9540PBF, IRF9540NPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 20A | 70W | TO220 | Donghai | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
STP10NK60Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 10A | 115W | TO220 | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7008 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 10A | 115W | TO220 | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10850 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 10A | 115W | TO220 | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
1Ohm | 10A | 52W | TO220iso | CHIPNOBO | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
823 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 10A | 35W | TO220iso | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60ZFP Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 10A | 35W | TO220iso | STMicroelectronics | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
STP14NK50Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
380mOhm | 14A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 500V | N-MOSFET | 500V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
380mOhm | 14A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 500V | N-MOSFET | 500V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
157 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
380mOhm | 14A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 500V | N-MOSFET | 500V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
380mOhm | 14A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 500V | N-MOSFET | 500V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
STP16NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 16A | 45W | TO220 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
100mOhm | 16A | 45W | TO220 | STMicroelectronics | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | |||||||||||||||||||||||||
STP40NF10
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
28mOhm | 50A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
43350 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
28mOhm | 50A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
33050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
28mOhm | 50A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4720 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
28mOhm | 50A | 150W | TO220 | STMicroelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HSTP75NF75 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,2mOhm; 96A; 146W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP75NF75;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
7,2mOhm | 96A | 146W | TO220 | HXY MOSFET | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
STP75NF75
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP75NE75;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 80A | 300W | TO220 | STMicroelectronics | 75V | N-MOSFET | 75V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
16500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 80A | 300W | TO220 | STMicroelectronics | 75V | N-MOSFET | 75V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 80A | 300W | TO220 | STMicroelectronics | 75V | N-MOSFET | 75V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
17813 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 80A | 300W | TO220 | STMicroelectronics | 75V | N-MOSFET | 75V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
2N3055
Tranzystor NPN; 70; 115W; 60V; 15A; 3MHz; Odpowiednik: 2N3055-CDI; 2N3055HV-CDI 100V;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: 2N3055 RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
390 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | 115W | 70 | 3MHz | 15A | 60V | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3055AG Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | 115W | 70 | 3MHz | 15A | 60V | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N3055 Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 3 | 115W | 70 | 3MHz | 15A | 60V | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-20
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP9NK90Z
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
105 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,3Ohm | 8A | 160W | TO220 | STMicroelectronics | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,3Ohm | 8A | 160W | TO220 | STMicroelectronics | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,3Ohm | 8A | 160W | TO220 | STMicroelectronics | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
955 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,3Ohm | 8A | 160W | TO220 | STMicroelectronics | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
30H10K DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5.5mOhm; 100A; 60W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726PBF, IRLR8726TRPBF, IRLR8726TRLPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
148 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 148 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 100A | 60W | TO252 (DPACK) | Donghai | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
182 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 352 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 100A | 60W | TO252 (DPACK) | Donghai | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N3055 TO3 CDIL
NPN 60V 15A 115W 2N3055-CDI; T2N3055; 2N3055-NTE; 2N3055G; 2N3055HV-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | CDIL | 115W | 80 | 2,5MHz | 15A | 100V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-06
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
10N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
630mOhm | 40A | TO220iso | LGE | 650V | MOSFET | 4V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 300
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2230U-7 Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
185 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
230mOhm | 2A | 600mW | SOT23-3 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
12N65 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C~150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
800mOhm | 12A | 42W | TO220iso | HXY MOSFET | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
540mOhm | 12A | 33W | TO220iso | LGE | 650V | MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-10
Ilość szt.: 200
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXMS6004DN8-13
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
600mOhm | 1,3A | 1,56W | SOIC08 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | -40°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 1,3A | 1,56W | SOIC08 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | -40°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
170000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 1,3A | 1,56W | SOIC08 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | -40°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 1,3A | 1,56W | SOIC08 | DIODES | 60V | 2xN-MOSFET | -40°C ~ 150°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2N3055 TO247 LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: 2N3055 TO-3P RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
5177 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO3 | LGE | 115W | 70 | 2,5MHz | 15A | 70V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
EPC2059
Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
EPC Symbol Producenta: EPC2059 RoHS Obudowa dokładna: DIE(2.8x1.4) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 24A | EPC | 170V | GANFET | -40°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
FDC658AP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
213000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
75mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
80mOhm | 2,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2A | 1,56W | SOT23 | MSK | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
61mOhm | 3A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 7A | 2W | SOP08 | Fairchild | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 6A | 2,1W | SOT23 | UMW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FQP47P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
732 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
319 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
26mOhm | 47A | 160W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQP50N06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 50A | 120W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FQPF2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 2A | 23W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7Ohm | 2A | 23W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
130mOhm | 2,5A | 900mW | SOT23 | HX | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 3000
|