Tranzystory (wyszukane: 9823)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL2203N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL2203NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
198 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
10mOhm | 116A | 180W | TO220 | International Rectifier | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRBL3813
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,6mOhm; 260A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRBL3813PBF; IRLB3813PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
2,6mOhm | 260A | 230W | TO220 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLB3813PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
819 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,6mOhm | 260A | 230W | TO220 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLB3813PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
690 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,6mOhm | 260A | 230W | TO220 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0030TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
40271 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
285000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1731000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
73mOhm | 4A | 350mW | SOT23 | CHIPNOBO | 20V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
85mOhm | 5A | 1,31W | SOT23 | HXY MOSFET | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | UMW | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244TRPBF tranzystor polowy Infineon Technologies
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244PBF; IRLML2244TRPBF; TCJ2321; IRLML2244;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4380 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
155200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1920000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2246
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2246PBF; IRLML2246TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
122 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
925 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1925 Ilość (wielokrotność 1) |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1322 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2402
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2402TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6181 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
350mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2402TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
56800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
350mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF9N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 9A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 10A | 5W | TO252 (DPACK) | JGSEMI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 20A | 42W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
126 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2350 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
158000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1440000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
155mOhm | 17A | 79W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR8743TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8743TRLPBF; IRLR8743TRPBF; IRLR8743PBF; IRLR8743PBF-GURT; IRLR8743;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
41350 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,9mOhm | 160A | 135W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLZ34N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34PBF; IRLZ34PBF-BE3; IRLZ34NPBF; SP001553290;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
187 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | UMW | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRLZ34N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4140 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 30A | 68W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
LGE2304
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2304-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 3,3A | 350mW | SOT23 | LGE | 30V | MOSFET | 2,2V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MCM3400A-TP
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
38mOhm | 5A | 1,4W | DFN06 | MCC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMFTP3401 DIOTEC
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: MMFTP3401-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | 3A | 500mW | SOT23 | DIOTEC | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP149
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
4525 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
158000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SOT223-3 | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS131 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
20Ohm | 110mA | 360mW | SOT23 | SLKOR | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
135 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 2xN-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
411000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 2xN-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
213000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 50V | 2xN-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IRF3805SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2,5mOhm | 270mA | 375W | D2PAK | VBsemi | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45042 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
130000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4665000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 200mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI2305CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5,8A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
117000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
65mOhm | 5,8A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 150mA | 357mW | SOT23 | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
330 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/18000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 150mA | 357mW | SOT23 | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
SI4447ADY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
62mOhm | 7,2A | 4,2W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
62mOhm | 7,2A | 4,2W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |