Tranzystory (wyszukane: 10687)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT3400A3-5.8A SOT-23
TRANSISTOR MOT3400AB2 ODPOWIEDNIK: IRLML6346TRPBF; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3400AB2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
24mOhm | 5,8A | 350mW | SOT-23 | MOT | 30V | N-MOSFET | 4V | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
MOT3401AA3 SOT-23
TRANSISTOR P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 ODPOWIEDNIK: AOS AO3401;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3401AA3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
44mOhm | 4,2A | 1,4W | SOT-23 | MOT | 30V | P-MOSFET | 1,3V | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
SQ3987EV-T1_GE3
TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQ3987EV-T1_GE3 RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
85mOhm | -4A | 1,66W | TSOP06 | Vishay | 30V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MOT817-40 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT-23 | MOT | 300mW | 250 | 100MHz | 500mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | Nie dotyczy | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-20
Ilość szt.: 9000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MOT857B SOT23 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT-23 | MOT | 200mW | 220 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | Nie dotyczy | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-04-30
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS podobny do: TSM2308CX RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: TSM2308CX RFG-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MOT10N65 TO220 MOT
650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT10N65A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
800mOhm | 10A | 156W | TO220 | MOT | 650V | N-MOSFET | 4V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
MOT15N10D TO252(DPAK) MOT
100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFR120N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT15N10D RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
1730 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
80mOhm | 15A | 34,7W | TO252 | MOT | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT
30V 7A 25mOhm@10V 1.6W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23A-3L Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: AO3419;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3415A3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | -4A | 1,5W | SOT23 | MOT | 20V | P-MOSFET | 1V | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
MOT7N80F TO-220F MOT
TRANS ODPOWIEDNIK: MOT7N80F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT7N80F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
1,5Ohm | 7A | 33W | TO220F | MOT | 800V | N-MOSFET | 4V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
MOT65R850F TO-220F MOT
650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R850F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
850mOhm | 4A | 20W | TO220iso | MOT | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
MOT65R380F TO-220F MOT
650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF380N65FL1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R380F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
330mOhm | 10,2A | 33W | TO220iso | MOT | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC
TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: VBA4338 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
58mOhm | 4,8A | 2W | SOP08 | VBSEMI ELEC | 30V | 2xP-MOSFET | 20V | -55°C ~ 155°C | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
VBM1615 TO-220 VBsemi Elec
TRANS; 60v 50A ; TO-220 ; N-CHANEL; ODPOWIEDNIK: VBM1615; STP55NF06-VB; STP55NF06; (ORAZ STP55NF06L);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: VBM1615 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 60A | 136W | TO220 | VBSEMI ELEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
YFW15N10AD TO-252 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; ODPOWIEDNIK: IRLR120NTRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW15N10AD RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
STS4DPF30L
P-Channel 30V 7.3A 5W Surface Mount SO-8 STS4DPF30L-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: STS4DPF30L-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SI4909DY
30V 9.5A 5W 21m@10V,7.3A 3V@250A P Channel SO-8 MOSFETs ROHS SI4909DY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
S8050 SOT23 YFW
300mW 25V 200@500mA,1V 500mA NPN SOT-23 Single Bipolar Transistors ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: S8050 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
AGW40N170TMA1 TO247
Tranzystor IGBT ; 1700V; 20V; 80A; 120A; 600W; 4,9V~6,5V; 450nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | LUXIN-SEMI | 450nC | 600W | 120A | 80A | 4,9V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | 1700V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
IRFP460PBF
TO-274AA MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFP460PBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
YFW12N65AF TO220F YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 720Ohm; 32.1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
720mOhm | 12A | 32,1W | TO220iso | YFW | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | LUXIN-SEMI | 239nC | 375W | 160A | 80A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 175°C | 1200V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN
IGBT TRANSISTOR; TO-3P-3 Single IGBTs ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
SILAN Symbol Producenta: SGT40N60FD2PN RoHS Obudowa dokładna: TO-3P |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
RC2310A Realchip
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Odpowiednik: TSM2308CX RFG; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; SI2308BDS-T1-E3; LGE02N60C; LGE02N60C; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
YFW60N03AD TO252(T/R) YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW60N03AD RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
PTS6012 SO8 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Wycofano z produkcji; IRF7478; PTS6012; YFW15N06S; TPM60V8NS8; IRF7478TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
24mOhm | 12A | 3W | SOP08 | HT | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT5551 SOT23(T/R) CJ
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol Producenta: MMBT5551 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN
IGBT TRANSISTOR; TO-247-3L Single IGBTs ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
SILAN Symbol Producenta: SGT40N60FD2P7 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MOT2301 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301ACX; MOT2301AB2
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2301AB2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
100mOhm | 3A | 1,25W | SOT23 | MOT | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MOT2305B2 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402; DMP2305U-7; SI2305; FDN304P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2305B2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 6A | 1,83W | SOT23 | MOT | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||