Tranzystory (wyszukane: 10383)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Typ tranzystora
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC807-40W smd REALCHIP
Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115; BC807-40W-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-40W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
5480 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC817-25 REALCHIP
Tranzystor NPN; 400; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
D882 TO126 REALCHIP
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: D882 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SA720 ZEHUA
Tranzystor PNP; 340; 625mW; 50V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SA720-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ZEHUA | 625mW | 340 | 200MHz | 500mA | 50V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BGN40Q120SD BYD
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | BYD | 142nC | 428W | 160A | 80A | 5,0V ~ 7,0V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
BC108A
Tranzystor NPN; Bipolarny; 220; 45V; 150MHz; 200mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC108A-CDI; BC108A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
890 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 300mW | 220 | 150MHz | 200mA | 45V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT5551
Tranzystor NPN; Bipolarny; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BDW93CFP
Trans Darlington NPN 100V 12A 33000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
14073 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
28100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
4450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
S8050 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-01-30
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
S8550 China
Tranzystor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | -500mA | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
S9013 (J3)
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SS8050 SOT23
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD
Tranzystor PNP; Bipolarny; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
DGC40F120M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 198nC | 388W | 160A | 80A | 4,5V ~ 6,5V | -45°C ~ 175°C | THT | 1200V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
DGC40H65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/120 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 84nC | 280W | 160A | 80A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
DGC60F65M DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 106nC | 428W | 180A | 120A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
DGC75F65M DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 187nC | 440W | 300A | 150A | 4,5V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
BC857BS-QX
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BC857BS-QX RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | NXP | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC857BS-QX Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
129000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | NXP | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
DGCP120F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247Plus-3L | Donghai | 300nC | 500W | 360A | 160A | 4,0V ~ 6,5V | -55°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
BC857S MERRY
Tranzystor 2xPNP; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | MERRY | 300mW | 630 | 200MHz | 200mA | 45V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BC857S SHIKUES
Tranzystor 2xPNP; 800; 300mW; 50V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | SHIKUES | 300mW | 800 | 100MHz | 100mA | 50V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
DGF30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Donghai | 48nC | 60W | 180A | 60A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
DHG25T120 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 141nC | 278W | 75A | 50A | 4,5V ~ 7,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
DGN30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3PN | Donghai | 48nC | 230W | 180A | 60A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
SL15T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 70nC | 125W | 40A | 30A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 150°C | THT | 1200V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
SL15T65FF SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | SLKOR | 61nC | 48W | 60A | 30A | 4,5V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
YJL05N04C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 50mOhm; 5A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C; YJL05N04A-YAN; MOT4526B2; LGE350N04; MOT4526B2;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
50mOhm | 5A | 1,2W | SOT23 | YY | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
YJL03N06C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C; YJL03N06A-YAN; KI2308DS; LGE02N06C; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 3A | 1,2W | SOT23 | YY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SL20T65F SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 80A; 35W; 4,5V~6,5V; 43,9nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | SLKOR | 43,9nC | 35W | 80A | 40A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
SL20T65FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 80A; 162W; 4,5V~6,5V; 43,9nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 43,9nC | 162W | 80A | 40A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||